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本实用新型公开了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片，包括由下至上依次设置的背面阴极接触层、衬底、下漂移层及上漂移层；上漂移层上方设有肖特基金属接触层及位于肖特基金属接触层外围的钝化环，上漂移层上端设有至少一个有源掺杂区以及位于有源掺...
该专利属于无锡市查奥微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡市查奥微电子科技有限公司授权不得商用。

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