一种基于MOF介孔孔道排列的钙钛矿纳米线及制备方法技术

技术编号:34451680 阅读:98 留言:0更新日期:2022-08-06 16:53
本发明专利技术公开了基于MOF介孔孔道排列的钙钛矿(ABX3)纳米线及制备方法,该方法基于制备钙钛矿纳米线/MOF复合材料,其中包括介孔MOF及在其孔道内生长的钙钛矿纳米线。该复合材料的制备方法为,首先合成介孔MOF晶体,然后用真空脱气的十八烯溶液对合成后的MOF晶体多次过滤冲洗,分散成含MOF晶体的十八烯溶液;然后,采用两步生长法将钙钛矿的金属阳离子和卤素阴离子分步装载入MOF晶体孔道;在加热条件下,孔道中的钙钛矿组分离子成核且沿MOF孔道方向生长为钙钛矿纳米线,并在有序的MOF介孔孔道中形成纳米线阵列。该制备方法的工艺简单、条件温和,能够利用MOF介孔孔道将钙钛矿纳米线排列形成阵列,并且所获得的复合材料稳定性更高。高。高。

【技术实现步骤摘要】
一种基于MOF介孔孔道排列的钙钛矿纳米线及制备方法


[0001]本专利技术公开了一种基于MOF介孔孔道排列的钙钛矿纳米线及制备方法,涉及钙钛矿及金属有机骨架材料


技术介绍

[0002]金属卤化钙钛矿纳米材料(如溴化亚甲基铵化铅(CH3NH3PbBr3)和溴化铯化铅(CsPbBr3)具有长且平衡的载流子扩散长度、宽光谱吸收范围等优异的光电子性能。因此,钙钛矿材料不仅可以制备高效清洁的太阳能电池,同时也被广泛运用在高增益光电探测器中。通过使用不同的合成方法,人们可以获得尺寸、形貌和光学性能均不同的金属卤化钙钛矿纳米材料。其中,单晶钙钛矿纳米线作为一维半导体材料,具有结构各向异性、低晶界以及优良的机械性能等优点,在偏振光检测、柔性光电器件以及高灵活性的光电探测器的应用上有着非常大的潜力。但是,单晶钙钛矿纳米线排列无序,较小的受光面积使得其光电转换效率不甚理想。
[0003]目前,实现钙钛矿纳米线阵列的方法大多是在特定衬底上生长。其优点是减少甚至消除随后器件制作过程中的所必需的纳米线排列过程,同时能够控制纳米线阵列的密度。但是,如此生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于MOF介孔孔道排列的钙钛矿纳米线,其特征在于,包括:钙钛矿纳米线和MOF晶体,所述的MOF晶体的介孔孔道中钙钛矿纳米线排列形成阵列,即ABX3纳米线晶体复合材料,其中,A代表有机阳离子CH3NH
3+
或无机阳离子Cs
+
,B代表金属二价阳离子,X代表卤素阴离子。2.一种基于MOF介孔孔道排列的钙钛矿纳米线的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:将介孔MOF晶体加入第一前驱体溶液BX2中,并对其进行加热,BX2为金属卤化物;步骤2:将步骤1中加热后的第一前驱体溶液BX2加入含有配位阳离子A
+
的第二前驱体溶液,并对混合溶液进行加热,得到含有ABX3纳米线晶体复合材料的混合溶液;步骤3:在步骤2中含有ABX3纳米线晶体复合材料的混合溶液中加入乙酸甲酯去除杂质,经过静置、离心得到沉淀物,沉淀物即为:ABX3纳米线晶体复合材料。3.根据权利要求2所述的一种基于MOF介孔孔道排列的钙钛矿纳米线的制备方法,其特征在于,所述的金属二价阳离子B
2+
包括:Pb
2+
或Sn
2+
,所述的卤素阴离子X

包括:CI

、Br

...

【专利技术属性】
技术研发人员:王瑾杨康胡回清陆云清
申请(专利权)人:南京邮电大学
类型:发明
国别省市:

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