一种新型钙钛矿X射线探测器及其制备方法技术

技术编号:34451657 阅读:122 留言:0更新日期:2022-08-06 16:53
本发明专利技术提供了一种新型钙钛矿X射线探测器,自下而上依次包括透明导电基底、电子传输层、铋基钙钛矿多晶厚膜、空穴传输层和金属电极;其中,所述铋基钙钛矿多晶厚膜采用A3Bi2X9多晶厚膜,厚度800~1200um,且通过刮涂法制得。本发明专利技术还提供了一种上述新型钙钛矿X射线探测器的制备方法。本发明专利技术的优点在于:本发明专利技术采用高性能铋基钙钛矿多晶厚膜为吸光层,能够实现大面积快速成像,优于现有的单晶成像。优于现有的单晶成像。优于现有的单晶成像。

【技术实现步骤摘要】
一种新型钙钛矿X射线探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及X射线探测器
,尤其涉及一种新型钙钛矿X射线探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]当X射线穿过不同密度和厚度的人体组织、工件、材料时,X射线被吸收的程度不同。X射线辐照到直接探测材料时产生电子

空穴对,这些电子和空穴在外加偏压电场作用下形成电流,然后电流在TFT平板或其他读出系统上积分形成储存电荷,通过设备读出电荷量,就可以知道每个点的X射线剂量。人们通过X射线强度的变化及分布情况可以诊断一些肉眼不可见的疾病,或者,检测工件内部各种宏观或微观缺陷的性质、大小及分布。现有的CdTe/CZT探测器通过拼接法应用于CT成像,但在大面积和快速成像上不具备优势,无法用于数字放射成像的平板探测成像。
[0003]钙钛矿材料接受X射线的照射时,会吸收光子产生电子

空穴对,这些钙钛矿材料往往具有较低的载流子复合几率和较高的载流子迁移率,载流子的扩散距离和寿命较长,是一种很有发展前景的X射线探测材料。目前,关于钙钛矿X射线探测器的研究主要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型钙钛矿X射线探测器,其特征在于,自下而上依次包括透明导电基底、电子传输层、铋基钙钛矿多晶厚膜、空穴传输层和金属电极;其中,所述铋基钙钛矿多晶厚膜采用A3Bi2X9多晶厚膜,厚度800~1200um,且通过刮涂法制得。2.根据权利要求1所述的新型钙钛矿X射线探测器,其特征在于,所述透明导电基底采用沉积有氧化铟锡或掺杂有氟的二氧化锡透明导电玻璃。3.根据权利要求1所述的新型钙钛矿X射线探测器,其特征在于,所述电子传输层采用二氧化锡、二氧化钛与富勒烯衍生物中的一种。4.根据权利要求1所述的新型钙钛矿X射线探测器,其特征在于,所述空穴传输层采用氧化镍或2,2',7,7'

四[N,N

二(4

甲氧基苯基)氨基]

9,9'

螺二芴。5.根据权利要求1所述的新型钙钛矿X射线探测器,其特征在于,所述金属电极采用金电极或银电极。6.根据权利要求1所述的新型钙钛矿X射线探测器,其特征在于,所述A3Bi2X9多晶厚膜的具体制备方法为:(1)按摩尔比3:2称取原料AX与BiX3,并加入5%添加剂;将上述物料溶于有机溶剂中,得混合前驱体溶液原液;(2)将原液于40~60℃温度下搅拌2~6h至充分溶解,再对原液进行过滤,得澄清透明的0.6~1.2M混合前驱体溶液;(3)使用刮涂仪在电子传输层上刮涂混合前驱体溶液,得到相应厚度的铋基钙钛矿湿膜;(4)将所述铋基钙钛矿湿膜转移至真空烘箱中抽真空,溶剂被抽走,然后在100~120℃温度下退火,从而制得目标所需的A3Bi2X9多晶厚膜。7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:潘旭张辉叶加久汪子涵徐申东
申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院
类型:发明
国别省市:

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