套刻标记和套刻误差的测量方法技术

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种套刻标记和套刻误差的测量方法，至少能够提高套刻标记的质量，从而提高套刻误差的量测准确度，以提高产品的良率。套刻标记包括第一图案层和第二图案层，所述第一图案层先于所述第二图案层在所述衬底上形成，且二者在所述衬底上的正投影相互错开；其中，所述第一图案层和所述第二图案层均包括多个间隔设置的标记图案和设于相邻所述标记图案之间的多个间隔的噪音图案；所述噪音图案的特征尺寸小于所述标记图案的特征尺寸；所述第一图案层的标记图案和所述第二图案层的标记图案能够相配合以用于获取套刻误差。获取套刻误差。获取套刻误差。

【技术实现步骤摘要】
套刻标记和套刻误差的测量方法


[0001]本公开属于半导体领域，具体涉及一种套刻标记和套刻误差的测量方法。

技术介绍

[0002]为提高器件的集成度，通常需要经过多层光刻工艺依次将各光罩上的图案转移到衬底上，因此，可以借助套刻标记使上下两层图案之间的位置对准。换言之，通过套刻标记获取的套刻误差能够反映不同层之间对准偏差的情况。
[0003]然而，套刻标记在形成过程中容易产生缺陷，从而影响后续套刻误差的量测准确度，进而降低产品的良率。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种套刻标记和套刻误差的测量方法，至少有利于提高套刻标记的质量，以提高套刻误差的量测准确度，进而提高产品的良率。
[0005]根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种套刻标记，所述套刻标记位于衬底上，所述套刻标记包括第一图案层和第二图案层，所述第一图案层先于所述第二图案层在所述衬底上形成，且二者在所述衬底上的正投影相互错开；其中，所述第一图案层和所述第二图案层均包括多个间隔设置的标记图案和设于相邻所述标记图案之间的多个间隔的噪音图案；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种套刻标记，所述套刻标记位于衬底上，其特征在于，所述套刻标记包括第一图案层和第二图案层，所述第一图案层先于所述第二图案层在所述衬底上形成，且二者在所述衬底上的正投影相互错开；其中，所述第一图案层和所述第二图案层均包括多个间隔设置的标记图案和设于相邻所述标记图案之间的多个间隔的噪音图案；所述噪音图案的特征尺寸小于所述标记图案的特征尺寸；所述第一图案层的标记图案和所述第二图案层的标记图案能够相配合以用于获取套刻误差。2.根据权利要求1所述的套刻标记，其特征在于，所述标记图案的形状为长条状，所述噪音图案的形状为长条状，且所述标记图案的宽度大于所述噪音图案的宽度。3.根据权利要求2所述的套刻标记，其特征在于，所述标记图案的宽度与所述噪音图案的宽度之比为5:1～2:1。4.根据权利要求2所述的套刻标记，其特征在于，多个所述标记图案的排列方向与所述标记图案的长度方向垂直，所述噪音图案不超出所述标记图案在其长度方向上的边缘。5.根据权利要求4所述的套刻标记，其特征在于，所述噪音图案的长度方向与所述标记图案的长度方向相同；其中，所述噪音图案的形状为一体式条状；或者，所述噪音图案包括在其长度方向上间隔排列的多个噪音片段。6.根据权利要求4所述的套刻标记，其特征在于，所述噪音图案的长度方向与所述标记图案的长度方向不同。7.根据权利要求2所述的套刻标记，其特征在于，所述第一图案层和所述第二图案层用于组成至少一个对比组；所述对比组包括第一对比区和第二对比区；所述第一对比区包括第一前层区和第一当层区，二者在第一方向上排列；所述第一前层区具有所述第一图案层的多个所述标记图案；所述第一当层区具有所述第二图案层的多个所述标记图案，且所述第一前层区的多个标记图案和所述第一当层区的多个标记图案均在第二方向上排列；所述第二对比区包括第二前层区和第二当层区，二者在第二方向上排列；所述第二前层区具有所述第一图案层的多个所述标记图案；所述第二当层区具有所述第二图案层的多个所述标记图案，且所述第二前层区的多个标记图案和所述第二当层区的多个标记图案均在第一方向上排列；所述第一方向与所述第二方向相垂直。8.根据权利要求7所述的套刻标记，其特征在于，所述对比组的第一对比区和第二对比区在所述第一方向上间隔排列；其中，所述对比组为两个，一所述对比组的所述第一对...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛薄辉，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：