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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种套刻标记和套刻误差的测量方法，至少能够提高套刻标记的质量，从而提高套刻误差的量测准确度，以提高产品的良率。套刻标记包括第一图案层和第二图案层，所述第一图案层先于所述第二图案层在所述衬底上形成，且二者在所述...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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