嵌入式闪存及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种嵌入式闪存及其制备方法，在刻蚀侧墙材料层形成侧墙后，先不刻蚀去除侧墙最外侧的第二氧化层，源漏离子注入形成源级和漏级之后，再去除侧墙中的第二氧化层。一方面，避免逻辑区和存储区的源漏离子注入过程中离子进入侧墙正下方的衬底部分而影响闪存性能；另一方面，在源漏离子注入时，侧墙的厚度为第一氧化层、氮化硅层和第二氧化层的厚度之和，侧墙的厚度较大，形成的源级和漏级更远离沟道，从而有效降低了嵌入式闪存的漏电流。本发明专利技术在离子注入完成后去除第一侧墙和第二侧墙最外侧的第二氧化层，减小了逻辑区和存储区的各自侧墙的厚度(尺寸)；达到降低嵌入式闪存漏电流的同时，还满足嵌入式闪存的面积逐渐缩小的需求。小的需求。小的需求。

【技术实现步骤摘要】
嵌入式闪存及其制备方法


[0001]本专利技术属于集成电路制造
，具体涉及一种嵌入式闪存及其制备方法。

技术介绍

[0002]存储器用于存储大量数字信息，多年来，工艺技术的进步和市场需求催生越来越多高密度的各种类型存储器，如RAM(随机存储器)、DRAM(动态随机存储器)等，其中，闪存存储器即FLASH成为非易失性半导体存储技术的主流，在各种各样的FLASH器件中，嵌入式闪存是片上系统(SOC)的一种，在一片集成电路内同时集成逻辑电路模块和闪存电路模块，在智能卡、微控制器等产品中有广泛的用途。
[0003]嵌入式闪存包括存储区中的闪存单元和逻辑区中的逻辑单元，存储区中的闪存单元以及逻辑区的逻辑单元均具有侧墙结构。然而，随着嵌入式闪存的面积逐渐缩小，相应的闪存单元的侧墙厚度和逻辑单元的侧墙厚度也逐渐减小，侧墙厚度的减小导致小尺寸嵌入式闪存的漏电流急剧增大。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种嵌入式闪存的制备方法，减小了逻辑区和存储区的各自侧墙的厚度(尺寸)；达到降低嵌入式闪存漏电流的同时，还满足嵌本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式闪存的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包括逻辑区和存储区，所述存储区中形成有闪存单元，所述逻辑区中形成有依次位于所述衬底上的栅介质层和栅极；形成侧墙，所述侧墙包括位于所述栅介质层和所述栅极的侧壁的第一侧墙和位于所述闪存单元的侧壁的第二侧墙；所述第一侧墙和所述第二侧墙从内到外均包括第一氧化层、氮化硅层和第二氧化层；执行所述存储区的源漏离子注入；执行所述逻辑区的源漏离子注入；去除所述第一侧墙和所述第二侧墙最外侧的所述第二氧化层。2.如权利要求1所述的嵌入式闪存的制备方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为80埃～200埃，所述氮化硅层的厚度为150埃～300埃，所述第二氧化层的厚度为300埃～600埃。3.如权利要求1所述的嵌入式闪存的制备方法，其特征在于，去除去除所述第一侧墙和所述第二侧墙最外侧的所述第二氧化层，具体包括：采用浓度为20:1～200:1的氢氟酸湿法去除所述第二氧化层。4.如权利要求1所述的嵌入式闪存的制备方法，其特征在于，形成侧墙，具体包括：形成侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖所述闪存单元、所述栅介质层、所述栅极和所述衬底；等离子体干法刻蚀所述侧墙材料层的待去除部分，使仅保留位于所述栅介质层和所述栅极的侧面的所述侧墙材料层，以及位于所述闪存单元的侧面的所述侧墙材料层，形成所述侧墙。5.如权利要求4所述的嵌入式闪存的制备方法，其特征在于，等离子体干法刻蚀所述侧墙材料层的待去除部分，具体包括：刻蚀去除所述待去除部分的所述侧墙材料层中的所述第二氧化层，所述第二氧化层和所述氮化硅层的刻蚀选择比大于10；刻蚀去...

【专利技术属性】
技术研发人员：周海洋，王会一，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：