一种基于锑化物材料选区外延生长的外延片生长方法技术

本发明专利技术公开了一种基于锑化物材料选区外延生长的外延片生长方法，包括在衬底材料表面沉积SiO2；刻蚀出不同尺寸的SiO2窗口作为选区生长区域；选区生长区域为暴露区，剩余SiO2图形表面区域为未暴露区；(4)外延生长多量子阱有源区；本发明专利技术通过在衬底材料表面沉积SiO2，并开出不同尺寸的SiO2窗口作为选区生长区域，由于SiO2图形表面和衬底暴露区表面尺寸的差异，使得暴露区域与未暴露区域比例越小，材料外延生长速率越快，从而实现对不同区域锑化物量子阱有源区外延材料能带即波长的有效控制；通过优化SiO2图形表面和衬底暴露区表面的几何尺寸，不仅能实现较高的中红外波长控制精度，而且可以在同一外延片上获得多个波长的片上集成。上集成。上集成。

【技术实现步骤摘要】
一种基于锑化物材料选区外延生长的外延片生长方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种基于锑化物材料选区外延生长的外延片生长方法。

技术介绍

[0002]基于半导体技术的光电型气体传感器因其高可靠性、长寿命等优势被越来越多地用于汽车、医院、智能家居等的气体监测和智能控制。目前中红外波段的气体传感器一般采用非色散红外技术(Nondispersiveinfrared,NDIR)。NDIR式气体传感器是通过由入射红外线引发对象气体的分子振动，利用其可吸收特定波长红外线的现象来进行气体检测的。通过红外光的透射率(透射光强度与源自辐射源的发射光强度之比)来计算出被测气体的浓度。整个气体传感器一般由宽谱红外光发射光源、光探测器、光学滤波片以及气体检测盒体、信号处理电路构成。为了保证气体传感器在各种环境下长期稳定的检测，且无需校准，一般采用单个宽谱光源的双波长型设计，即在2个光探测器的前端分别设置了具有不同的透过波长范围阈值的光学滤波片，一路作为参考，一路作为探测，通过比较可吸收检测对象气体波长范围与不可吸收波长范围的透射量，就可以计算出气体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于锑化物材料选区外延生长的外延片生长方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在衬底材料表面沉积SiO2；(2)刻蚀出不同尺寸的SiO2窗口作为选区生长区域；(3)选区生长区域为暴露区，剩余SiO2图形表面区域为未暴露区，由于SiO2图形表面和衬底暴露区表面尺寸的差异，使得暴露区域与未暴露区域比例越小，材料外延生长速率越快；(4)外延生长锑化物多量子阱有源区。2.根据权利要求1所述的一种基于锑化物材料选区外延生长的...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁颖，倪海桥，雷玉新，赵涛，
申请(专利权)人：远跖信息科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：