【技术实现步骤摘要】
一种集成式LED芯片及其制作方法
[0001]本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及集成式LED芯片及其制作方法。
技术介绍
[0002]LED芯片，作为LED灯的核心组件，其功能就是把电能转化为光能，具体的，包括外延片和分别设置在外延片上的N型电极和P型电极。所述外延片包括P型半导体层、N型半导体层以及位于所述N型半导体层和P型半导体层之间的有源层，当有电流通过LED芯片时，P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子会向有源层移动，并在所述有源层复合，使得LED芯片发光。
[0003]随着LED技术的快速发展，LED的应用也越来越广泛，人们对LED光源提出更高的需求，尤其提高单位面积内的发光强度是设计时考虑的重要因素。对有图像显示需求的发光单元而言，既要实现高密度发光，又要实现单元阵列的单独控制，对芯片技术和封装技术提出更高的要求。例如MICRO LED、矩阵式LED车大灯等。
[0004]然而，现有技术中，发光单元通常为单独封装体，集成过程中由于受限于封装尺寸和工艺，导致封装集成度较差；同时，常规LED芯片的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种集成式LED芯片，其特征在于，包括：导电基板、形成于所述导电基板表面的若干个LED发光单元、电极焊盘及电极引线；其中，各所述LED发光单元包括外延叠层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、第一金属层；所述外延叠层设置于所述导电基板上方，且所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层，且所述外延叠层具有裸露所述第一型半导体层部分表面的通孔；第一方向垂直于所述导电基板，并由所述导电基板指向所述外延叠层；所述第二金属层包括可欧姆接触并实现光反射的金属材料层，其层叠于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面，并延伸至所述导电基板的边缘，形成所述电极引线；所述电极焊盘形成于所述导电基板的边缘，并与所述电极引线形成连接；所述第一绝缘层覆盖所述外延叠层，且裸露各所述通孔的底面、与其邻近的第二型半导体层的部分表面；所述第二绝缘层，其设置所述外延叠层朝向所述导电基板的一侧，且覆盖所述第二金属层及外延叠层并延伸至所述通孔侧壁；所述第一金属层，其层叠于所述导电基板朝向所述外延叠层的一侧表面；并嵌入所述通孔与所述第一型半导体层形成电接触，使各所述LED发光单元形成共电极。2.根据权利要求1所述的集成式LED芯片，其特征在于，各所述LED发光单元形成一体，且所述LED发光单元的电极引线通过所述第一绝缘层隔离设置于邻近的LED发光单元的下方并引出至所述导电基板的边缘。3.根据权利要求1所述的集成式LED芯片，其特征在于，各所述LED发光单元通过沟槽相互隔离形成于所述导电基板表面；其中，所述LED发光单元的电极引线，通过所述第一绝缘层隔离设置于邻近的LED发光单元的下方并引出至所述导电基板的边缘；或，所述电极引线通过所述沟槽延伸至所述导电基板的边缘。4.根据权利要求1所述的集成式LED芯片，其特征在于，所述第一金属层完全填充所述通孔。5.根据权利要求1所述的集成式LED芯片，其特征在于，所述通孔内设有填充结构。6.根据权利要求5所述的集成式LED芯片，其特征在于，所述填充结构包括在外延叠层中通过蚀刻形成的独立外延台柱，所述独立外延台柱通过凹槽与所述外延叠层相互隔离，且所述第一金属层嵌入所述凹槽与所述第一型半导体层形成电接触；或，所述填充结构包括直接层叠于所述通孔底部的填充层；所述填充层通过凹槽与所述外延叠层相互隔离，且所述第一金属层嵌入所述凹槽与所述第一型半导体层形成电接触。7.根据权利要求5所述的集成式LED芯片，其特征在于，所述填充层包括绝缘材料、金属材料的至少一种或多种堆叠。8.根据权利要求1所述的集成式LED芯片，其特征在于，所述基板具有相对的第一长边和第二长边、相对第一短边和第二短边。9.根据权利要求8所述的集成式LED芯片，其特征在于，至少部分LED发光单元的电极引线延伸至所述导电基板的长边。
10.一种集成式LED芯片的制...
【专利技术属性】
技术研发人员：曲晓东，陈凯轩，罗桂兰，崔恒平，蔡海防，林志伟，赵斌，杨克伟，江土堆，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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