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本发明公开了一种基于锑化物材料选区外延生长的外延片生长方法，包括在衬底材料表面沉积SiO2；刻蚀出不同尺寸的SiO2窗口作为选区生长区域；选区生长区域为暴露区，剩余SiO2图形表面区域为未暴露区；(4)外延生长多量子阱有源区；本发明通过在衬...
该专利属于远跖信息科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过远跖信息科技（上海）有限公司授权不得商用。

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