本发明专利技术公开了一种mosfet晶圆的激光切割裂片工艺及设备，属于晶圆切割裂片技术领域，实现在金刚石刀体划道过程中，带动温度升高，使形变记忆绝磁环体膨胀，绝磁粉末扩散，降低绝磁效果，使吸附活动球在磁球与磁铁块之间的吸引力下扭转，使吸附口与连接管相对接，同时使形变记忆弹簧收缩拉动活塞运动，抽取硅粉和热气进入到抽气筒内，而金刚石刀体划道运动促使碰撞小球相互碰撞摩擦产生静电，通过静电吸附能力使硅粉进入到吸附活动球内，沾附在超细纤维上，避免对划道造成干扰，同时活塞吹动冷却块上冷气散发配合划道过程中冷却液流动散发的冷气进行降温处理，降低硅粉氧化生成氧化层的可能性，避免对切割裂片造成干扰，提高精度。度。度。
【技术实现步骤摘要】
一种mosfet晶圆的激光切割裂片工艺及设备
[0001]本专利技术涉及晶圆切割裂片
，更具体地说，涉及一种mosfet晶圆的激光切割裂片工艺及设备。
技术介绍
[0002]Mosfet是指金属
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氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，Mosfet晶圆则是制作Mosfet管所用的硅晶片，在Mosfet晶圆加工过程中，需要对其进行激光切割裂片，使其分裂成一片片，而在其切割裂片前，需要对其进行划片预处理，形成切割道，方便其激光精准切割裂片，减少误差，降低损耗。
[0003]现有技术中，划片预处理通常为金刚石刀划道，但是在划片过程中会产生硅粉，对划片造成干扰，同时随着金刚石刀在硅晶片上划道，使其与硅晶片以及周围的温度升高，导致硅粉发生氧化反应，形成二氧化硅氧化层，影响Mosfet晶圆的切割裂片处理，大大降低了加工精度，提高使用成本。
技术实现思路
[0004]1.要解决的技术问题
[0005]针对现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种mosfet晶圆的激光切割裂片工艺及设备，它可以实现在金刚石刀体划道过程中，带动温度升高，使形变记忆绝磁环体膨胀，绝磁粉末扩散，降低绝磁效果，促使吸附活动球在磁球与磁铁块之间的吸引力下扭转，使吸附口与连接管相对接，同时使形变记忆弹簧收缩拉动活塞运动，抽取硅粉和热气进入到抽气筒内，而金刚石刀体划道运动促使碰撞小球相互碰撞摩擦产生静电，通过静电吸附能力使硅粉进入到吸附活动球内，沾附在超细纤维上，避免对划道造成干扰，同时活塞吹动冷却块上冷气散发配合划道过程中冷却液流动散发的冷气进行降温处理，降低硅粉氧化生成氧化层的可能性，避免对切割裂片造成干扰，提高精度。
[0006]2.技术方案
[0007]为解决上述问题，本专利技术采用如下的技术方案。
[0008]一种mosfet晶圆的激光切割裂片工艺及设备，包括以下步骤：
[0009]S1、准备需要切割裂片的晶圆片，接着打开激光切割机，将晶圆片固定到其划片机构上的操作台面上；
[0010]S2、通过激光切割机驱动划片机构对晶圆片进行划片预处理，形成切割道；
[0011]S3、将划片预处理后的晶圆片固定到切割裂片机构上的操作台面上，然后通过激光切割机驱动其沿着切割道进行切割裂片处理；
[0012]S4、切割裂片结束后，取走切割裂片后的晶圆片，并清理操作台面。
[0013]进一步的，所述S1中的划片机构包括金刚石刀体，所述金刚石刀体的内部为空心设置，所述金刚石刀体的外端套接有吸取框，所述吸取框的内顶端固定连接有左右对称的两个抽气筒，所述抽气筒的下端贯穿吸取框的内底端，并与其外侧相连通，所述抽气筒内滑
动连接有活塞，所述活塞的上端与抽气筒的内顶端之间固定连接有形变记忆弹簧，所述抽气筒与金刚石刀体之间固定连接有连接管，且连接管分别与抽气筒与金刚石刀体的内部相连通，所述金刚石刀体的内侧壁通过轴承和转轴转动连接有吸附活动球，所述转轴上套设有扭簧，所述扭簧的外端与吸附活动球的后端固定连接，所述吸附活动球的内壁之间固定连接有吸附筒，所述吸附筒内设有多个碰撞小球，所述吸附筒的外端固定连接有多个超细纤维，所述吸附活动球的上端和下端均开凿有吸附口，所述吸附活动球的内顶端和内底端均固定连接有左右对称的两个形变记忆绝磁环体，所述形变记忆绝磁环体内固定连接有固定球，所述固定球的内壁之间固定连接有磁球，所述形变记忆绝磁环体的内部填充有绝磁粉末，所述金刚石刀体的左右两端均固定连接有上下对称的两个磁铁块，可以实现当金刚石刀体在晶圆片上划道时，会产生大量热量，带动温度升高，使其内部的形变记忆绝磁环体受热形变膜，进行膨胀，带动绝磁粉末扩散，促使不能有效的隔绝磁球的磁性，而受磁铁块的吸引力影响，带动吸附活动球扭转，使吸附口与连接管相对接，且金刚石刀体的划道运动带动其内部的碰撞小球相互碰撞摩擦，产生静电，且热量传递到吸取框内，带动形变记忆弹簧收缩，拉动活塞向上运动，抽取划道过程中产生的硅粉，并在静电吸附能力作用下，使硅粉经过连接管和吸附口进入到吸附活动球内，沾附在超细纤维上，避免对金刚石刀体的划道造成干扰。
[0014]进一步的，所述金刚石刀体的左右两端均嵌设安装有冷却框，两个所述冷却框的内底端均设有冷却块，两个所述冷却框相互远离的一端均开凿有通口，两个所述通口的内壁均固定连接有橡胶封片，两个所述冷却框相互靠近的一端均安装有单向阀，两个所述抽气筒相互靠近的一端均开凿有吹气口，两个所述吹气口分别位于两个橡胶封片相互远离的一侧，形变记忆弹簧拉动活塞向上运动时，挤压抽气筒内部的空气，使其经过吹气口吹出，通过气体的吹动促使橡胶封片打开，使气体进入到冷却框内，吹动冷却块散发的冷气经单向阀吹出，进行降温。
[0015]进一步的，所述金刚石刀体的内侧壁固定连接有锥形冷却筒，所述锥形冷却筒的内部填充有冷却液，所述锥形冷却筒内设有多个浮球，所述浮球位于冷却液面上，所述浮球内填充有吸热粒子，所述浮球的外端涂刷有导热涂层，所述锥形冷却筒的内侧壁之间固定连接有液体渗透膜，所述锥形冷却筒内设有左右对称的两个回弹板，两个所述回弹板相互远离的一端与锥形冷却筒的内侧壁之间均固定连接有两个伸缩杆，所述伸缩杆的外端套设有伸缩弹簧，所述伸缩弹簧的外端与回弹板靠近伸缩杆的一端固定连接，金刚石刀体的划道运动带动锥形冷却筒内部的冷却液进行流动，加快冷气的散发，而冷却液的流动使浮球发生运动，相互碰撞以及与回弹板碰撞在伸缩杆和伸缩弹簧的作用下反弹回来，加大冷却液的流动性，加块冷气的散发，同时浮球内的吸热粒子能够有效的吸收锥形冷却筒内部的热量，冷气经过液体渗透膜溢出，进行扩散，进一步降温处理，避免划道过程中产生的硅粉在高温环境下与空气中的氧气反应，形成二氧化硅氧化层，对后续的激光切割裂片造成影响，防止对加工精度造成影响。
[0016]进一步的，所述金刚石刀体的内侧壁固定连接有左右对称的两个导流座，两个所述导流座之间固定连接有挤压瓣膜，所述挤压瓣膜的初始状态为收拢状态，所述挤压瓣膜位于吸附活动球的上侧，所述吸附活动球的外端固定连接有多个均匀分布的毛细纤维，随着金刚石刀体内部的空气被加热，向上流动，带动挤压瓣膜开通，而冷气则进行补充降低其
内部的温度，同时部分冷气向上方流动与热空气相互接触中和，进行降温，而随着温度降低，中和后的气体开始凝结成液珠，且慢慢积累下，顺着导流座流下来，从挤压瓣膜处流下来，并在毛细纤维的导流作用下，经过液体渗透膜进入到锥形冷却筒内，进行回收。
[0017]进一步的，所述形变记忆弹簧采用形状记忆合金材料制成，所述形变记忆弹簧的初始状态为延伸状态，所述形变记忆绝磁环体采用高分子形状记忆材料制成，所述形变记忆绝磁环体的初始状态为收缩状态，形状记忆合金和高分子形状记忆材料均具有记忆功能，随着温度升高，形变记忆弹簧发生形变，进行收缩，而形变记忆绝磁环体发生形变，进行膨胀，而随着温度降低，形变记忆弹簧开始慢慢恢复至其初始的延伸状态，且形变记忆绝磁环体也开始恢复至其初本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种mosfet晶圆的激光切割裂片工艺及设备，其特征在于：包括以下步骤：S1、准备需要切割裂片的晶圆片，接着打开激光切割机(1)，将晶圆片固定到其划片机构(2)上的操作台面上；S2、通过激光切割机(1)驱动划片机构(2)对晶圆片进行划片预处理，形成切割道；S3、将划片预处理后的晶圆片固定到切割裂片机构(3)上的操作台面上，然后通过激光切割机(1)驱动其沿着切割道进行切割裂片处理；S4、切割裂片结束后，取走切割裂片后的晶圆片，并清理操作台面。2.根据权利要求1所述的一种mosfet晶圆的激光切割裂片工艺及设备，其特征在于：所述S1中的划片机构(2)包括金刚石刀体(4)，所述金刚石刀体(4)的内部为空心设置，所述金刚石刀体(4)的外端套接有吸取框(5)，所述吸取框(5)的内顶端固定连接有左右对称的两个抽气筒(6)，所述抽气筒(6)的下端贯穿吸取框(5)的内底端，并与其外侧相连通，所述抽气筒(6)内滑动连接有活塞(7)，所述活塞(7)的上端与抽气筒(6)的内顶端之间固定连接有形变记忆弹簧(8)，所述抽气筒(6)与金刚石刀体(4)之间固定连接有连接管(9)，且连接管(9)分别与抽气筒(6)与金刚石刀体(4)的内部相连通，所述金刚石刀体(4)的内侧壁通过轴承和转轴转动连接有吸附活动球(10)，所述转轴上套设有扭簧(11)，所述扭簧(11)的外端与吸附活动球(10)的后端固定连接，所述吸附活动球(10)的内壁之间固定连接有吸附筒(17)，所述吸附筒(17)内设有多个碰撞小球(19)，所述吸附筒(17)的外端固定连接有多个超细纤维(18)，所述吸附活动球(10)的上端和下端均开凿有吸附口(12)，所述吸附活动球(10)的内顶端和内底端均固定连接有左右对称的两个形变记忆绝磁环体(15)，所述形变记忆绝磁环体(15)内固定连接有固定球(13)，所述固定球(13)的内壁之间固定连接有磁球(14)，所述形变记忆绝磁环体(15)的内部填充有绝磁粉末，所述金刚石刀体(4)的左右两端均固定连接有上下对称的两个磁铁块(20)。3.根据权利要求2所述的一种mosfet晶圆的激光切割裂片工艺及设备，其特征在于：所述金刚石刀体(4)的左右两端均嵌设安装有冷却框(21)，两个所述冷却框(21)的内底端均设有冷却块，两个所述冷却框(21)相互远离的一端均开凿有通口，两个所述通口的内壁均固定连接有橡胶封片(22)，两个所述冷却框(21)相互靠近的一端均安装有单向阀(23)，两个所述抽气筒(6)相互靠近的一端均开凿有吹气口，两个所述吹气口分别位于两个...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨磊，钱少杰，王晓民，
申请(专利权)人：苏州海杰兴科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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