本发明专利技术公开了一种ASIC晶圆激光全切装置及使用方法，属于晶圆激光全切技术领域，本方案可以实现对晶圆激光全切时，将晶圆片放置在切割平台内底端，吸气机进行抽气工作，通过负压原理将晶圆片吸附在切割平台表面，在传输板滑动至支撑框架下侧时，电动伸缩杆向下移动，打开投放孔，电动伸缩杆内的球形膜掉落在晶圆片表面，传输板再滑动至激光切割机下侧，激光切割机对晶圆片进行切割，切割过程中球形膜因切割时的温度影响受热分解，使得冷却液和四氧化三铁被吸附进晶圆片的切割后的切割缝隙之间，使晶圆片不易产生偏移，同时散落在切割缝隙间的冷却液和四氧化三铁对晶圆片切割后产生的热量进行吸收，对其进行降温处理。对其进行降温处理。对其进行降温处理。
【技术实现步骤摘要】
一种ASIC晶圆激光全切装置及使用方法
[0001]本专利技术涉及晶圆激光全切
，更具体地说，涉及一种ASIC晶圆激光全切装置及使用方法。
技术介绍
[0002]硅晶圆：晶圆便是硅元素加以纯化，接着是将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。
[0003]目前在ASIC晶圆激光切割过程中，可能会出现在切割时，晶圆片因切割产生偏移，致使后续的切割位置不准确导致晶圆片材料的浪费，同时在晶圆片切割会产生大量的热量，热量附在晶圆片表面不易散去，可能会造成危害。
技术实现思路
[0004]1.要解决的技术问题
[0005]针对现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种ASIC晶圆激光全切装置及使用方法，它可以实现在本装置需要对晶圆激光全切时，将晶圆片放置在切割平台内底端，吸气机进行抽气工作，通过负压原理将晶圆片吸附在切割平台表面，对晶圆片定位，在传输板滑动至支撑框架下侧且位置相互吻合时，电动伸缩杆向下移动，使投放圆柱与切割平台表面相接触，同时投放孔打开，电动伸缩杆内的球形膜掉落在晶圆片表面，传输板再滑动至激光切割机下侧，激光切割机对晶圆片进行切割，切割过程中球形膜因切割时的温度影响受热分解，使得冷却液和四氧化三铁被吸附进晶圆片的切割后的切割缝隙之间，切割后的晶圆片在切割平台内放置的更加稳定，不易产生偏移，同时散落在切割缝隙间的冷却液和四氧化三铁对晶圆片切割后产生的热量进行吸收，对其进行降温处理。
[0006]2.技术方案
[0007]为解决上述问题，本专利技术采用如下的技术方案。
[0008]一种ASIC晶圆激光全切装置及使用方法，包括工作平台，所述工作平台下端固定连接有两个支撑底座，所述工作平台上端开凿有两个相对称的第一滑动轨道，所述第一滑动轨道内滑动连接有多个均匀分布的传输板，所述工作平台外端安装有激光切割控制箱，所述工作平台下端安装有吸气机，所述吸气机与传输板之间嵌设安装有通气软管，所述传输板上端设有切割平台，所述切割平台下端固定连接有套环，所述套环与传输板相接触，所述切割平台内底端开凿有多个均匀分布的透气孔，所述切割平台内壁固定连接有限位环，所述工作平台上端固定连接有第二滑动轨道，所述第二滑动轨道位于第一滑动轨道右侧，所述第二滑动轨道外端设有投放装置，所述第二滑动轨道外端滑动连接有激光切割机，在本装置需要对晶圆激光全切时，将晶圆片放置在切割平台内底端，启动吸气机，使吸气机进行抽气工作，通过负压原理将晶圆片吸附在切割平台表面，完成对晶圆片的固定将其定位，方便后期切割的稳定性，且对后期切割时产生的温度也有一定的降温效果，同时再通过控
制激光切割控制箱进行调节设定好激光切割的数值，而在后期切割的过程中，因切割产生的温度，致使限位环受热进行延长，对晶圆片进行限位，使其不易在切割过程中造成偏移。
[0009]进一步的，所述投放装置包括与第二滑动轨道外端滑动连接的支撑框架，所述支撑框架位于激光切割机左侧，所述支撑框架外端插设有电动伸缩杆，所述电动伸缩杆内壁之间螺纹连接有堵盖，所述堵盖位于电动伸缩杆上端，所述电动伸缩杆内设有散热装置，所述电动伸缩杆下端固定连接有投放圆柱，所述投放圆柱外端开凿有多个均匀分布的投放孔，所述投放孔内壁之间安装有一对相互抵紧的闭合门板，在传输板滑动至支撑框架下侧且位置相互吻合时，电动伸缩杆向下移动，使投放圆柱与切割平台表面相接触，同时投放孔打开，电动伸缩杆内的球形膜均匀分布的掉落在晶圆片需要切割的切割线之间，使得在后期进行切割的过程中不易造成影响。
[0010]进一步的，所述散热装置包括电动伸缩杆内填充的多个均匀分布的球形膜，所述球形膜内填充有冷却液和四氧化三铁，所述冷却液和四氧化三铁相互接触，在球形膜均匀分布的掉落在需要切割的切割线之间时，传输板滑动至激光切割机下侧，激光切割机对晶圆片进行切割，切割过程中球形膜因切割时的温度影响，致使受热分解融化，其内的冷却液和四氧化三铁通过吸气机不断持续的抽气，使得冷却液和四氧化三铁被吸附进晶圆片的切割后的切割缝隙之间，切割后的晶圆片在切割平台内放置的更加稳定，不易产生偏移，同时散落在切割缝隙冷却液和四氧化三铁对晶圆片切割后产生的热量进行吸收，对其进行降温处理，防止晶圆片表面温度过高。
[0011]进一步的，所述第一滑动轨道内底端开凿有多个均匀分布的球形槽，所述球形槽内转动连接有滚珠，所述滚珠与传输板相接触，通过设置球形槽和滚珠，可以使传输板在第一滑动轨道内滑动的更加流畅，不易造成卡顿，从而提高工作效率。
[0012]进一步的，所述吸气机外端插设有金属框架，所述金属框架内设有防潮滤网，所述金属框架位于靠近地面的一端，通过设置金属框架和防潮滤网，可以使吸气机长时间在地面放置时，防潮滤网将地面产生的潮湿气进行隔绝，使得吸气机不易受潮，保护了吸气机内部的电器设备不受其影响，提高吸气机使用寿命。
[0013]进一步的，所述传输板表面粘接有橡胶层，所述橡胶层表面设有多个均匀分布的摩擦颗粒，所述摩擦颗粒位于通气软管外侧，通过设置橡胶层和摩擦颗粒，可以使切割平台放置在传输板表面时，橡胶层和摩擦颗粒增大了切割平台在其表面的摩擦阻力，使得切割平台不易产生滑动，同时因表面的摩擦颗粒，使得摩擦时产生的损耗也大大降低。
[0014]进一步的，所述球形膜的直径小于投放孔的直径，且投放孔内壁设有抛光层，因球形膜的直径小于投放孔，所以在球形膜更加便于的滑动至投放孔，同时因其内壁设有抛光层，使得球形膜在投放孔滑动的更加流畅，更加快速通过投放孔掉落在晶圆片上。
[0015]进一步的，所述限位环采用形变记忆合金材料制成，且初始状态为压缩形态，通过设置形变记忆合金，可以使限位环能够更好的受热进行延展变形对晶圆片进行限位，同时在温度降低后再次回复原状态。
[0016]进一步的，所述投放圆柱的外圆周面与切割平台的外圆周面相匹配，通过设置相匹配的直径，可以使投放圆柱与切割平台接触时，电动伸缩杆内的球形膜能更准确的落在晶圆片需要切割的切割线之间，对后期的切割不易造成影响。
[0017]一种ASIC晶圆激光全切装置及使用方法，包括以下步骤：
[0018]S1、将晶圆片置于切割平台中，并打开吸气机，将晶圆片进行定位；
[0019]S2、在传输板带动着晶圆片滑动至投放圆柱时，投放圆柱将球形膜投放至晶圆片表面；
[0020]S3、当球形膜投放至晶圆片表面时，通过吸气机逐渐被吸附进切割后的切割缝隙中，对晶圆片进行降温冷却以及对其定位。
[0021]3.有益效果
[0022]相比于现有技术，本专利技术的优点在于：
[0023]本方案可以实现在本装置需要对晶圆激光全切时，将晶圆片放置在切割平台内底端，吸气机进行抽气工作，通过负压原理将晶圆片吸附在切割平台表面，对晶圆片定位，在传输板滑动至支撑框架下侧且位置相互吻合时，电动伸缩杆向下移动，使投放圆柱与切割平台表面相接触，同本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种ASIC晶圆激光全切装置，包括工作平台(1)，其特征在于：所述工作平台(1)下端固定连接有两个支撑底座(2)，所述工作平台(1)上端开凿有两个相对称的第一滑动轨道(3)，所述第一滑动轨道(3)内滑动连接有多个均匀分布的传输板(4)，所述工作平台(1)外端安装有激光切割控制箱(5)，所述工作平台(1)下端安装有吸气机(6)，所述吸气机(6)与传输板(4)之间嵌设安装有通气软管(7)，所述传输板(4)上端设有切割平台(8)，所述切割平台(8)下端固定连接有套环(9)，所述套环(9)与传输板(4)相接触，所述切割平台(8)内底端开凿有多个均匀分布的透气孔(10)，所述切割平台(8)内壁固定连接有限位环(11)，所述工作平台(1)上端固定连接有第二滑动轨道(12)，所述第二滑动轨道(12)位于第一滑动轨道(3)右侧，所述第二滑动轨道(12)外端设有投放装置，所述第二滑动轨道(12)外端滑动连接有激光切割机(13)。2.根据权利要求1所述的一种ASIC晶圆激光全切装置，其特征在于：所述投放装置包括与第二滑动轨道(12)外端滑动连接的支撑框架(14)，所述支撑框架(14)位于激光切割机(13)左侧，所述支撑框架(14)外端插设有电动伸缩杆(15)，所述电动伸缩杆(15)内壁之间螺纹连接有堵盖(16)，所述堵盖(16)位于电动伸缩杆(15)上端，所述电动伸缩杆(15)内设有散热装置，所述电动伸缩杆(15)下端固定连接有投放圆柱(18)，所述投放圆柱(18)外端开凿有多个均匀分布的投放孔(19)，所述投放孔(19)内壁之间安装有一对相互抵紧的闭合门板(20)。3.根据权利要求2所述的一种ASIC晶圆激光全切装置，其特征在于：所述散热装置包括电动伸缩杆(15)内填充的多个均匀分布的球形膜(17...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙大海，钱少杰，王晓民，
申请(专利权)人：苏州海杰兴科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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