杂质吸附剂、制备方法及利用该吸附剂提纯三甲基铝的方法技术

本发明专利技术涉及电子工业原料的提纯领域，尤其涉及杂质吸附剂、制备方法及利用该吸附剂提纯三甲基铝的方法，所述杂质吸附剂，包括硅胶粉主体；所述硅胶粉主体的外部包覆有聚多巴胺层；所述聚多巴胺层的外部接枝连接有聚合物链段；所述聚合物链段中存在含有氮原子杂环基团。本发明专利技术通过物理吸附以及化学配位吸附联用的手段，有效提升了对于三甲基铝中金属离子杂质的吸附效果，能够将三甲基铝中ppm级别的金属离子降低至ppb级别。同时，本发明专利技术中三甲基铝的提纯方法较为简单，其仅仅只需要将三甲基铝经过简单的精馏，即可将三甲基铝中的金属离子杂质除去。杂质除去。杂质除去。

【技术实现步骤摘要】
杂质吸附剂、制备方法及利用该吸附剂提纯三甲基铝的方法


[0001]本专利技术涉及电子工业原料的提纯领域，尤其涉及杂质吸附剂、制备方法及利用该吸附剂提纯三甲基铝的方法。

技术介绍

[0002]电子级三甲基铝是化合物半导体沉积的铝源，广泛的应用于化合物半导体薄膜材料生产中，也可以用来生产激光二极管、晶体管、发光二极管和高效率太阳能电池等电子产品中，以及用于硅半导体产业化学气相沉积过程中。随着半导体制程精度的提升，半导体工业中对于原料的纯度要求越来越高。
[0003]电子级三甲基铝中常见的杂质包括颗粒污染物、金属离子以及化学物质。其中金属离子对于掺杂源而言影响最大。痕量级别的金属离子即可对最终的半导体元件产生重大的影响，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。
[0004]现有技术中，对于三甲基铝的提纯可以参考以下专利申请号为CN201510193873.3的一种高纯三甲基铝的制备方法；申请号为CN201810125186.1的一种三甲基铝精制的方法。
[0005]上述专利文本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.杂质吸附剂，其特征在于，包括硅胶粉主体；所述硅胶粉主体的外部包覆有聚多巴胺层；所述聚多巴胺层的外部接枝连接有聚合物链段；所述聚合物链段中存在含有氮原子杂环基团。2.根据权利要求1所述的杂质吸附剂，其特征在于，所述聚合物链段中包含有聚乙二醇结构、聚硅氧烷结构中的任意一种或两种的组合。3.根据权利要求2所述的杂质吸附剂，其特征在于，所述聚合物接枝链段呈支化或者超支化结构。4.根据权利要求3所述的杂质吸附剂，其特征在于，所述杂环基团位于聚合物接枝链段的端基处。5.根据权利要求1~4中任意一项所述的杂质吸附剂，其特征在于，所述杂环基团为吡啶基、吡咯基、吡唑基、哌啶基、咪唑基、嘧啶基中的任意一种或多种的组合。6.如权利要求1~5中任意一项所述杂质吸附剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在硅胶粉表面包覆聚多巴胺层；（2）将含有氮原子杂环基团的聚合物链段接枝于上述硅胶粉表面，即得所述杂质吸附剂。7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵毅，刘颖，裴凯，毕聪智，
申请(专利权)人：大连科利德光电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：