一种可控高质量W-Cu复合粉体的规模化制备方法技术

技术编号:34399045 阅读:21 留言:0更新日期:2022-08-03 21:36
本发明专利技术涉及W

【技术实现步骤摘要】
一种可控高质量W

Cu复合粉体的规模化制备方法


[0001]本专利技术涉及W

Cu复合粉体制备
,尤其涉及一种可控高质量 W

Cu复合粉体的规模化制备方法。

技术介绍

[0002]目前,作为典型的金属发汗材料,W

Cu复合粉体具有W的高强度、高硬度、低热膨胀系数、良好耐电弧性以及Cu的高导电性和导热性等综合特性,因此在热学、电学和力学性能上表现突出,被广泛应用于电气工业、电子工业、航空航天和军事等领域。为了发挥W

Cu复合材料的整体性能,理想的微观结构应为均匀且致密的Cu网络状包覆着W颗粒。通常,W

Cu复合材料通过熔渗法进行制备,但熔渗法存在工艺复杂、成分不均匀和生产周期长等问题。因此,现阶段大部分研究人员和企业考虑通过粉末冶金方法制备W

Cu 复合材料。但是,由于W与Cu之间不互溶且润湿性差,导致采用常规粉体制备方法(机械合金化和混粉)获得的W

Cu复合粉体在烧结过程中存在烧结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高质量W

Cu复合粉体的规模化制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:混合料浆制备将偏钨酸铵充分溶解在水中后倒入反应釜中,然后加入硝酸铜溶液,加热、电动搅拌一段时间后,再加入草酸溶液,混合溶液经过超声波分散,充分反应一段时间即可;步骤2:喷雾干燥制备前驱体将步骤1获得的混合料浆倒入接料桶中,充分反应的浆料由恒流蠕动泵送至干燥塔顶部的离心雾化器中,雾化器的转速是20000

24000r/min,料浆在离心力的作用下形成细小的雾群,与热空气接触后迅速干燥成W

Cu前驱体;步骤3:氢气还原将步骤2获得的W

Cu前驱体盛装到烧舟中,缓慢推入氢气还原炉中进行还原,还原的最高温度为850

950℃,保温时间为2

5h,氢气流量为5

10m3/h,为了使多余的草酸和残留的复合盐充分挥发,装有W

Cu前驱体的烧舟从室温推到最高温度的时间为5

8h,还原后经冷却区降室温。2.根据权利要求1所述的一种高质量W

Cu复合粉体的规模化制备方法,其特征在于:在步骤1中,所述偏钨酸铵的纯度≥99.95%。3.根据权利要求1所述的一种高质量W

Cu复合粉体的规模化制备方法,其特征在于:在步...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗来马许皖南丁希鹏吴玉程昝祥
申请(专利权)人:合肥工业大学
类型:发明
国别省市:

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