量子点的无损光刻图案化方法和设备技术

本发明专利技术提供了一种量子点的无损光刻图案化方法和设备，包括：将量子点与含有双吖丙啶基团的光敏交联剂的混合溶液制成薄膜；将所述薄膜置于紫外光照下，并借助于光掩膜版使所述薄膜接受所述紫外光照射的曝光区域发生交联反应；采用预设溶剂清洗所述薄膜，以洗脱除去所述薄膜的未曝光区域进行显影，得到图案化的量子点薄膜。本发明专利技术利用光敏交联剂的光分解反应对量子点的表面配体进行交联，避免了复杂光刻胶的引入，实现量子点光致图案化，可兼容于目前广泛应用的不同紫外波长的光刻机系统，易于推广实施。于推广实施。于推广实施。

【技术实现步骤摘要】
量子点的无损光刻图案化方法和设备


[0001]本专利技术涉及显示领域，更为具体地，涉及一种量子点的无损光刻图案化方法和设备。

技术介绍

[0002]基于量子限域效应，量子点具有宽带吸收、窄带发射且峰位连续可调等优异的发光性质。同时量子点具有溶液可加工性，这样就避免了高昂的真空设备的使用，从而使得量子点在显示照明、太阳能电池以及光电探测等领域的大规模量产具有实际意义。量子点的图案化就是将溶液态的量子点实现像素化，是将量子点变为成型的光电器件乃至变成商业化产品的必经之路。
[0003]现有的可以实现量子点的图案化的方案，一般采用传统光刻胶，但是光刻胶的引入会降低量子点本身的发光性质，因此亟需一种新型且无损的量子点图案化方法。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本专利技术的目的是提供一种无损量子点发光性质的量子点的无损光刻图案化方法和设备，利用光敏交联剂的光分解反应对量子点的表面配体进行交联，避免复杂光刻胶的引入，实现量子点光致图案化。
[0005]根据本专利技术的一个方面，提供了一种量子点的无损光刻图案化方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点的无损光刻图案化方法，包括：将量子点与含有双吖丙啶基团的光敏交联剂的混合溶液制成薄膜；将所述薄膜置于紫外光照下，并借助于光掩膜版使所述薄膜接受所述紫外光照射的曝光区域发生交联反应；采用预设溶剂清洗所述薄膜，以洗脱除去所述薄膜的未曝光区域进行显影，得到图案化的量子点薄膜。2.如权利要求1所述的量子点的无损光刻图案化方法，其中，所述光敏交联剂的光敏交联分子中含有至少两个双吖丙啶基团，所述双吖丙啶基团的通式如下：其中，X为使得含有所述双吖丙啶基团的化合物脱去氮气得到的卡宾中间体稳定且能够实现插入反应的化合物；R为含有烃基、酯基、酰胺键、苯环、醚键的任意官能团；n≥2；并且，在200～500nm紫外光照下，所述光敏交联分子中的双吖丙啶基团的摩尔消光系数大于1cm
‑1M
‑1。3.如权利要求2所述的量子点的无损光刻图案化方法，其中，X为Cl、H、CH3、CF3、PhCF3、F、OCH3中的任意官能团，n＝2、3或4。4.如权利要求2所述的量子点的无损光刻图案化方法，其中，所述光敏交联分子中的双吖丙啶基团的摩尔消光系数大于100cm
‑1M
‑1。5.如权利要求2所述的量子点的无损光刻图案化方法，其中，含有所述双吖丙啶基团的光敏交联分子的结构通式为：其中，R为含有烃基、酯基、酰胺键、苯环、醚键的任意官能团，n≥2。6.如权利要求5所述的量子点的无损光刻图案化方法，其中，所述光敏交联分子为含有两个双吖丙啶的分子：或者，所述光敏交联分子为含有三个双吖丙啶的分子：
或者，所述光敏交联分子为含有四个双吖丙啶的分子：7.如权利要求4所述的量子点的无损光刻图案化方法，其中，所述光敏交联分子为自身没有烷基碳氢键的光敏交联分子。8.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：张昊，李景虹，卢少勇，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：