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本发明提供了一种量子点的无损光刻图案化方法和设备，包括：将量子点与含有双吖丙啶基团的光敏交联剂的混合溶液制成薄膜；将所述薄膜置于紫外光照下，并借助于光掩膜版使所述薄膜接受所述紫外光照射的曝光区域发生交联反应；采用预设溶剂清洗所述薄膜，以洗脱...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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