研磨用组合物及硅晶片的研磨方法技术

本发明专利技术提供一种能够进一步降低研磨后的半导体晶片的微小缺陷及雾度、且使半导体晶片亲水化的能力良好的研磨用组合物。本发明专利技术的研磨用组合物包含：研磨粒；碱性化合物；以及水溶性高分子，其是在具有下述通式(A)所示的1,2

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】研磨用组合物及硅晶片的研磨方法


[0001]本专利技术涉及研磨用组合物及硅晶片的研磨方法。

技术介绍

[0002]利用CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械研磨)进行半导体晶片的研磨时，通过进行3阶段或4阶段的多阶段研磨来实现高精度的平滑化、平坦化。最终阶段进行的精研磨工序的主要目的在于降低微小缺陷及雾度(表面起雾)。
[0003]半导体晶片的精研磨工序中使用的研磨用组合物通常含有羟乙基纤维素(HEC)等水溶性高分子。水溶性高分子具有使半导体晶片表面亲水化的作用，抑制因研磨粒附着于表面、过度化学蚀刻、研磨粒凝聚等而对半导体晶片造成的损伤。已知由此能够降低微小缺陷及雾度。
[0004]HEC以天然原料的纤维素作为原料，因此有时包含源自纤维素的水不溶性杂质。因此，含有HEC的研磨用组合物中，有时因该杂质的影响而产生微小缺陷。另外，HEC经常使用分子量为数十万至百万左右的HEC，但分子量越高，越容易引起过滤器的堵塞，对于孔径较小的过滤器，难以使液体通过。因此，在使用分子量较大的水溶性高分子的情形时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种研磨用组合物，其包含：研磨粒；碱性化合物；以及水溶性高分子，其是在具有下述通式(A)所示的1,2
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二醇结构单元的乙烯醇系树脂上聚合乙烯基吡咯烷酮而成的共聚物，其中，R1、R2及R3分别独立地表示氢原子或有机基团，X表示单键或键合链，R4、R5及R6分别独立地表示氢原子或有机基团。2.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述水溶性高分子是在具有1,2
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二醇结构单元的乙烯醇系树脂上接枝聚合乙烯基吡咯烷酮而得到的接枝共聚物，所述具有1,2
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二醇结构单元的乙烯醇系树脂的聚合度为200～800，在25℃下...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉田规章，
申请(专利权)人：霓达杜邦股份有限公司，
类型：发明
国别省市：