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本发明提供一种能够进一步降低研磨后的半导体晶片的微小缺陷及雾度、且使半导体晶片亲水化的能力良好的研磨用组合物。本发明的研磨用组合物包含：研磨粒；碱性化合物；以及水溶性高分子，其是在具有下述通式(A)所示的1,2
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该专利属于霓达杜邦股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过霓达杜邦股份有限公司授权不得商用。

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