含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置制造方法及图纸

本申请涉及有机电致发光材料技术领域，提供一种含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置。本申请的含氮化合物包含四甲基环己烷并咔唑和三芳胺基团，将该含氮化合物用做有机电致发光器件的主体材料或空穴调整层时，可以显著提高器件的发光效率和寿命。可以显著提高器件的发光效率和寿命。可以显著提高器件的发光效率和寿命。

Nitrogen containing compounds and organic electroluminescent devices and electronic devices

【技术实现步骤摘要】
含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置


[0001]本申请涉及有机电致发光材料
，尤其涉及含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置。

技术介绍

[0002]随着电子技术的发展和材料科学的进步，用于实现电致发光或者光电转化的电子元器件的应用范围越来越广泛。有机电致发光器件(OLED)通常包括：相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括有机发光层、空穴传输层、电子传输层等。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向电致发光层移动，阳极侧的空穴也向发光层移动，电子和空穴在电致发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，进而使得电致发光层对外发光。
[0003]现有的有机电致发光器件中，最主要的问题体现在寿命和效率，随着显示器的大面积化，驱动电压也随之提高，发光效率及电流效率也需要提高，因此，有必要继续研发新型的材料，以进一步提高有机电致发光器件的性能。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的上述问题，本申请的目的在于提供一种含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置，该含氮化合物用于有机电致发光器件中，可以提高器件的性能。
[0005]根据本申请的第一方面，提供一种含氮化合物，所述含氮化合物具有由式1所示的结构：
[0006][0007]其中，环A选自苯环、萘环、蒽环或菲环；
[0008]L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0009]Ar选自碳原子数为6～12的取代或未取代的芳基；
[0010]L选自碳原子数为6～12的取代或未取代的亚芳基；
[0011]L和Ar上的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的氘代烷基、碳原子数为1～4的卤代烷基、三甲基硅基或苯基；
[0012]Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6～40的取代或未取代的芳
基、碳原子数为3～40的取代或未取代的杂芳基；
[0013]n1表示R1的个数，且选自0、1或2，n2表示R2的个数，且选自0、1、2、3、4、5、6或7；
[0014]各R1、R2以及L1、L2、Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基、碳原子数为6～20的芳氧基或碳原子数为6～20的芳硫基；任选地，Ar1、Ar2中，连接在相同原子上的两个取代基形成饱和或不饱和的3～15元环。
[0015]根据本申请的第二方面，提供一种有机电致发光器件，包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；所述功能层包含上述的含氮化合物。
[0016]根据本申请的第三方面，提供了一种电子装置，包括第二方面所述的有机电致发光器件。
[0017]本申请化合物结构中包含四甲基环己烷并咔唑
‑
三芳胺的结构，该咔唑类基团具有优异的空穴传输能力，四甲基环己烷的结构能够通过超共轭效应进一步增强咔唑基团的空穴传输能力，赋予本申请化合物优异的空穴传输能力。此外，四个甲基在空间构型上是处于咔唑基团共轭平面之外，形成一定的空间位阻，可以对化合物分子间堆积进行精细的调控，使得化合物形成较好的无定型态薄膜。将本申请化合物作为主体材料可以改善发光层中载流子平衡，拓宽载流子复合区域，提高激子生成和利用效率，将本申请化合物作为空穴调整层时，可以促进空穴和电子在发光层中的结合，进而提高激子生成和利用效率，提高器件发光效率和寿命。
附图说明
[0018]附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。
[0019]图1是本申请一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
[0020]图2是本申请一种实施方式的电子装置的结构示意图。
[0021]附图标记
[0022]100、阳极
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200、阴极
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300、功能层
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310、空穴注入层
[0023]321、空穴传输层
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322、空穴调整层
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330、有机发光层
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340、电子传输层
[0024]350、电子注入层
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400、电子装置
具体实施方式
[0025]现在将参考附图更全面地描述示例性实施方式。然而，示例性实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本申请将更加全面和完整，并将示例性实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多个实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施方式的充分理解。
[0026]第一方面，本申请提供一种含氮化合物，所述含氮化合物具有由式1所示的结构：
[0027][0028]其中，连接于中任意碳原子上；
[0029]环A选自苯环、萘环、蒽环或菲环；
[0030]L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0031]Ar选自碳原子数为6～12的取代或未取代的芳基；
[0032]L选自碳原子数为6～12的取代或未取代的亚芳基；
[0033]L和Ar上的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的氘代烷基、碳原子数为1～4的卤代烷基、三甲基硅基或苯基；
[0034]Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～40的取代或未取代的杂芳基；
[0035]n1表示R1的个数，且选自0、1或2，n2表示R2的个数，且选自0、1、2、3、4、5、6或7；
[0036]各R1、R2以及L1、L2、Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基、碳原子数为6～20本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.含氮化合物，其特征在于，所述含氮化合物具有由式1所示结构：其中，环A选自苯环、萘环、蒽环或菲环；L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；Ar选自碳原子数为6～12的取代或未取代的芳基；L选自单键、碳原子数为6～12的取代或未取代的亚芳基；L和Ar上的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的氘代烷基、碳原子数为1～4的卤代烷基、三甲基硅基或苯基；Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～40的取代或未取代的杂芳基；n1表示R1的个数，且选自0、1或2，n2表示R2的个数，且选自0、1、2、3、4、5、6或7；各R1、R2以及L1、L2、Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基、碳原子数为6～20的芳氧基或碳原子数为6～20的芳硫基；任选地，Ar1、Ar2中，连接在相同原子上的两个取代基形成饱和或不饱和的3～15元环。2.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，式1所示化合物具有式1
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1或1
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2所示结构：3.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，式1中的选自以下结构：4.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，Ar选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基；可选地，Ar中的取代基各自独立地选自氘、氰基、氟、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁
基、叔丁基、三氟甲基、三氘代甲基或苯基。5.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，Ar选自如下基团：6.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，L选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基；可选地，L...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐先彬，杨雷，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：