指纹识别显示面板及其制备方法技术

技术编号:34375041 阅读:63 留言:0更新日期:2022-07-31 13:03
本申请实施例提供的指纹识别显示面板及其制备方法中,包括依次层叠设置的基板、阵列层以及有机发光二极管层,其中,阵列层中集成有用于指纹识别的指纹模组。当需要进行指纹识别时,手指会按压指纹识别显示面板,从而将有机发光二极管层发射出的光线反射至集成在阵列层中的指纹模组,进而可以通过识别手指谷和脊的对光的反射差异来实现指纹识别功能。指纹模组集成在阵列层中,不仅不影响指纹识别功能识别的实现,还可以降低指纹识别显示面板的厚度,并且能够实现全面指纹识别,从而提升指纹识别显示面板的市场竞争力。识别显示面板的市场竞争力。识别显示面板的市场竞争力。

Fingerprint identification display panel and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
指纹识别显示面板及其制备方法


[0001]本申请涉及显示
,具体涉及一种指纹识别显示面板及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来,随着科技的发展,具有生物识别功能的电子产品逐渐进入人们的生活工作中。指纹由于具有唯一性和不变性,可以用于个人身份鉴别,因而指纹识别技术备受人们重视。随着指纹识别技术的发展,使其在诸多领域得到广泛的应用。如电子设备终端中的手机、平板电脑和电视等、安全防护系统中的门禁和保险柜等。
[0003]一般来说,指纹识别技术的实现方式主要有光学式、电容式和超声成像式等。其中光学式和超声波式指纹识别分别利用光电转换、声电转换来实现手指脊和谷成像,而电容式指纹识别则是基于手指脊与谷之间的电容差异来实现成像。其中,现有的指纹模组通常设置在显示屏幕下方,该模组可以接收OLED显示光源经手指反射后的光量,通过识别手指谷和脊的对光的反射差异来实现指纹识别功能。但是由于指纹模组需要单独制作在显示屏幕背面,不仅会增加产品的成本,还会造成产品厚度增加,且不利于全面指纹识别功能实现。
[0004]因此,如何提供一种指纹识别显本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种指纹识别显示面板,其特征在于,包括:基板;阵列层,所述阵列层设置在所述基板上,其中,所述阵列层中集成有指纹模组,所述指纹模组用于实现指纹识别功能;有机发光二极管层,所述有机发光二极管层设置在所述阵列层远离所述基板的一面上。2.根据权利要求1所述的指纹识别显示面板,其特征在于,所述指纹模组包括光学指纹传感器以及指纹驱动薄膜晶体管,所述光学指纹传感器与所述指纹驱动薄膜晶体管电连接。3.根据权利要求2所述的指纹识别显示面板,其特征在于,所述光学指纹传感器包括下电极、绝缘层、第一半导体层、透明电极层、保护层以及上电极层;其中,所述绝缘层设置在所述下电极层上,且覆盖所述下电极层,所述第一半导体层设置在所述绝缘层远离所述下电极层的一面上,所述透明电极层设置在所述第一半导体层远离所述下电极层的一面上,所述保护层设置在所述透明电极层远离所述下电极层的一面上,且覆盖所述透明电极层以及所述第一半导体层,所述上电极层设置在所述保护层远离所述下电极层的一面上,所述保护层上设置有第一过孔以及第二过孔,所述第一过孔贯穿所述保护层至所述透明电极层,所述第二过孔依次贯穿所述保护层以及所述绝缘层,所述上电极层经所述第一过孔与所述透明电极层连接,且所述上电极层经所述第二过孔与所述下电极层连接。4.根据权利要求2所述的指纹识别显示面板,其特征在于,所述指纹驱动薄膜晶体管包括第二半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层以及第一源漏极层,所述第一栅极绝缘层设置在所述第二半导体层上,且覆盖所述第二半导体层,所述第一栅极层设置在所述第一栅极绝缘层远离所述第二半导体层的一面上,所述第二栅极绝缘层设置在所述第一栅极层远离所述第二半导体层的一面上,且覆盖所述第一栅极层,所述第一源漏极层设置在所述第二栅极绝缘层远离所述第二半导体层的一面上,且所述第一源漏极层依次贯穿所述保护层、所述绝缘层、所述第二栅极绝缘层以及所述第一栅极绝缘层与所述第二半导体层连接,所述第一源漏极层与所述上电极层连接。5.根据权利要求4所述的指纹识别显示面板,其特征在于,所述第一源漏极层与所述上电极层同层设置。6.根据权利要求4所述的指纹识别显示面板,其特征在于,所述阵列层还包括显示驱动薄膜晶体管,所述显示驱动薄膜晶体管包括第三半导体层、第二栅极层、第三栅极层、层间绝缘层以及第二源漏极层;其中,所述第一栅极绝缘层设置在所述第三半导体层上,且覆盖所述第三半导体层,所述第二栅极层设置在所述第一栅极绝缘层远离所述第三半导体层的一面上,所述第二栅极绝缘层设置在所述第二栅极层远离所述第三半导体层的一面上,且所述第二栅极绝缘层覆盖所述第二栅极层,所述第三栅极层设置在所述第二栅极绝缘层远离所述第三半导体层的一面上,所述层间绝缘层设置在所述第三栅极层远离所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:黎文波方亮
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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