晶圆的虚拟打墨方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆的虚拟打墨方法，首先基于晶圆的不良晶粒的数量和分布方式判断晶圆是否需要进行针对晶圆测试的虚拟打墨，若是，则分析晶圆的失效来源，当无法分析出晶圆的失效来源时，对每个不良晶粒周围的至少部分晶粒均进行虚拟打墨，当分析出晶圆的失效来源时，基于晶圆的失效来源对晶圆划分子区域，并基于不良晶粒的分布方式对至少部分子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨。本发明专利技术不需要人工参与，虚拟打墨的规则统一，避免人工操作的差异和误操作，提高了虚拟打墨的效率。提高了虚拟打墨的效率。提高了虚拟打墨的效率。

Virtual inking method of wafer

【技术实现步骤摘要】
晶圆的虚拟打墨方法


[0001]本专利技术涉及集成电路制造
，尤其涉及一种晶圆的虚拟打墨方法。

技术介绍

[0002]一般集成电路制程可依序区分为晶圆制造阶段、芯片测试阶段以及芯片封装阶段，而随着目前电子产品讲究轻薄短小，因此现阶段的封装技术为了降低封装体积并改善集成电路效能，已逐渐趋向于覆晶封装、多芯片模块等高阶封装技术，然而这些高阶封装方式的成本高昂，因此最好能够在封装前即针对晶圆进行晶圆测试(CP测试)，以在后段封装制程前将晶圆上的不良晶粒剔除，节省不必要的封装成本。
[0003]晶圆进行晶圆测试之后，往往需要在晶圆上进行虚拟打墨以标记出不良晶粒的位置，然而为了提高产能，目前的晶圆测试通常不是全测，而是抽测，对于晶圆上未进行测试的晶粒，通常默认是合格晶粒，这种情况只能适用于晶圆上没有聚类的不良晶粒的情况，一旦晶圆上具有聚类的不良晶粒，则聚类的不良晶粒周围的晶粒极大可能都是不良晶粒，如果默认为合格晶粒直接送封，会导致浪费封装成本上升，成品良率降低。此外，对于车规、军规等高要求的产品，即使晶圆测试是全测的，聚类的不良晶粒周围的晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的虚拟打墨方法，其特征在于，包括：对晶圆进行晶圆测试，并基于所述晶圆的不良晶粒的数量和分布方式判断所述晶圆是否需要进行针对所述晶圆测试的虚拟打墨；当判定所述晶圆需要进行针对所述晶圆测试的虚拟打墨时，分析所述晶圆的失效来源；以及，当无法分析出所述晶圆的失效来源时，对每个所述不良晶粒周围的至少部分晶粒进行虚拟打墨，当分析出所述晶圆的失效来源时，基于所述晶圆的失效来源对所述晶圆划分子区域，并基于所述不良晶粒的分布方式对至少部分所述子区域中的所有晶粒整体进行虚拟打墨。2.如权利要求1所述的晶圆的虚拟打墨方法，其特征在于，所述晶圆包括中心区域及围绕所述中心区域的边缘区域，基于所述晶圆的不良晶粒的数量和分布方式判定所述晶圆是否需要进行虚拟打墨的步骤包括：分别获取所述中心区域和所述边缘区域的晶粒良率，并判断所述中心区域的晶粒良率是否小于第一阈值及所述边缘区域的晶粒良率是否小于第二阈值；当判定所述中心区域的晶粒良率小于所述第一阈值和/或所述边缘区域的晶粒良率小于所述第二阈值时，判断所述不良晶粒是否满足预定的聚类规则；以及，当判定所述不良晶粒满足所述聚类规则时，判定所述晶圆需要进行针对所述晶圆测试的虚拟打墨。3.如权利要求2所述的晶圆的虚拟打墨方法，其特征在于，所述聚类规则包括在大于第一预定数量的所述不良晶粒中，每相邻的两个所述不良晶粒之间的合格晶粒小于第二预定数量，其中，相邻的两个所述不良晶粒包括横向上、纵向上及两个对角线方向上相邻的两个所述不良晶粒。4.如权利要求1所述的晶圆的虚拟打墨方法，其特征在于，对每个所述不良晶粒周围的至少部分晶粒进行虚拟打墨包括沿横向对所述不良晶粒的两侧的第三预定数量的晶粒进行虚拟打墨、沿纵向对所述不良晶粒的两侧的第四预定数量的晶粒进行虚拟打墨、沿第一对角线方向对所述不良晶粒的两侧的第五预定数量的晶粒进行虚拟打墨及沿第二对角线方向对所述不良晶粒的两侧的第六预定数量的晶粒进行虚拟打墨中的至少一者。5.如权利要求2所述的晶圆的虚拟打墨方法，其特征在于，所述晶圆的失效来源具有若干个，基于不同的所述失效来源分别对所述晶圆划分子区域并分别进行虚拟打墨，并将所有虚拟打墨结果叠加。6.如权利要求5所述的晶圆的虚...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗莹莹，陈燕华，骆向荣，徐亚楠，王淋雨，李文博，张亮，
申请(专利权)人：厦门士兰集科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：