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本发明提供了一种晶圆的虚拟打墨方法,首先基于晶圆的不良晶粒的数量和分布方式判断晶圆是否需要进行针对晶圆测试的虚拟打墨,若是,则分析晶圆的失效来源,当无法分析出晶圆的失效来源时,对每个不良晶粒周围的至少部分晶粒均进行虚拟打墨,当分析出晶圆的失...该专利属于厦门士兰集科微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过厦门士兰集科微电子有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种晶圆的虚拟打墨方法,首先基于晶圆的不良晶粒的数量和分布方式判断晶圆是否需要进行针对晶圆测试的虚拟打墨,若是,则分析晶圆的失效来源,当无法分析出晶圆的失效来源时,对每个不良晶粒周围的至少部分晶粒均进行虚拟打墨,当分析出晶圆的失...