多相电抗器制造技术

本发明专利技术提供一种能够抑制温度的偏差的多相电抗器。多相电抗器(1)具备：第一外侧线圈(11)；第二外侧线圈(13)；至少一个内侧线圈(12)，其配置在第一外侧线圈(11)与第二外侧线圈(13)之间；铁心(20)，其具备第一外侧铁心部(21)、第二外侧铁心部(23)和内侧铁心部(22)；以及冷却部(30)。内侧铁心部(22)的与冷却部(30)对置的对置面(22a)的长度(Lb2)大于第一外侧铁心部(21)的与冷却部(30)对置的对置面(21a)的长度(Lb1)，且大于第二外侧铁心部(23)的与冷却部(30)对置的对置面(23a)的长度(Lb3)。(Lb3)。(Lb3)。

【技术实现步骤摘要】
多相电抗器


[0001]本专利技术涉及一种多相电抗器。

技术介绍

[0002]在电动汽车、HEV(Hybrid Electrical Vehicle：混合动力电动汽车)等车辆的DC
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DC转换器中，使用通过在铁心的周围安装线圈而构成的电抗器。近年来，为了调整DC
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DC转换器的输出电流的波动，已知有一种多相化的多相电抗器。
[0003]例如，在专利文献1中公开了一种三相电抗器，在专利文献2中公开了一种四相电抗器。电抗器是发热部件，因此需要适当地进行冷却。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2002
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208519号公报
[0007]专利文献2：日本专利第6518603号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的课题
[0009]然而，在三相以上的多相电抗器中，存在如下课题：与一对外侧线圈及卷绕有该外侧线圈的外侧铁心部相比，热量更容易累积在内侧线圈及卷绕有内侧线圈的内侧铁心部，从而在多相电抗器中产生温度的偏差。
[0010]本专利技术提供一种能够抑制温度的偏差的多相电抗器。
[0011]用于解决课题的手段
[0012]本专利技术提供一种多相电抗器，其具备：
[0013]第一外侧线圈；
[0014]第二外侧线圈；
[0015]至少一个内侧线圈，其配置在所述第一外侧线圈与所述第二外侧线圈之间；
[0016]铁心，其具备：第一外侧铁心部，其卷绕有所述第一外侧线圈；第二外侧铁心部，其卷绕有所述第二外侧线圈；以及内侧铁心部，其卷绕有所述至少一个内侧线圈；以及
[0017]冷却部，
[0018]所述第一外侧线圈、所述第二外侧线圈和所述至少一个内侧线圈分别沿第一方向延伸设置，且沿与所述第一方向正交的第二方向排列配置，
[0019]所述冷却部在与所述第一方向和所述第二方向正交的第三方向上配置于所述第一外侧线圈、所述第二外侧线圈和所述至少一个内侧线圈的一侧，
[0020]其中，在与所述第一方向正交的截面中，
[0021]所述至少一个内侧铁心部的与所述冷却部对置的对置面的长度大于所述第一外侧铁心部的与所述冷却部对置的对置面的长度，且大于所述第二外侧铁心部的与所述冷却部对置的对置面的长度。
[0022]另外，本专利技术提供一种多相电抗器，其具备：
[0023]第一外侧线圈；
[0024]第二外侧线圈；
[0025]至少一个内侧线圈，其配置在所述第一外侧线圈与所述第二外侧线圈之间；
[0026]铁心，其具备：第一外侧铁心部，其卷绕有所述第一外侧线圈；第二外侧铁心部，其卷绕有所述第二外侧线圈；以及内侧铁心部，其卷绕有所述至少一个内侧线圈；以及
[0027]冷却部，
[0028]所述第一外侧线圈、所述第二外侧线圈和所述至少一个内侧线圈分别沿第一方向延伸设置，且沿与所述第一方向正交的第二方向排列配置，
[0029]所述冷却部在与所述第一方向和所述第二方向正交的第三方向上配置于所述第一外侧线圈、所述第二外侧线圈和所述至少一个内侧线圈的一侧，
[0030]其中，在与所述第一方向正交的截面中，
[0031]所述至少一个内侧线圈的与所述冷却部对置的对置面的长度大于所述第一外侧线圈的与所述冷却部对置的对置面的长度，且大于所述第二外侧线圈的与所述冷却部对置的对置面的长度。
[0032]专利技术效果
[0033]根据本专利技术，促进了由于热量累积而温度升高的内侧线圈和内侧铁心部的冷却，能够抑制温度偏差。
附图说明
[0034]图1是表示能够应用本专利技术的一实施方式的多相电抗器1的三相交错型DC
‑
DC转换器的一个例子的电路图。
[0035]图2是多相电抗器1的立体图。
[0036]图3是表示多相电抗器1的铁心20的图。
[0037]图4是第一实施例的多相电抗器的图3的A
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A线剖视图。
[0038]图5是第二实施例的多相电抗器的图3的A
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A线剖视图。
[0039]图6是现有的多相电抗器的图3的A
‑
A线剖视图。
[0040]附图标记说明
[0041]1 多相电抗器
[0042]11 第一外侧线圈
[0043]11a 第一外侧线圈的对置面
[0044]12 内侧线圈
[0045]12a 内侧线圈的对置面
[0046]13 第二外侧线圈
[0047]13a 第二外侧线圈的对置面
[0048]20 铁心
[0049]21 第一外侧铁心部
[0050]21a 第一外侧铁心部的对置面
[0051]22 内侧铁心部
[0052]22a 内侧铁心部的对置面
[0053]23 第二外侧铁心部
[0054]23a 第二外侧铁心部的对置面
[0055]30 冷却部
[0056]40 壳体
[0057]41 底部
[0058]42 侧壁部
[0059]43 开口部
具体实施方式
[0060]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。
[0061]图1是表示使用三相电抗器作为本专利技术的一实施方式的多相电抗器的交错型DC
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DC转换器的一个例子的电路图。
[0062]图1所示的三相交错型DC
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DC转换器10具备：平滑电容器C1；多相电抗器1，其具有三个线圈11～13；开关部SW1、SW2、SW3、SW4、SW5、SW6；以及平滑电容器C2。
[0063]该DC
‑
DC转换器在将平滑电容器C1侧的电压V1作为输入电压、将平滑电容器C2侧的电压V2作为输出电压进行动作的情况下，对输入电压V1进行升压。
[0064]多相电抗器1的线圈11的输出端子与串联连接的开关部SW1和开关部SW2的中间节点连接，构成第一电压变换部14。多相电抗器1的线圈12的输出端子与串联连接的开关部SW3和开关部SW4的中间节点连接，构成第二电压变换部15。多相电抗器1的线圈13的输出端子与串联连接的开关部SW5和开关部SW6的中间节点连接，构成第三电压变换部16。开关部SW1、SW2、SW3、SW4、SW5、SW6分别具有IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极晶体管)等开关元件和与该开关元件并联连接的续流二极管。
[0065]开关部SW1～SW6的各开关元件根据来自未图示的开关控制部的信号进行接通断开控制。DC
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DC转换器10所具有的三个电压变换部14、15、16并联电连接，通过在期望的时刻对至少一个电压变换部14、15、16的开关元件进行接通断开切换动作，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多相电抗器，其具备：第一外侧线圈；第二外侧线圈；至少一个内侧线圈，其配置在所述第一外侧线圈与所述第二外侧线圈之间；铁心，其具备：第一外侧铁心部，其卷绕有所述第一外侧线圈；第二外侧铁心部，其卷绕有所述第二外侧线圈；以及内侧铁心部，其卷绕有所述至少一个内侧线圈；以及冷却部，所述第一外侧线圈、所述第二外侧线圈和所述至少一个内侧线圈分别沿第一方向延伸设置，且沿与所述第一方向正交的第二方向排列配置，所述冷却部在与所述第一方向和所述第二方向正交的第三方向上配置于所述第一外侧线圈、所述第二外侧线圈和所述至少一个内侧线圈的一侧，其中，在与所述第一方向正交的截面中，所述至少一个内侧铁心部的与所述冷却部对置的对置面的长度大于所述第一外侧铁心部的与所述冷却部对置的对置面的长度，且大于所述第二外侧铁心部的与所述冷却部对置的对置面的长度。2.一种多相电抗器，其具备：第一外侧线圈；第二外侧线圈；至少一个内侧线圈，其配置在所述第一外侧线圈与所述第二外侧线圈之间；铁心，其具备：第一外侧铁心部，其卷绕有所述第一外侧线圈；第二外侧铁心部，其卷绕有所述第二外侧线圈；以及内侧铁心部，其卷绕有所述至少一个内侧线圈；以及冷却部，所述第一外侧线圈、所述第二外侧线圈和所述至少一个内侧线圈分别沿第一方向延伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：北本良太，进藤勇佑，佐藤弘明，山本隆弘，
申请(专利权)人：本田技研工业株式会社，
类型：发明
国别省市：