一种散热型封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种散热型封装结构及其形成方法，涉及半导体封装领域，该方法包括将多个半导体管芯倒装安装在电路基底上，在散热板的第一表面形成阶梯部、第一环形凹槽以及第二环形凹槽，所述第一环形凹槽位于所述阶梯部和所述第二环形凹槽之间，利用导热粘结层将散热板粘结在多个半导体管芯上，在散热板的第一表面上压设分离薄膜，所述分离薄膜直接贴附所述多个连续的阶梯的底面和侧面，且所述分离薄膜覆盖所述第一环形凹槽和第二环形凹槽的顶端，向所述分离薄膜与所述电路基底之间注入模制化合物，所述模制化合物将所述分离薄膜撑起，使得所述模制化合物填充所述阶梯部。本发明专利技术能够能够提高芯片散热性。能够提高芯片散热性。能够提高芯片散热性。

【技术实现步骤摘要】
一种散热型封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，特别是涉及一种散热型封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在现有的芯片封装结构中，为了确保芯片的高散热性，以便于芯片正常工作，并延长芯片的使用寿命，通常将芯片表面暴露，以利于芯片散热。在现有的需要将芯片裸露的封装结构中，通常直接在芯片的四周设置台阶，进而在后续的封装过程中抑止芯片表面溢胶。然而在芯片的四周设置台阶时，容易导致芯片产生微裂纹，进而造成芯片损坏。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种散热型封装结构及其形成方法，其能够提高芯片散热性。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供了一种散热型封装结构的形成方法，该散热型封装结构的形成方法包括以下步骤：提供一电路基底；提供多个半导体管芯，将所述多个半导体管芯倒装安装在所述电路基底上，相邻所述半导体管芯之间具有间隙；提供一散热板，所述散热板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；在所述散热板的第一表面形成阶梯部、第一环形凹槽以及第二环形凹槽，所述阶梯部位于所述第一表面的四周边缘处且包括多个连续的阶梯，且所述第一环形凹槽位于所述阶梯部和所述第二环形凹槽之间；在所述散热板的第二表面设置导热粘结层，进而利用所述导热粘结层将所述散热板粘结在所述多个半导体管芯上；在所述散热板的第一表面上压设分离薄膜，所述分离薄膜直接贴附所述多个连续的阶梯的底面和侧面，且所述分离薄膜覆盖所述第一环形凹槽和第二环形凹槽的顶端；向所述分离薄膜与所述电路基底之间注入模制化合物，所述模制化合物将所述分离薄膜撑起，使得所述模制化合物填充所述阶梯部。
[0005]进一步优选的，多个所述半导体管芯的下表面设置有导电焊垫，将所述多个半导体管芯倒装安装在所述电路基底上之前，在所述导电焊垫上设置导电凸块。
[0006]进一步优选的，在每个所述半导体管芯与所述电路基底之间设置底部填充层。
[0007]进一步优选的，所述第一环形凹槽的底面高于所述阶梯部的底面，且所述第二环形凹槽的底面低于所述第一环形凹槽的底面。
[0008]进一步优选的，所述散热板在所述电路基底上的投影完全覆盖所述多个半导体管芯在所述电路基底上的投影。
[0009]进一步优选的，所述多个连续的阶梯包括第一阶梯以及位于所述第一阶梯上方的第二阶梯，所述第一阶梯的高度小于所述第二阶梯的高度。
[0010]进一步优选的，所述模制化合物填满所述第一阶梯和所述第二阶梯，使得所述模制化合物的上表面与所述散热板的第一表面齐平。
[0011]本专利技术还提出一种散热型封装结构，其采用上述方法制造形成的。
[0012]相较于现有技术，本专利技术的散热型封装结构及其形成方法有如下的有益效果：在本专利技术中，通过在散热板的第一表面形成阶梯部，进而将散热板设置在多个半导体管芯上。在进行封装的过程中，在避免半导体管芯损坏的同时可以有效抑止溢胶现象。且通过设置所述散热板在所述电路基底上的投影完全覆盖所述多个半导体管芯在所述电路基底上的投影，以有效保护半导体管芯。进一步的，通过进一步在所述散热板的第一表面形成第一环形凹槽以及第二环形凹槽，设置所述阶梯部包括多个连续的阶梯，且所述第一环形凹槽位于所述阶梯部和所述第二环形凹槽之间，进一步有效抑止溢胶产生，且有效提高散热型封装结构的稳固性。
附图说明
[0013]图1为在电路基底上倒装安装多个半导体管芯的结构示意图；图2为散热板的结构示意图；图3为将散热板粘结在多个半导体管芯上的结构示意图；图4为向分离薄膜与电路基底之间注入模制化合物的结构示意图。
具体实施方式
[0014]为了更好的理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术实施例进行详细描述。
[0015]应当明确，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0016]请参阅图1～图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0017]如图1～图4所示，本实施例提供一种散热型封装结构的形成方法，该散热型封装结构的形成方法包括以下步骤：如图1所示，首先提供一电路基底100。接着提供多个半导体管芯200，将所述多个半导体管芯200倒装安装在所述电路基底100上，相邻所述半导体管芯200之间具有间隙。
[0018]在具体的实施例中，多个所述半导体管芯200的下表面设置有导电焊垫，将所述多个半导体管芯200倒装安装在所述电路基底100上之前，在所述导电焊垫上设置导电凸块201。在每个所述半导体管芯200与所述电路基底100之间设置底部填充层300。
[0019]在具体的实施例中，所述电路基底100可以为多层印刷电路板，还可以为设置金属布线层的陶瓷基板或塑料基板，多个所述半导体管芯200可以为功能相同的管芯或者是功能不同的管芯。
[0020]在具体的实施例中，每个所述半导体管芯200的下表面均设置有导电焊垫，所述导电焊垫为铜垫或铝垫，将所述多个半导体管芯200倒装安装在所述电路基底100上之前，在所述导电焊垫上设置导电凸块201，具体为焊料凸块，进而利用所述焊料凸块通过回流焊工艺将多个半导体管芯200倒装安装在所述电路基底100上。
[0021]在具体的实施例中，将多个半导体管芯200倒装安装在所述电路基底100上之后，在所述半导体管芯200与所述电路基底100之间设置底部填充层300，以保护所述半导体管芯200，以便于后续安装散热板。
[0022]如图2所示，提供一散热板400，所述散热板400具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。
[0023]在所述散热板400的第一表面形成阶梯部401、第一环形凹槽402以及第二环形凹槽403，所述阶梯部401位于所述第一表面的四周边缘处且包括多个连续的阶梯，且所述第一环形凹槽402位于所述阶梯部401和所述第二环形凹槽403之间。
[0024]在具体的实施例中，所述第一环形凹槽402的底面高于所述阶梯部401的底面，且所述第二环形凹槽403的底面低于所述第一环形凹槽402的底面，上述结构的设置，由于第一环形凹槽402靠近所述阶梯部401，如果将第一环形凹槽402的深度设置的太深，则容易导致散热板400的边缘稳固性降低，进而容易导致散热板边缘破裂。且第一环形凹槽402的设置，在后续的封装过程中，即使有一小部分的模制化合物溢出散热板400的第一表面，该部分的模制化合物也会被第一环形凹槽402接收，即使第一环形凹槽402被填满，则第二环形凹槽403也可以用来接收，进而可以有效避免模制化合物覆盖散热板400的第一表面，以防止散热板的散热效果受到影响。且通过设置所述第二环形凹槽403的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种散热型封装结构的形成方法，其特征在于：包括以下步骤：提供一电路基底；提供多个半导体管芯，将所述多个半导体管芯倒装安装在所述电路基底上，相邻所述半导体管芯之间具有间隙；提供一散热板，所述散热板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；在所述散热板的第一表面形成阶梯部、第一环形凹槽以及第二环形凹槽，所述阶梯部位于所述第一表面的四周边缘处且包括多个连续的阶梯，且所述第一环形凹槽位于所述阶梯部和所述第二环形凹槽之间；在所述散热板的第二表面设置导热粘结层，进而利用所述导热粘结层将所述散热板粘结在所述多个半导体管芯上；在所述散热板的第一表面上压设分离薄膜，所述分离薄膜直接贴附所述多个连续的阶梯的底面和侧面，且所述分离薄膜覆盖所述第一环形凹槽和第二环形凹槽的顶端；以及向所述分离薄膜与所述电路基底之间注入模制化合物，所述模制化合物将所述分离薄膜撑起，使得所述模制化合物填充所述阶梯部。2.根据权利要求1所述的散热型封装结构的形成方法，其特征在于：多个所述半导体管芯的下表面设置有导电焊垫，将所述多个半导体管芯倒装安装在...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾海峰，徐扬，丁青成，王文霞，宋夫玉，张士明，宋华栋，李其峰，
申请(专利权)人：威海市泓淋电力技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：