一种半导体电路基板清洗系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种半导体电路基板清洗系统，包括密闭腔体，密闭腔体内依次设置有浸泡粗洗区域、超声波粗洗区域、超声波精洗区域以及蒸馏回收区域，浸泡粗洗区域内至少设有一个浸泡粗洗装置，超声波粗洗区域内至少设有一个超声波粗洗装置，超声波精洗区域内至少设有一个超声波精洗装置，蒸馏回收区域内设有蒸馏回收装置；密闭腔体的上区域设有双层冷凝装置；密闭腔体的顶部设有密封盖板，密封盖板设于双层冷凝装置的上方，密封盖板的板面设有若干自动入口，若干自动入口分别对应下方各装置，自动入口设有红外感应装置，每两个自动入口之间的上方设有可移动的机械手。本方案解决了传统半导体封装器件清洗系统密封性不高、清洗效果单一的问题。洗效果单一的问题。洗效果单一的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体电路基板清洗系统


[0001]本技术涉及电子器件的清洗系统
，特别是一种半导体电路基板清洗系统。

技术介绍

[0002]目前，半导体封装器件主要是以浸泡、超声波、蒸汽等多种清洗方法组合清洗，其中使用超声波清洗半导体封装器件的主要步骤依次是热浸泡预洗、超声波粗洗、超声波精洗、蒸汽漂洗以及冷冻干燥，这些步骤均在各自的区域里进行，而且各自的区域内只能设置一个装置使用，这种超声波清洗的方式就十分的单一，难以达到多样的清洗效果；同时，半导体封装器件的清洗装置是各自放置在室内进行密封处理的，但室内密封相比于密封装置密封，密封性不高，容易造成清洗剂挥发的问题。

技术实现思路

[0003]针对上述缺陷，本技术的目的在于提出一种半导体电路基板清洗系统，目的在于解决传统半导体封装器件清洗系统密封性不高、清洗效果单一的问题。
[0004]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0005]一种半导体电路基板清洗系统，包括密闭腔体，所述密闭腔体内依次设置有浸泡粗洗区域、超声波粗洗区域、超声波精洗区域以及蒸馏回收区域，所述浸泡粗洗区域内至少设有一个浸泡粗洗装置，所述超声波粗洗区域内至少设有一个超声波粗洗装置，所述超声波精洗区域内至少设有一个超声波精洗装置，所述蒸馏回收区域内设有蒸馏回收装置；所述密闭腔体的上区域设有双层冷凝装置，所述双层冷凝装置用于给所述密闭腔体制冷；
[0006]所述密闭腔体的顶部设有密封盖板，所述密封盖板设于所述双层冷凝装置的上方，所述密封盖板的板面设有若干自动入口，所述若干自动入口分别对应下方的所述浸泡粗洗装置、所述超声波粗洗装置、所述超声波精洗装置以及所述蒸馏回收装置，所述自动入口设有红外感应装置，每两个所述自动入口之间的上方设有可移动的机械手，所述机械手用于把半导体电路基板放入相应的装置中。
[0007]优选地，所述浸泡粗洗装置、所述超声波粗洗装置、所述超声波精洗装置以及所述蒸馏回流装置均设有溢流口和回液口；
[0008]所述浸泡粗洗装置的溢流口与所述超声波粗洗装置的回液口通过管道连通，所述超声波粗洗装置的溢流口与所述超声波精洗装置的回液口通过管道连通，所述超声波精洗装置的溢流口与所述蒸馏回流装置的回液口通过管道连通，所述蒸馏回流装置的溢流口与所述浸泡粗洗装置的回液口通过管道连通。
[0009]优选地，所述浸泡粗洗装置包括第一清洗槽，所述超声波粗洗装置包括第二清洗槽，所述超声波精洗装置包括第三清洗槽；
[0010]所述第一清洗槽、所述第二清洗槽和所述第三清洗槽均设有单边溢流口，所述单边溢流口用于排除清洗剂表面的漂浮物，所述第一清洗槽、所述第二清洗槽和所述第三清
41、第三清洗槽；42、第二超声波发生器；43、第三循环过滤器；44、第三温度控制组件；45、冷冻干燥器；46、第三回收槽；51、第四回收槽；52、加热恒温组件；110、自动入口；210、单边溢流口。
具体实施方式
[0028]下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技术方案。
[0029]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“中”、“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0030]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0031]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“拼接”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0032]一种半导体电路基板清洗系统，包括密闭腔体1，所述密闭腔体1内依次设置有浸泡粗洗区域、超声波粗洗区域、超声波精洗区域以及蒸馏回收区域，所述浸泡粗洗区域内至少设有一个浸泡粗洗装置2，所述超声波粗洗区域内至少设有一个超声波粗洗装置3，所述超声波精洗区域内至少设有一个超声波精洗装置4，所述蒸馏回收区域内设有蒸馏回收装置5；所述密闭腔体1的上区域设有双层冷凝装置6，所述双层冷凝装置6用于给所述密闭腔体1制冷；
[0033]所述密闭腔体1的顶部设有密封盖板11，所述密封盖板11设于所述双层冷凝装置6的上方，所述密封盖板11的板面设有若干自动入口110，所述若干自动入口110分别对应下方的所述浸泡粗洗装置2、所述超声波粗洗装置3、所述超声波精洗装置4以及所述蒸馏回收装置5，所述自动入口110设有红外感应装置7，每两个所述自动入口110之间的上方设有可移动的机械手9，所述机械手9用于把半导体电路基板放入相应的装置中。
[0034]现有技术中，使用超声波清洗半导体封装器件的主要步骤依次是热浸泡预洗、超声波粗洗、超声波精洗、蒸汽漂洗以及冷冻干燥，这些步骤均在各自的区域里进行，而且各自的区域内只能设置一个装置使用，这种超声波清洗的方式就十分的单一，难以达到多样的清洗效果；同时，半导体封装器件的清洗装置是各自放置在室内进行密封处理的，但室内密封相比于密封装置密封，密封性不高，容易造成清洗剂挥发的问题。
[0035]具体地，如图1，本方案中的一种半导体电路基板清洗系统，包括密封腔体1，密闭腔体1内依次设置有浸泡粗洗装置2、超声波粗洗装置3、超声波精洗装置4以及蒸馏回收装置5，进一步说明，浸泡粗洗装置2、超声波粗洗装置 3以及超声波精洗装置4可以是多个，这样可选择的半导体电路基板清洗的组合方式就有多种，多种的组合方式有利于实现各种清洗效果。例如，半导体电路基板可经过一个浸泡粗洗装置，两个超声波精洗装置和一个蒸馏
回收装置来达到清洗精度较高的效果。
[0036]密封腔体1的上区域设有一个双层冷凝装置6，双层冷凝装置6用于给密封腔体1制冷，能有效防止各装置里面的清洗剂挥发，减轻空气的污染。
[0037]密闭腔体1的顶部设有密封盖板11，密封盖板11设于双层冷凝装置6的上方，进一步说明，密封盖板是不锈钢材质。密封盖板11的板面设有若干自动入口110，分别对应下方的浸泡粗洗装置2、超声波粗洗装置3、超声波精洗装置4以及蒸馏回收装置5，自动入口110设有红外感应装置7，红外感应装置7 的设置可实现自动入口110的自动打开和关闭，每两个自动入口110之间的上方设有可移动的机械手9，当机械手9需要将半导体电路基板放置到对应装置里时，红外感应装置7会打开自动入口110，当放置完半导体电路基板后，机械手9会伸出密封盖板11，红外感本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：包括密闭腔体，所述密闭腔体内依次设置有浸泡粗洗区域、超声波粗洗区域、超声波精洗区域以及蒸馏回收区域，所述浸泡粗洗区域内至少设有一个浸泡粗洗装置，所述超声波粗洗区域内至少设有一个超声波粗洗装置，所述超声波精洗区域内至少设有一个超声波精洗装置，所述蒸馏回收区域内设有蒸馏回收装置；所述密闭腔体的上区域设有双层冷凝装置，所述双层冷凝装置用于给所述密闭腔体制冷；所述密闭腔体的顶部设有密封盖板，所述密封盖板设于所述双层冷凝装置的上方，所述密封盖板的板面设有若干自动入口，所述若干自动入口分别对应下方的所述浸泡粗洗装置、所述超声波粗洗装置、所述超声波精洗装置以及所述蒸馏回收装置，所述自动入口设有红外感应装置，每两个所述自动入口之间的上方设有可移动的机械手，所述机械手用于把半导体电路基板放入相应的装置中。2.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述浸泡粗洗装置、所述超声波粗洗装置、所述超声波精洗装置以及所述蒸馏回收装置均设有溢流口和回液口；所述浸泡粗洗装置的溢流口与所述超声波粗洗装置的回液口通过管道连通，所述超声波粗洗装置的溢流口与所述超声波精洗装置的回液口通过管道连通，所述超声波精洗装置的溢流口与所述蒸馏回收装置的回液口通过管道连通，所述蒸馏回收装置的溢流口与所述浸泡粗洗装置的回液口通过管道连通。3.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述浸泡粗洗装置包括第一清洗槽，所述超声波粗洗装置包括第二清洗槽，所述超声波精洗装置包括第三清洗槽；所述第一清洗槽、所述第二清洗槽和所述第三清洗槽均设有单边溢流口，所述单边溢流口用于排除清洗剂表面的漂浮物，所述第一清洗槽、所述第二清洗槽和所述第三清洗槽的槽底均呈漏斗倾斜状。4.根据权利要求1所述的一种半导体电路基板清洗系统，其特征在于：所述超声波粗洗装置包括第一超声波发生器，所述超声...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，黄浩，
申请(专利权)人：广东汇芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：