一种含杂环结构的有机材料及其应用制造技术

本发明专利技术涉及有机电致发光显示技术领域，具体公开了一种含杂环结构的有机材料，同时还公开了其在有机电致发光器件中的应用。本发明专利技术提供的含杂环结构的有机材料如通式(Ⅰ)所示，可以应用在有机电致发光领域，作为电子传输材料使用。本发明专利技术提供的该结构化合物应用于OLED器件中，能够降低驱动电压，提高器件发光效率。提高器件发光效率。提高器件发光效率。

An organic material with heterocyclic structure and its application

【技术实现步骤摘要】
一种含杂环结构的有机材料及其应用


[0001]本专利技术涉及有机电致发光显示
，特别是涉及一种新型的含杂环结构的有机材料，同时还涉及其在有机电致发光器件中的应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光(OLED)材料在信息显示材料、有机光电子材料等领域中的应用具有极大的研究价值和美好的应用前景。随着多媒体信息技术的发展，对平板显示器件性能的要求越来越高。目前主要的显示技术有等离子显示器件、场发射显示器件和有机电致发光显示器件(OLEDs)。其中，OLEDs具有自身发光、低电压直流驱动、轻薄省电、全固化、视角宽、颜色丰富等一系列优点，与液晶显示器件相比，OLEDs不需要背光源，视角更宽，功耗低，其响应速度是液晶显示器件的1000倍，因此，OLEDs具有更广阔的应用前景。
[0003]自高效有机发光二极管(OLEDs)第一次被报道以来，许多学者就一直致力于研究如何提高OLED器件的性能。有机电荷传输材料是一种用于OLED器件的重要材料。有机电荷传输材料是一类当有载流子(电子或空穴)注入时，在电场作用下，可以实现载流子的可控定向有序移动，从而来进行电荷传输的有机半导体材料。有机电荷传输材料中以传输空穴为主的，称为空穴型传输材料，以传输电子为主的，称为电子型传输材料，或者简称电子传输材料。有机电荷传输材料发展至今，其中空穴传输材料种类较为繁多且性能较好，而电子传输材料的品种少、性能也较差。例如目前常用的电子传输材料Alq3由于电子迁移率低，因而导致器件的工作电压较高，耗电严重；部分电子传输材料如LG201三线态能级不高，在使用磷光发光材料作为发光层时，需要增加激子阻挡层，否则效率会降低；还有一些材料如Bphen，容易结晶，导致寿命降低。电子传输材料存在的这些问题都是影响有机电致发光显示器件发展的瓶颈。因此，开发新的性能更好的电子传输材料将具有很重要的实际应用价值。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于开发一种新型的有机电致发光器件的电子传输材料，应用于OLED器件中，可以降低驱动电压，提高器件发光效率。
[0005]具体而言，第一方面，本专利技术提供了一种含杂环结构的有机材料，具有如通式(Ⅰ)所示的结构：
[0006][0007]其中，X、Y各自独立地选自O、S、Se、NR
X1
、CR
X2
R
X3
、PR
X4
和SiR
X5
R
X6
，所述X、Y可以相同
也可以不同；
[0008]R
X1
、R
X2
、R
X3
、R
X4
、R
X5
和R
X6
各自独立地选自H，氘，卤素，取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基、烷氧基或杂烷基，取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的环烷基、烷硅基，取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳烷基、芳基、芳氧基、杂芳基、杂芳氧基、芳基硅烷基，取代或未取代具有0
‑
20个碳原子的氨基、酰基、羰基、羧酸基、酯基、氰基、异氰基、硫烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基；
[0009]R1～R4各自独立地选自H、氘、卤素、直链或含支链的烷基、环烷基、取代或未取代的C6～C
40
的单环芳烃基或多环芳烃基，且R1～R4中至少一个为取代或未取代的C6～C
40
的单环芳烃基或多环芳烃基；R1～R4可以相同，也可以不同。
[0010]所述卤原子为F、Cl、Br或I。
[0011]直链烷基是指通式为C
n
H
2n+1
‑
的直链烷基，包括但不限于甲基、乙基、丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基等。优选n为1～5的直链烷基。
[0012]含支链的烷基包括但不限于异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基等。优选碳原子数量为1～5个的含支链烷基。
[0013]环烷基包括但不限于含环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基等的基团。优选碳原子数量为3～6个的环烷基。
[0014]作为本专利技术一种优选的实施方案，所述取代或未取代的C6～C
40
的单环芳烃基或多环芳烃基，其中单环芳烃基为含一个苯环的芳烃基，多环芳烃基为多苯代脂烃基、联苯和联多苯型多环芳烃基、螺二芴类基团或稠环芳烃基。
[0015]多环芳烃基包括但不限于包含联苯、三联苯、萘、苊、二氢苊、芴、螺二芴、菲、芘、荧蒽、屈、苯并(a)蒽、蒽、苯并荧蒽、三亚苯、苯并芘、苝、茚并荧蒽的基团。
[0016]优选地，所述取代或未取代的C6～C
40
的单环芳烃基或多环芳烃基中的多环芳烃基为多苯代脂烃基、联苯型多环芳烃基、螺二芴类基团、稠环芳烃基中的任意一种，其中所述取代基任意选自：卤素、直链或含支链的烷基、环烷基、多环芳基、多环芳基并基、单环芳基、单环芳基并基、杂环芳基、杂环芳基并基，所述取代基的个数选自1～7的整数。
[0017]进一步优选地，所述取代或未取代的C6～C
40
的单环芳烃基或多环芳烃基选自：取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的苯并(a)蒽基、取代或未取代的苯并(b)荧蒽基、取代或未取代的苯并(k)荧蒽基、取代或未取代的苯并(a)芘基、取代或未取代的茚并荧蒽基、取代或未取代的苝基；
[0018]取代的取代基可以是1
‑
3个，所述取代基任意选自卤素、C1‑5的直链或含支链的烷基、C3‑8的环烷基、单环芳基、单环芳基并基、多环芳基、多环芳基并基；所述取代基上的氢可以进一步分别被1～2个以下任意取代基取代：C1‑5的直链或含支链的烷基、C3‑8的环烷基、苯基。
[0019]作为本专利技术一种进一步优选的实施方案，所述取代或未取代的C6～C
40
的单环芳烃基或多环芳烃基任意选自：取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的荧蒽基、取代
或未取代的茚并荧蒽基、取代或未取代的苝基；取代的取代基可以是1
‑
3个，所述取代基任意选自卤素、C1‑5的直链或含支链的烷基、C3‑8的环烷基、苯基、联苯基、萘基、萘并基、菲基、菲并基、苯并基、三亚苯基、荧蒽基；所述取代基上的氢可以进一步分别被1～2个以下任意取代基取代：C1‑5的直链或含支链的烷基、C3‑8的环烷基、苯基。
[0020]作为本专利技术一种更优选的实施方案，所述取代或未取代的C6～C
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含杂环结构的有机材料，其特征在于，具有如通式(Ⅰ)所示的结构：其中，X、Y各自独立地选自O、S、Se、NR
X1
、CR
X2
R
X3
、PR
X4
和SiR
X5
R
X6
，所述X、Y可以相同也可以不同；R
X1
、R
X2
、R
X3
、R
X4
、R
X5
和R
X6
各自独立地选自H，氘，卤素，取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基、烷氧基或杂烷基，取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的环烷基、烷硅基，取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳烷基、芳基、芳氧基、杂芳基、杂芳氧基、芳基硅烷基，取代或未取代具有0
‑
20个碳原子的氨基、酰基、羰基、羧酸基、酯基、氰基、异氰基、硫烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基；R1～R4各自独立地选自H、氘、卤素、直链或含支链的烷基、环烷基、取代或未取代的C6～C
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的单环芳烃基或多环芳烃基，且R1～R4中至少一个为取代或未取代的C6～C
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的单环芳烃基或多环芳烃基；R1～R4可以相同，也可以不同。2.根据权利要求1所述的有机材料，其特征在于，所述取代或未取代的C6～C
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的单环芳烃基或多环芳烃基，其中单环芳烃基为含一个苯环的芳烃基，多环芳烃基为多苯代脂烃基、联苯和联多苯型多环芳烃基、螺二芴类基团或稠环芳烃基。3.根据权利要求1或2所述的有机材料，其特征在于，所述取代或未取代的C6～C
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的单环芳烃基或多环芳烃基中的多环芳烃基为多苯代脂烃基、联苯型多环芳烃基、螺二芴类基团、稠环芳烃基中的任意一种，其中所述取代基任意选自：卤素、直链或含支链的烷基、环烷基、多环芳基、多环芳基并基、单环芳基、单环芳基并基、杂环芳基、杂环芳基并基，所述取代基的个数选自1～7的整数；优选地，所述取代或未取代的C6～C
40
的单环芳烃基或多...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭宇星，李小赢，程丹丹，呼建军，曹占广，张朝霞，杭德余，
申请(专利权)人：北京云基科技有限公司，
类型：发明
国别省市：