一种有机电致发光材料组合物及其应用制造技术

本发明专利技术提供了一种有机电致发光材料组合物及其在有机电致发光器件中的应用。该组合物包括第一发光材料和第二发光材料，其中，所述第一发光材料具有如式(I)所示的结构，所述第二发光材料具有如式(II)所示的结构。本发明专利技术还提供了利用所述组合物制备的有机电致发光器件，发光效率高、寿命长。寿命长。寿命长。

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光材料组合物及其应用


[0001]本专利技术涉及发光材料领域，特别地，涉及一种有机电致发光材料组合物及其在有机电致发光器件中的应用。

技术介绍

[0002]1987年，来自美国伊士曼柯达公司的Tang等首次报道了由双层有机薄膜制成的绿色电致发光器件，器件以氧化铟锡(ITO)作为阳极，在阳极上蒸镀一层厚度为75nm的非晶无针孔芳族二胺薄膜，用作空穴传输，接着在芳族二胺的薄膜上再镀一层厚度为60nm的8
‑
羟基喹啉铝薄膜，用作电子传输层兼发光层，以镁银合金作为阴极，此双层膜结构成功地将启亮电压降低至5.5V，实现了高辐射发光(>1000cd
·
m
‑2)，波长为550nm，外量子效率达到1.0％，具有极大的实用意义。1994年，来自日本的KH1do等首次制备了发白光的有机电致发光器件。他们将蓝、绿、橙3种颜色的荧光染料掺杂在聚(N
‑
乙烯基咔唑)(PVK)薄膜中作为空穴传输层兼发射层，将1,2,4
‑
三唑衍生物(TAZ)作为空穴阻挡层，8
‑
羟基喹啉铝(Alq3)作为电子传输层，器件组成为:玻璃基板/ITO/PVK/TAZ/Alq3/Mg:Ag的多层结构，在14V的驱动电压下，获得了覆盖可见光区域范围广且亮度高达3400cd
·
m
‑2的白光发射，这种高亮度的白色发射是通过在聚合物薄膜中掺杂多种颜色的荧光化合物构成单发光层来实现的。KIdo等人的这一发现为有机电致发光的应用增添了浓墨重彩的一笔，打开了有机发光器件在照明领域的大门，推动了有机发光器件的进一步发展。
[0003]有机电致发光器件发出的光也分为荧光和磷光，通过单线态的激子所具备的能量发出的光为荧光，而同时通过单线态和三线态的激子所具备的能量发出的光为磷光。因为激子形成的单线态和三线态的数量有固定值之比为1：3，所以从理论方面来说只单单利用单线态激子的荧光器件的内量子效率最高也只有25％，而相反发出磷光时的内量子效率则能够达到100％。
[0004]目前，具有磷光发射的有机金属配合物及有机电致发光器件均有报道，但在许多应用如TV和照明设备中，OLED寿命是不足的，并且仍需要更高效率的OLED。典型地，OLED的亮度越高，OLED的寿命越短。因此，对于长时间使用和高分辨率的显示器而言，需要具有高发光效率或长寿命的OLED，进而亟需开发能够提高OLED性能的主体材料。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种有机电致发光材料组合物，作为有机电致发光器件的主体材料，制备具有更高的发光效率和/或更长的寿命特性的有机电致发光器件。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术的第一方面提供一种有机电致发光材料组合物，包括第一发光材料和第二发光材料，其中，所述第一发光材料具有如式(I)所示的结构：
[0007][0008]式(I)中，R选自H、具有1～40个碳原子的直链烷基、具有3～40个碳原子的支链烷基、具有3～40个碳原子的环烷基、取代或未取代的C5～C
40
的芳基和取代或未取代的C5～C
40
的杂芳基；
[0009]R1～R6各自独立地选自H、取代或未取代的C5～C
40
的芳基和取代或未取代的C5～C
40
的杂芳基，所述杂芳基的杂原子选自N、O、S或P中的一个或多个；
[0010]所述第二发光材料具有如式(II)所示的结构：
[0011][0012]式(II)中，X和Y各自独立地选自
‑
N＝、
‑
NR
10
‑
、
‑
O
‑
或
‑
S
‑
，条件是当X表示
‑
N＝时，Y表示
‑
NR
11
‑
、
‑
O
‑
或
‑
S
‑
，并且当X表示
‑
NR
10
‑
时，Y表示
‑
N＝、
‑
O
‑
或
‑
S
‑
；
[0013]HAr选自含有一个或多个氮原子的取代或未取代的C3～C
30
杂芳基；
[0014]L2选自单键、取代或未取代的C6‑
C
30
亚芳基、取代或未取代的C3～C
30
杂亚芳基；
[0015]R1选自取代或未取代的C6‑
C
30
芳基或取代或未取代的C3～C
30
杂芳基；
[0016]R2～R4、R
10
和R
11
各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1‑
C
30
烷基、取代或未取代的C6‑
C
30
芳基、取代或未取代的C3‑
C
30
杂芳基、取代或未取代的C3‑
C
30
环烷基、取代或未取代的C1‑
C
30
烷氧基、取代或未取代的三(C1‑
C
30
)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(C1‑
C
30
)烷基(C6‑
C
30
)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(C1‑
C
30
)烷基二(C6‑
C
30
)芳基甲硅烷基、取代或未取代的三(C6‑
C
30
)芳基甲硅烷基、取代或未取代的单
‑
或二
‑
(C1‑
C
30
)烷基氨基、取代或未取代的单
‑
或二
‑
(C6‑
C
30
)芳基氨基或取代或未取代的(C1‑
C
30
)烷基(C6‑
C
30
)芳基氨基；R2～R4中相邻的任意两个基团之间连接成环或不连接成环；
[0017]a
’
是1；b
’
和c
’
各自独立地选自1或2；d
’
选自1～4之间的整数；其中如果b
′
、c
′
和d
’
各自独立地是2，3或4，则R2～R4中的每一个相同或不同。
[0018]根据本专利技术的一些实施方式，所述具有1～40个碳原子的直链烷基是指通式为C
n
H
2n+1
‑
的直链烷基，其中n为1～40。
[0019]根据本专利技术的一些实施方式，所述具有3～40个碳原子的支链烷基或3～40个碳原子的环烷基包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光材料组合物，包括第一发光材料和第二发光材料，其中，所述第一发光材料具有如式(I)所示的结构：式(I)中，R选自H、具有1～40个碳原子的直链烷基、具有3～40个碳原子的支链烷基、具有3～40个碳原子的环烷基、取代或未取代的C5～C
40
的芳基和取代或未取代的C5～C
40
的杂芳基；R1～R6各自独立地选自H、取代或未取代的C5～C
40
的芳基和取代或未取代的C5～C
40
的杂芳基，所述杂芳基的杂原子选自N、O、S或P中的一个或多个；所述第二发光材料具有如式(II)所示的结构：式(II)中，X和Y各自独立地选自
‑
N＝、
‑
NR
10
‑
、
‑
O
‑
或
‑
S
‑
，条件是当X表示
‑
N＝时，Y表示
‑
NR
11
‑
、
‑
O
‑
或
‑
S
‑
，并且当X表示
‑
NR
10
‑
时，Y表示
‑
N＝、
‑
O
‑
或
‑
S
‑
；HAr选自含有一个或多个氮原子的取代或未取代的C3～C
30
杂芳基；L2选自单键、取代或未取代的C6‑
C
30
亚芳基、取代或未取代的C3～C
30
杂亚芳基；R1选自取代或未取代的C6‑
C
30
芳基或取代或未取代的C3～C
30
杂芳基；R2～R4、R
10
和R
11
各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C
30
烷基、取代或未取代的C6～C
30
芳基、取代或未取代的C3～C
30
杂芳基、取代或未取代的C3～C
30
环烷基、取代或未取代的C1～C
30
烷氧基、取代或未取代的三(C1‑
C
30
)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(C1‑
C
30
)烷基(C6‑
C
30
)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(C1‑
C
30
)烷基二(C6‑
C
30
)芳基甲硅烷基、取代或未取代的三(C6‑
C
30
)芳基甲硅烷基、取代或未取代的单
‑
或二
‑
(C1‑
C
30
)烷基氨基、取代或未取代的单
‑
或二
‑
(C6‑
C
30
)芳基氨基或取代或未取代的(C1‑
C
30
)烷基(C6‑
C
30
)芳基氨基；R2～R4中相邻的任意两个基团之间连接成环或不连接成环；a
’
是1；b
’
和c
’
各自独立地选自1或2；d
’
选自1～4之间的整数；其中如果b
′
、c
′
和d
’
各自
独立地是2，3或4，则R2～R4中的每一个相同或不同。2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，式(I)中，所述R为取代或未被取代的C5～C
40
的芳基或取代或未取代的C5～C
40
的杂芳基，优选取代或未被取代的苯基；优选地，所述取代的C5～C
40
芳基和所述取代的C5～C
40
杂芳基的取代基选自卤素、氨基、氰基、C1～C6的烷基、C1～C6的卤代烷基、C1～C6的烷氧基、C5～C
30
的芳基或C5～C
30
的杂芳基，优选C1‑5的直链或含支链的烷基、C3‑6的环烷基、苯基、联苯基、单环芳基、苯并基、吡啶并基、菲并基、萘并基、吲哚并基、苯并噻吩并基和苯并呋喃并基；所述取代基的个数选自1～5之间的整数；和/或，式(I)中，所述R1～R6各自独立地选自H、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的苯并吡嗪基、取代或未取代的噁二唑基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的菲并噻吩基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的1,10
‑
菲罗啉基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的均三嗪基和取代或未取代的喹啉基，且R1～R6不同时为H；所述取代的取代基可以是1～3个优选1～2个，所述取代基任意选自卤素、烷基、苯基、联苯基、吡啶基、萘基、喹唑啉基、苯并吡嗪基、三氮唑基、噁二唑基、苯并咪唑基；所述取代基任选地被1～3个选自卤素、烷基、苯基、萘基、吡啶基、联苯基、喹唑啉基、苯并吡嗪基、三氮唑基、噁二唑基或苯并咪唑基取代的基团取代，优选地，所述取代基任选地被1～2个选自C1～C5的烷基或苯基取代。3.根据权利要求1或2所述的组合物，其特征在于，所述第二发光材料具有式(II
‑
1)或式(II
‑
2)所示的结构：其中，X、Y、R1～R4、L2、a
’
～d
’
的定义同式(II)；Y1～Y5、Y
11
～Y
...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈婷，曹占广，李小赢，张小玲，程丹丹，呼建军，杭德余，
申请(专利权)人：北京云基科技有限公司，
类型：发明
国别省市：