一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法技术

本发明专利技术提供了一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法，包括：提供一预设尺寸和预设厚度的待处理玻璃基板，所述待处理玻璃基板包括中间区域和包围所述中间区域的边缘区域；对所述待处理玻璃基板进行处理，在所述中间区域形成凹槽；在所述凹槽内形成多个通孔；切割掉所述边缘区域，形成具有所述通孔的目标玻璃基板。也就是说该通孔蚀刻方法在形成通孔之前，对待处理玻璃基板进行预处理，保证边缘区域的厚度不变，只对中间区域的厚度减薄，那么在通孔的蚀刻过程中可以直接插蓝，也不会出现因产品弯曲破片、拿放破片等风险，进而提高具有通孔的大尺寸超薄玻璃基板的生产良率。孔的大尺寸超薄玻璃基板的生产良率。孔的大尺寸超薄玻璃基板的生产良率。

A through-hole etching method for large-size ultra-thin glass substrate

【技术实现步骤摘要】
一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法


[0001]本专利技术涉及半导体工艺
，更具体地说，涉及一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法。

技术介绍

[0002]Mini LED是指边长尺寸大致在50um
‑
200um且带有衬底的LED倒装晶片(需要说明的是部分背光晶片尺寸会超过200um)，可通过晶片转移技术将数千至数万颗Mini LED晶片转移至FPCB、PCB或玻璃等基板上，形成高密度阵列式排布，之后进行封装应用于显示领域。
[0003]玻璃基板较PCB基板具有通孔孔径内表面光滑、孔径大小更可控等优势，随着苹果等终端显示厂家发布Mini LED相关系列产品，Mini LED市场逐渐火爆，同时Mini LED也逐渐向更轻更薄方向发展，同时也向Mini led玻璃基板提出了尺寸更大、厚度更薄的要求。
[0004]目前采用常规工艺，无法做到尺寸为500mm*500mm以上、厚度为0.1mm以下的具有通孔的Mini LED超薄玻璃基板；主要问题点在于玻璃基板的厚度过薄，在通孔的蚀刻过程中，玻璃基板必须双面减薄，无法依靠背板或者单面贴保护膜的方式试做，且蚀刻过程中跳齿、破片的风险特别大。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法，技术方案如下：
[0006]一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法，所述通孔蚀刻方法包括：
[0007]提供一预设尺寸和预设厚度的待处理玻璃基板，所述待处理玻璃基板包括中间区域和包围所述中间区域的边缘区域；
[0008]对所述待处理玻璃基板进行处理，在所述中间区域形成凹槽；
[0009]在所述凹槽内形成多个通孔；
[0010]切割掉所述边缘区域，形成具有所述通孔的目标玻璃基板。
[0011]优选的，在上述通孔蚀刻方法中，所述对所述待处理玻璃基板进行处理，在所述中间区域形成凹槽，包括：
[0012]所述待处理玻璃基板包括相对设置的第一表面和第二表面，对所述第一表面的边缘区域进行保护处理；
[0013]对所述第一表面的中间区域进行蚀刻薄化处理，以在所述中间区域形成凹槽。
[0014]优选的，在上述通孔蚀刻方法中，所述对所述第一表面的边缘区域进行保护处理，包括：
[0015]在所述第一表面的边缘区域贴合抗酸胶带。
[0016]优选的，在上述通孔蚀刻方法中，在对所述第一表面的边缘区域进行保护处理之前，所述通孔蚀刻方法还包括：
[0017]对所述待处理玻璃基板进行第一次清洗处理。
[0018]优选的，在上述通孔蚀刻方法中，所述在所述凹槽内形成多个通孔，包括：
[0019]采用激光打孔的方式在所述凹槽内进行打孔预处理；
[0020]采用蚀刻液进行蚀刻处理形成多个所述通孔。
[0021]优选的，在上述通孔蚀刻方法中，所述蚀刻液为氢氟酸蚀刻液。
[0022]优选的，在上述通孔蚀刻方法中，在所述凹槽内形成多个通孔之前，所述通孔蚀刻方法还包括：
[0023]对所述待处理玻璃基板进行第二次清洗处理。
[0024]优选的，在上述通孔蚀刻方法中，在切割掉所述边缘区域之前，所述通孔蚀刻方法还包括：
[0025]对所述待处理玻璃基板进行第三次清洗处理。
[0026]优选的，在上述通孔蚀刻方法中，所述预设尺寸为520mm*520mm；所述预设厚度小于0.3mm。
[0027]优选的，在上述通孔蚀刻方法中，所述目标玻璃基板的尺寸为500mm*500mm；所述目标玻璃基板的厚度为0.1mm
‑
0.12mm。
[0028]相较于现有技术，本专利技术实现的有益效果为：
[0029]本专利技术提供的一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法包括：提供一预设尺寸和预设厚度的待处理玻璃基板，所述待处理玻璃基板包括中间区域和包围所述中间区域的边缘区域；对所述待处理玻璃基板进行处理，在所述中间区域形成凹槽；在所述凹槽内形成多个通孔；切割掉所述边缘区域，形成具有所述通孔的目标玻璃基板。也就是说该通孔蚀刻方法在形成通孔之前，对待处理玻璃基板进行预处理，保证边缘区域的厚度不变，只对中间区域的厚度减薄，那么在通孔的蚀刻过程中可以直接插蓝，也不会出现因产品弯曲破片、拿放破片等风险，进而提高具有通孔的大尺寸超薄玻璃基板的生产良率。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0031]图1为本专利技术实施例提供的一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图；
[0032]图2
‑
图5为图1所示通孔蚀刻方法过程中的部分结构示意图；
[0033]图6为本专利技术实施例提供的另一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图；
[0034]图7为本专利技术实施例提供的又一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图；
[0035]图8为本专利技术实施例提供的又一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图；
[0036]图9为本专利技术实施例提供的又一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图；
[0037]图10为本专利技术实施例提供的又一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图。
具体实施方式
[0038]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0039]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0040]参考图1，图1为本专利技术实施例提供的一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法的流程示意图。
[0041]所述通孔蚀刻方法包括：
[0042]S101：如图2所示，提供一预设尺寸和预设厚度的待处理玻璃基板10，所述待处理玻璃基板10包括中间区域AA和包围所述中间区域AA的边缘区域BB。
[0043]S102：如图3所示，对所述待处理玻璃基板10进行处理，在所述中间区域AA形成凹槽11。
[0044]S103：如图4所示，在所述凹槽11内形成多个通孔12。
[0045]S104：如图5所示，切割掉所述边缘区域BB，形成具有所述通孔12的目标玻璃基板13。
[0046]具体的，在该实施例中所述预设尺寸为520mm*520mm以上；所述预设厚度小于0.3mm；所述目标玻璃基板13的尺寸为500mm*500mm以上；所述目标玻璃基板1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法，其特征在于，所述通孔蚀刻方法包括：提供一预设尺寸和预设厚度的待处理玻璃基板，所述待处理玻璃基板包括中间区域和包围所述中间区域的边缘区域；对所述待处理玻璃基板进行处理，在所述中间区域形成凹槽；在所述凹槽内形成多个通孔；切割掉所述边缘区域，形成具有所述通孔的目标玻璃基板。2.根据权利要求1所述的通孔蚀刻方法，其特征在于，所述对所述待处理玻璃基板进行处理，在所述中间区域形成凹槽，包括：所述待处理玻璃基板包括相对设置的第一表面和第二表面，对所述第一表面的边缘区域进行保护处理；对所述第一表面的中间区域进行蚀刻薄化处理，以在所述中间区域形成凹槽。3.根据权利要求2所述的通孔蚀刻方法，其特征在于，所述对所述第一表面的边缘区域进行保护处理，包括：在所述第一表面的边缘区域贴合抗酸胶带。4.根据权利要求2所述的通孔蚀刻方法，其特征在于，在对所述第一表面的边缘区域进行保护处理之前，所述通孔蚀刻方法还包括：对所述待处理玻璃基板进...

【专利技术属性】
技术研发人员：易伟华，张迅，谢凯立，杨会良，徐艳勇，
申请(专利权)人：江西沃格光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：