电光元件用的复合基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种电光元件用的复合基板。复合基板具备：电光结晶基板，其具有电光效应，所述电光结晶基板为c轴与电光结晶基板的水平面形成10

Composite substrate for electro-optic elements and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
电光元件用的复合基板及其制造方法
[0001]本申请是申请号为2019800611222(国际申请号为PCT/JP2019/027570)、申请日为2019年7月11日、专利技术名称为“电光元件用的复合基板及其制造方法”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本说明书中公开的技术涉及利用电光效应的电光元件(例如光调制器)用的复合基板。

技术介绍

[0003]已知有光调制器这样的电光元件。电光元件能够利用电光效应而将电信号转换为光信号。电光元件为对于例如光电融合通信而言不可或缺的要素，为了实现高速且大容量的通信而进行着进一步的开发。
[0004]日本特开2010－85789号公报中公开一种光调制器。该光调制器为电光元件的一种，是使用复合基板而构成的。复合基板具备：电光结晶基板以及经由接合层而接合于电光结晶基板的支撑基板。支撑基板及接合层采用折射率比电光结晶基板的折射率低的材料。

技术实现思路

[0005]包括上述光调制器在内的以往的电光元件中，支撑基板的厚度越大，越能够提高复合基板的机械强度(即、电光元件的机械本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合基板，其是电光元件用的复合基板，所述复合基板的特征在于，具备：电光结晶基板，该电光结晶基板具有电光效应，所述电光结晶基板为c轴与电光结晶基板的水平面形成10
°
以内的角度的偏置基板；低折射率层，该低折射率层与所述电光结晶基板接触，且折射率比所述电光结晶基板的折射率低；以及支撑基板，该支撑基板至少经由接合层而接合于所述低折射率层，在所述低折射率层与所述支撑基板之间所存在的多个界面中的至少一个为粗糙度比所述电光结晶基板与所述低折射率层之间的界面的粗糙度大的界面。2.根据权利要求1所述的复合基板，其特征在于，所述粗糙度大的界面的算术平均粗糙度Ra在0.5nm～10nm的范围内。3.根据权利要求1所述的复合基板，其特征在于，所述低折射率层的厚度在0.1μm～10μm的范围内。4.根据权利要求1所述的复合基板，其特征在于，所述电光结晶基板的厚度在0.1μm～10μm的范围内。5.根据权利要求1所述的复合基板，其特征在于，所述粗糙度大的界面的粗糙度为所述电光结晶基板与所述低折射率层之间的界面的粗糙度的3倍以上。6.根据权利要求1所述的复合基板，其特征在于，所述粗糙度大的界面的粗糙度为所述电光结晶基板与所述低折射率层之间的界面的粗糙度的5倍以上。7.根据权利要求1所述的复合基板，其特征在于，所述电光结晶基板与所述低折射率层之间的界面的算术平均粗糙度Ra在0.03nm～0.5nm的范围内，所述粗糙度大的界面的算术平均粗糙度Ra在0.5nm～500nm的范围内。8.根据权利要求1所述的复合基板，其特征在于，所述粗糙度大的界面为所述低折射率层与所述接合层之间的界面。9.根据权利要求8所述的复合基板，其特征在于，所述低折射率层与所述接合层之间的界面的算术平均粗糙度Ra为所述低折射率层的厚度的千分之一以上。10.根据权利要求8所述的复合基板，其特征在于，所述低折射率层与所述接合层之间的界面的算术平均粗糙度Ra为0.5nm以上，所述低折射率层的厚度为0.5μm以上。11.根据权利要求1所述的复合基板，其特征在于，所述粗糙度大的界面为所述接合层与所述支撑基板之间的界面。12.根据权利要求1所述的复合基板，其特征在于，所述复合基板还具备位于所述低折射率层与所述接合层之间的中间层，所述粗糙度大的界面为所述中间层与所述接合层之间的界面。13.根据权利要求1所述的复合基板，其特征在于，
所述复合基板还具备位于所述接合层与所述支撑基板之间的中间层，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：鹈野雄大，多井知义，近藤顺悟，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：