光器件、光通信设备及光器件的制造方法技术

本申请涉及光器件、光通信设备及光器件的制造方法。一种光器件具有硅Si基板、接地电极、铌酸锂LN光波导和信号电极。接地电极是处于接地电位并且层叠在Si基板上的电极。LN光波导是由层叠在接地电极上的薄膜LN基板形成的光波导。信号电极是设置在与接地电极相对的位置处并且LN光波导插置于信号电极与接地电极之间，并且信号电极施加高频信号。并且信号电极施加高频信号。并且信号电极施加高频信号。

【技术实现步骤摘要】
光器件、光通信设备及光器件的制造方法


[0001]本文所讨论的实施方式涉及光器件、光通信设备及光器件的制造方法。

技术介绍

[0002]一般而言，例如，诸如光调制器之类的光器件包括光调制器芯片，在该光调制器芯片的表面上形成有光波导。信号电极设置在形成于光调制器芯片上的光波导上，并且如果向信号电极施加电压，则在光波导的内部生成相对于光调制器芯片的表面在垂直方向的电场。光波导的折射率因电场而变化；因此，在光波导中传播的光的相位改变，并由此可以调制光。即，形成于光调制器芯片上的光波导构成例如Mach
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Zehnder(马赫
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曾德尔)干涉仪，并且能够输出例如基于平行设置的多个光波导之间的光的相位差经过了XY偏振分复用的IQ信号。
[0003]如果光调制器芯片执行高速调制，则向沿光波导设置的信号电极输入具有例如几十千兆赫兹(GHz)的频带的高速信号。因此，有时，能够获得宽带传输特性的共面波导(CPW)结构被用于信号电极。即，有时，将信号电极和夹着该信号电极的一对接地电极设置在光波导上方。<br/>[0004]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光器件，该光器件包括：硅Si基板；接地电极，该接地电极处于接地电位并且层叠在所述Si基板上；铌酸锂LN光波导，该LN光波导由层叠在所述接地电极上的薄膜铌酸锂LN基板形成；以及信号电极，该信号电极设置在与所述接地电极相对的位置处并且所述LN光波导插置于所述信号电极与所述接地电极之间，并且所述信号电极施加高频信号。2.根据权利要求1所述的光器件，该光器件还包括：第一缓冲层，该第一缓冲层层叠在所述接地电极与所述薄膜LN基板之间；以及第二缓冲层，该第二缓冲层层叠在所述薄膜LN基板上并覆盖所述LN光波导，其中，所述信号电极在所述第二缓冲层的表面上设置在与所述LN光波导的位置交叠的位置处。3.根据权利要求1所述的光器件，其中，所述接地电极由与所述信号电极的材料不同的材料形成。4.根据权利要求1所述的光器件，该光器件还包括：支撑基板，该支撑基板形成于所述Si基板上；以及Si光波导，该Si光波导形成在所述支撑基板上，其中，所述Si光波导和所述LN光波导耦合。5.根据权利要求4所述的光器件，该光器件还包括氮化硅SiN光波导，该SiN光波导耦合在所述Si光波导和所述LN光波导之间。6.根据权利要求5所述的光器件，其中，所述Si光波导的输出级侧形成为直径逐渐变细，并且所述SiN光波导的输出级侧形成为直径逐渐变细，并且所述Si光波导的输出级耦合至所述SiN光波导的输入级，并且所述SiN光波导的输出级耦合至所述LN光波导的输入级。7.根据权利要求5所述的光器件，其中，所述Si光波导的输出级侧形成为直径逐渐变细，所述SiN光...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉山昌树，
申请(专利权)人：富士通光器件株式会社，
类型：发明
国别省市：