一种显示模块、MiniLED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术属于LED技术领域，公开了一种显示模块、Mini LED芯片及其制备方法，包括：提供加工衬底，基于加工衬底制备Mini LED芯片初胚；倒置Mini LED芯片初胚和加工衬底，剥离加工衬底；提供透光衬底，并层叠于倒置的Mini LED芯片初胚上，于Mini LED芯片初胚和透光衬底之间，键合地填充有透镜层。基于加工衬底加工制得Mini LED芯片初胚，将Mini LED芯片初胚与加工衬底分离后，提供透光衬底，于Mini LED芯片初胚和透光衬底之间填充透镜层；通过透镜层来过渡连接Mini LED芯片初胚和透光衬底，Mini LED芯片初胚发出的光线自其本身依次穿过透镜层和透光衬底，透镜层形成增透镜的作用，增加光线的穿透率，减少光线的反射损失，增强出光效率。效率。效率。

A display module, miniled chip and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种显示模块、Mini LED芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及LED技术，尤其涉及一种显示模块、Mini LED芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]现有图形化衬底主要基于正装芯片设计，一方面提升外延层的晶体质量，使得LED的内量子效率更高，另一方面，反射向后出射的光并使其从正面出射，提升光出射效率，同时，在衬底背面制作反射层(通常为分布式布拉格反射层，DBR)，加强光的反射效率，进一步增强光自LED正面的出射效率。
[0003]但是，在倒装芯片中，衬底背面为出光面，图形化衬底的强反射会降低出光效率。虽然DBR会再次反射光，但反射的光大部分被有源层吸收，数次反射后光的能量被转换成热量，导致衬底的出光面出光效率低。
[0004]鉴于此，需要对现有技术中的Mini LED加以改进，以解决芯片发出的光线被衬底吸收，出光效率低的技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种显示模块、Mini LED芯片及其制备方法，来解决以上的技术问题。
[0006]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0007]一种Mini LED芯片的制备方法，包括：
[0008]提供加工衬底，基于加工衬底制备Mini LED芯片初胚；
[0009]剥离加工衬底；
[0010]提供透光衬底，并层叠于Mini LED芯片初胚的发光面上，于Mini LED芯片初胚和透光衬底之间，键合地填充有透镜层；以制得Mini LED芯片。
[0011]可选的，透镜层的折射率介于透光衬底的折射率和Mini LED芯片初胚的折射率之间。
[0012]可选的，提供加工衬底，基于加工衬底制备Mini LED芯片初胚，具体包括：
[0013]提供加工衬底，于加工衬底的加工表面外延生长形成外延结构；
[0014]基于外延结构加工成型芯片层，制备Mini LED芯片初胚。
[0015]可选的，剥离加工衬底；具体包括：
[0016]提供一基板，将Mini LED芯片初胚远离加工衬底的一表面键合于基板；
[0017]沿Mini LED芯片初胚和加工衬底的连接面，使用激光剥离加工衬底。
[0018]可选的，基板包括载板，以及层叠于载板上的连接层，连接层用于连接Mini LED芯片初胚。
[0019]可选的，提供透光衬底，并层叠于Mini LED芯片初胚上，于Mini LED芯片初胚和透光衬底之间，键合形成透镜层，之后还包括：
[0020]去掉Mini LED芯片初胚上的基板，对Mini LED芯片进行切割处理，以形成若干个
单体的Mini LED芯片。
[0021]可选的，加工衬底的加工表面设有阵列排布的凹槽或凹坑，凹槽或凹坑的截面呈凹透镜状；
[0022]Mini LED芯片初胚靠近加工衬底的一表面形成有与凹槽或凹坑相匹配的阵列排布的凸起。
[0023]可选的，透光衬底的加工表面设有阵列排布的凹槽或凹坑。
[0024]可选的，加工衬底和透光衬底为同一衬底。
[0025]本专利技术还提供了一种Mini LED芯片，采用如上的制备方法制得，包括：透光衬底和芯片本体；
[0026]于透光衬底的加工表面和芯片本体的发光面之间，键合地填充有透镜层。
[0027]可选的，所述芯片本体的发光面设有若干个呈阵列排布的第一凹槽，所述芯片本体的发光面设有若干个呈阵列排布的第一凹坑；
[0028]所述透镜层的两端面分别设有与所述第一凹槽相匹配的第一凸起，与所述第一凹坑相匹配的第二凹槽。
[0029]本专利技术还提供了一种显示模块，包括采用如上的制备方法制得的Mini LED芯片。
[0030]与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：基于加工衬底加工制得Mini LED芯片初胚，将Mini LED芯片初胚与加工衬底分离后，提供透光衬底，于Mini LED芯片初胚和透光衬底之间填充透镜层；通过透镜层来过渡连接Mini LED芯片初胚和透光衬底，Mini LED芯片初胚发光面发出的光线依次穿过透镜层和透光衬底，透镜层形成增透镜的作用，增加光线的穿透率，减少光线的反射损失，增强出光效率。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0032]本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。
[0033]图1为Mini LED芯片的制备方法的提供加工衬底的结构示意图；
[0034]图2为Mini LED芯片的制备方法的外延生长的结构示意图；
[0035]图3为Mini LED芯片的制备方法的芯片加工的结构示意图；
[0036]图4为Mini LED芯片的制备方法的键合至基板的结构示意图；
[0037]图5为Mini LED芯片的制备方法的激光剥离加工衬底的结构示意图；
[0038]图6为Mini LED芯片的制备方法的键合透光衬底的结构示意图；
[0039]图7为单体的Mini LED芯片的结构示意图；
[0040]图8为显示模块的结构示意图。
[0041]图2至图6依次为Mini LED芯片的制备方法的各步骤所呈现的结构示意图。
[0042]图示说明：
[0043]Mini LED芯片初胚100、加工衬底110、本征层120、n型层130、发光层140、电子阻挡层150、p型层160、透明导电层170、反射层180、p电极191、n电极192；
[0044]基板300、载板311、连接层312、透镜层400、透光衬底500。
具体实施方式
[0045]为使得本专利技术的专利技术目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而非全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0046]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。需要说明的是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Mini LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供加工衬底，基于所述加工衬底制备Mini LED芯片初胚；剥离所述加工衬底；提供透光衬底，并层叠于所述Mini LED芯片初胚的发光面上，于所述Mini LED芯片初胚和所述透光衬底之间，键合地填充有透镜层；以制得Mini LED芯片。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述透镜层的折射率介于所述透光衬底的折射率和所述Mini LED芯片初胚的折射率之间。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述提供加工衬底，基于所述加工衬底制备Mini LED芯片初胚，具体包括：提供加工衬底，于所述加工衬底的加工表面外延生长形成外延结构；基于所述外延结构加工成型芯片层，制备Mini LED芯片初胚。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述剥离所述加工衬底；具体包括：提供一基板，将所述Mini LED芯片初胚远离所述加工衬底的一表面键合于所述基板；沿所述Mini LED芯片初胚和所述加工衬底的连接面，使用激光剥离所述加工衬底。5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述基板包括载板，以及层叠于所述载板上的连接层，所述连接层用于连接所述Mini LED芯片初胚。6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述提供透光衬底，并层叠于所述Mini LED芯片初胚上，...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄文荣，卢敬权，
申请(专利权)人：东莞市中麒光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：