本发明专利技术提供一种微型发光二极管结构与微型发光二极管显示装置。微型发光二极管结构包括磊晶结构、电极层以及阻障层。磊晶结构具有表面。电极层配置于磊晶结构的表面上。阻障层配置于电极层上。阻障层于磊晶结构上的正投影面积大于且覆盖电极层于磊晶结构上的正投影面积。本发明专利技术利用阻障层来包覆住电极层,可以避免后续回焊制程时产生共晶的问题。因此,本发明专利技术的微型发光二极管结构,可具有较佳的电性与结构可靠度,而采用本发明专利技术的微型发光二极管结构的微型发光二极管显示装置,则可具有较佳的显示良率。的显示良率。的显示良率。
Micro LED structure and micro LED display device
【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管结构与微型发光二极管显示装置
[0001]本专利技术涉及一种发光结构及发光装置,尤其涉及一种微型发光二极管结构与微型发光二极管显示装置。
技术介绍
[0002]在现有的锡接垫制程中,阻障层在磊晶结构上的正投影面积是等于电极层在磊晶结构上的正投影面积,因此后续转移接合显示背板进行回焊制程(Reflow process)时,高温易导致锡合金会与电极层形成金属共晶,进而影响微型发光二极管显示装置的电性及结构可靠度。
技术实现思路
[0003]本专利技术是针对一种微型发光二极管结构,其具有较佳的电性与结构可靠度。
[0004]本专利技术是针对一种微型发光二极管显示装置,其包括上述的微型发光二极管结构,可具有较佳的显示良率。
[0005]根据本专利技术的实施例,微型发光二极管结构包括磊晶结构、电极层以及阻障层。磊晶结构具有表面。电极层配置于磊晶结构的表面上。阻障层配置于电极层上。阻障层于磊晶结构上的正投影面积大于且覆盖电极层于磊晶结构上的正投影面积。
[0006]根据本专利技术的实施例,微型发光二极管显示装置包括显示基板以及多个微型发光二极管结构。这些微型发光二极管结构配置于显示基板上,且包括磊晶结构、电极层以及阻障层。磊晶结构具有表面。电极层配置于磊晶结构的表面上。阻障层配置于电极层上。阻障层于显示基板上的正投影面积大于且覆盖电极层于显示基板上的正投影面积。焊料层配置于阻障层上。焊料层与对应的这些接垫接合,而使这些微型发光二极管结构电性连接于显示基板。
[0007]基于上述,在本专利技术的微型发光二极管结构的设计中,阻障层于磊晶结构上的正投影面积大于且覆盖电极层于磊晶结构上的正投影面积。也就是说,本专利技术利用阻障层来包覆住电极层,可以避免后续回焊制程时产生共晶的问题。因此,本专利技术的微型发光二极管结构,可具有较佳的电性与结构可靠度,而采用本专利技术的微型发光二极管结构的微型发光二极管显示装置,则可具有较佳的显示良率。
附图说明
[0008]图1A是依照本专利技术的一实施例的一种微型发光二极管结构的剖面示意图;
[0009]图1B是图1A的微型发光二极管结构的俯视示意图;
[0010]图1C是依照本专利技术的另一实施例的一种微型发光二极管结构的剖面示意图;
[0011]图2是依照本专利技术的另一实施例的一种微型发光二极管结构的剖面示意图;
[0012]图3是依照本专利技术的另一实施例的一种微型发光二极管结构的剖面示意图;
[0013]图4是依照本专利技术的另一实施例的一种微型发光二极管结构的剖面示意图;
[0014]图5是依照本专利技术的另一实施例的一种微型发光二极管结构的剖面示意图;
[0015]图6是依照本专利技术的另一实施例的一种微型发光二极管结构的剖面示意图;
[0016]图7是依照本专利技术的另一实施例的一种微型发光二极管结构的俯视示意图;
[0017]图8是依照本专利技术的另一实施例的一种微型发光二极管结构的俯视示意图;
[0018]图9是依照本专利技术的一实施例的一种微型发光二极管显示装置的剖面示意图。
[0019]附图标记说明
[0020]10:微型发光二极管显示装置;
[0021]20:显示基板;
[0022]22:接垫;
[0023]100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100i、100j:微型发光二极管结构;
[0024]110a、110d:磊晶结构;
[0025]112a、112d:第一型半导体层;
[0026]114a、114d:发光层;
[0027]115a:贯孔;
[0028]116a、116d:第二型半导体层;
[0029]116d1:第一部分;
[0030]116d2:第二部分;
[0031]120a、120c:电极层;
[0032]122a、122c:第一型电极;
[0033]123:第一凹槽;
[0034]124a、124c:第二型电极;
[0035]125:第二凹槽;
[0036]130a、130c、130e、130f、130i、130j:阻障层;
[0037]132a、132c、132e、132f、132i、132j:第一阻障部;
[0038]133、135:凹槽;
[0039]134a、134c、134e、134f、134i、134j:第二阻障部;
[0040]140a、140d:绝缘层;
[0041]142a、142d:第一开口;
[0042]144a、144d:第二开口;
[0043]150a、150b、150f、150g、150i、150j:焊料层;
[0044]B:基底;
[0045]E1:第一边缘;
[0046]E2:第二边缘;
[0047]G:间距;
[0048]H:水平距离;
[0049]L、W:宽度;
[0050]M:平台;
[0051]S1:表面;
[0052]S2、S3、S4、S5:周围表面;
[0053]T、T1、T2:厚度。
具体实施方式
[0054]现将详细地参考本专利技术的示范性实施例,示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能,相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
[0055]图1A是依照本专利技术的一实施例的一种微型发光二极管结构的剖面示意图。图1B是图1A的微型发光二极管结构的俯视示意图。请先参考图1A,在本实施例中,微型发光二极管结构100a包括磊晶结构110a、电极层120a以及阻障层130a。磊晶结构110a具有表面S1。电极层120a配置于磊晶结构110a的表面S1上。阻障层130a配置于电极层120a上。阻障层130a于磊晶结构110a上的正投影面积大于且覆盖电极层120a于磊晶结构110a上的正投影面积。也就是说,阻障层130a可以包覆住电极层120a,以避免后续回焊制程时产生的共晶现象,可确保本实施例的微型发光二极管结构100a具有较佳的电性及结构可靠度。
[0056]详细来说,在本实施例中,磊晶结构110a包括第一型半导体层112a、发光层114a、第二型半导体层116a以及贯孔115a。发光层114a位于第一型半导体层112a与第二型半导体层116a之间。贯孔115a贯穿第一型半导体层112a、发光层114a以及部分第二型半导体层116a。第一型半导体层112a与第二型半导体层116a其中的一者为P型半导体层,而第一型半导体层112a与第二型半导体层116a其中的另一者为N型半导体层。再者,本实施例的微型发光二极管结构100a还包括绝缘层140a,配置于磊晶结构110a上,且覆盖磊晶结构110a的表面S1以及周围表面S2。绝缘层140a具有暴露出第一型半导体层112a的第一开口142a与暴露出第二型半导体层116a的第二开口144a,其本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管结构,其特征在于,包括:磊晶结构,具有表面;电极层,配置于所述磊晶结构的所述表面上;以及阻障层,配置于所述电极层上,其中所述阻障层于所述磊晶结构上的正投影面积大于且覆盖所述电极层于所述磊晶结构上的正投影面积。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管结构,其特征在于,所述电极层包括第一型电极以及第二型电极,而所述阻障层包括第一阻障部以及第二阻障部,所述第一阻障部覆盖所述第一型电极,而所述第二阻障部覆盖所述第二型电极,且所述第一型电极与所述第二型电极为相反电性。3.根据权利要求2所述的微型发光二极管结构,其特征在于,还包括:绝缘层,配置于所述磊晶结构上,且覆盖所述磊晶结构的所述表面以及周围表面,所述磊晶结构包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层,所述发光层位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间,所述绝缘层具有暴露出所述第一型半导体层的第一开口与暴露出所述第二型半导体层的第二开口,所述第一型电极配置于所述绝缘层上且延伸至所述第一开口内并与所述第一型半导体层电性连接,所述第二型电极配置于所述绝缘层上且延伸至所述第二开口内并与所述第二型半导体层电性连接。4.根据权利要求3所述的微型发光二极管结构,其特征在于,所述第一阻障部直接接触所述绝缘层与所述第一型电极,而所述第二阻障部直接接触所述绝缘层与所述第二型电极。5.根据权利要求3所述的微型发光二极管结构,其特征在于,所述第一型电极具有第一凹槽,而所述第二型电极具有第二凹槽,所述第一阻障部延伸至所述第一凹槽内且与所述第一型电极共形设置,而所述第二阻障部延伸至所述第二凹槽内且与所述第二型电极共形设置。6.根据权利要求1所述的微型发光二极管结构,其特征在于,所述阻障层的厚度与所述磊晶结构的厚度...
【专利技术属性】
技术研发人员:彭宥箖,彭琬容,陈飞宏,蔡百扬,林子旸,
申请(专利权)人:錼创显示科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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