加工与检测装置及方法制造方法及图纸

技术编号:43465527 阅读:20 留言:0更新日期:2024-11-27 13:02
本发明专利技术提供一种加工与检测装置与一种加工与检测方法,加工与检测装置用以对加工物件进行加工与检测。加工与检测装置包括承载平台、激光单元、波长测量单元及计算单元。承载平台用以承载加工物件,加工物件包括基板及其上的多个微型发光二极管。激光单元用以对承载平台上的加工物件执行工艺工序,且激发各微型发光二极管辐射出光信号。波长测量单元用以对各微型发光二极管受激辐射的光信号执行实时测量,以获取各微型发光二极管的光谱。计算单元用以分析这些微型发光二极管的光谱,以判断工艺工序是否有异常。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种加工与检测装置及方法


技术介绍

1、随着半导体技术的进步,发光二极管的工艺越来越成熟,且往多样化发展,其中一种发展是将发光二极管越作越小,小至现今所谓的微型发光二极管。

2、在微型发光二极管的工艺中,一种技术是将大量的微型发光二极管从一个基板转移至另一个基板上,其中可以使用激光照射微型发光二极管,以使微型发光二极管从一个基板剥离。

3、然而,采用激光照射发光二极管的剥离工艺有时候会未能正常地使微型发光二极管剥离,例如微型发光二极管未完全地剥离,或者微型发光二极管在剥离的过程中受损。但是,由于微型发光二极管尺寸很小,采用现有技术的制造者无法立即得知激光剥离工艺是否正常地完成。


技术实现思路

1、本专利技术是针对一种加工与检测装置,其可在加工时立即检测。

2、本专利技术是针对一种加工与检测方法,其可在加工时立即检测。

3、本专利技术的一实施例提出一种加工与检测装置,用以对加工物件进行加工与检测。加工与检测装置包括承载平台、激光单元、波长测量单元及本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种加工与检测装置,其特征在于,用以对加工物件进行加工与检测,所述加工与检测装置包括:

2.根据权利要求1所述的加工与检测装置,其特征在于,还包括预设数据库,所述预设数据库包括至少一正常光谱或异常光谱,以供所述计算单元将各所述多个微型发光二极管的所述光谱与所述预设数据库比对。

3.根据权利要求1所述的加工与检测装置,其特征在于,所述波长测量单元包括:

4.根据权利要求3所述的加工与检测装置,其特征在于,相邻的所述多个光电二极管的间距至少部分不相同。

5.根据权利要求3所述的加工与检测装置,其特征在于,所述多个光电二极管所检测的波长的差异...

【技术特征摘要】

1.一种加工与检测装置,其特征在于,用以对加工物件进行加工与检测,所述加工与检测装置包括:

2.根据权利要求1所述的加工与检测装置,其特征在于,还包括预设数据库,所述预设数据库包括至少一正常光谱或异常光谱,以供所述计算单元将各所述多个微型发光二极管的所述光谱与所述预设数据库比对。

3.根据权利要求1所述的加工与检测装置,其特征在于,所述波长测量单元包括:

4.根据权利要求3所述的加工与检测装置,其特征在于,相邻的所述多个光电二极管的间距至少部分不相同。

5.根据权利要求3所述的加工与检测装置,其特征在于,所述多个光电二极管所检测的波长的差异至少部分不相同。

6.根据权利要求3所述的加工与检测装置,其特征在于,所述多个光电二极管对波长的响应曲线至少部分不相同。

7.根据权利要求3所述的加工与检测装置,其特征在于,所述波长测量单元还包括屏蔽,配置于所述多个光电二极管的至少一部分与所述色散元件之间,以沿所述色散方向缩减所述多个光电二极管的波长感测范围。

8.根据权利要求3所述的加工与检测装置,其特征在于,所述波长测量单元还包括收光元件,配置于所述多个光电二极管的至少一部分与所述色散元件之间,以沿所述色散方向扩增所述多个光电二极管的波长感测范围。

9.根据权利要求3所述的加工与检测装置,其特征在于,所述多个光电二极管的反应时间短于各所述多个微型发光二极管受激发后辐射出所述光信号的持续时间。

10.根据权利要求3所述的加工与检测装置,其特征在于,所述激光单元发出激光以激发各微型发光二极管辐射出所述光信号,且所述多个光电二极管的反应时间短于所述激光的周期。

11.一种加工与检测方法,其特征在于,包括:

12.根据权利要求11所述的加工与检测方法,其特征在于,所述计算单元...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈彦穆
申请(专利权)人:錼创显示科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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