一种垂直结构LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种垂直结构LED芯片及其制备方法，该LED芯片从下往上依次包括衬底层、粘结层、键合层、电流阻挡层、N电极层、第二绝缘层、金属保护层、金属反射层、第一绝缘层，p

A vertical structure LED chip and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种垂直结构LED芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体
，具体涉及一种垂直结构LED芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前发光二极管(Light Emitting Diode，LED)已广泛用于室内外照明，室外照明、车灯以及手持照明等应用领域。发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是靠PN结把电能转换成光能的一种器件，具有可控性好、启动快、寿命长、发光效率高、安全、节能环保等优点，不仅带动照明产业的深刻变革，同时还引领着显示屏领域的创新。随着LED产业的发展，LED芯片性能也在不断提升，其中芯片的漏电性能的好坏对质量起着重要作用。
[0003]导致芯片漏电的原因有多种，一是芯片生产过程中受到沾污，如灰尘、水汽、各种杂质离子会附着与芯片表面，不仅会在表面对芯片内部产生作用，还会扩散进入芯片内部产生作用，二是应力作用，在温度反复变化的过程中，各物质很难它们最初状态，相互间会保持有一定的应力，应力的作用，使得表面原子发生微位移，从而造成端面PN结处的能级状态发生改变，造成漏电，三是芯片自本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，从下往上依次包括衬底层、粘结层、键合层、电流阻挡层、N电极层、第二绝缘层、金属保护层、金属反射层、第一绝缘层，p
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GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、n
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GaN层、钝化层和P电极；其中，n
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GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和p
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GaN层形成LED外延片，N电极层开设有用于与LED外延片导通的N孔，第一绝缘层与N孔连接。2.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述金属反射层的材料为Ag和/或Ni，厚度为100nm～300nm。3.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述第一绝缘层沉积的材料为SiO2和/或Si3N4，沉积厚度为100nm～300nm。4.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述衬底层的材料为蓝宝石、硅和碳化硅中的一种；所述金属保护层为Cr、Pt、Au和Ti中的一种或两种以上。5.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述粘结层为Cr、Ti、Ni、Al、Pt和Au中的一种或两种以上，粘结层的总厚度为10nm～1000nm；所述键合层为AuSn、NiSn、CuSn和AuSi中的一种或两种以上，键合层的总厚度为1000～9000nm。6.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述N电极层所用的金属为Ti、Cr、Ni、Al、Pt和Au中的一种或两种以上；所述N电极层的总厚度为500nm～5000nm。7.权利要求1～6任一项所述的垂直结构LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：广州市众拓光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：