半导体器件互联结构的制作方法技术

本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种半导体器件互联结构的制作方法。该方法包括：提供半导体器件；在半导体器件上定义接触孔图案；基于接触孔图案，刻蚀半导体器件形成接触孔初级结构，使得接触孔初级结构的底端停留在刻蚀停止层中；沉积底部抗反射填充层，使得底部抗反射填充层填满接触孔初级结构，并覆盖在半导体器件上；在半导体器件上定义互联线槽图案；基于互联线槽图案，刻蚀半导体器件的上部，形成互联线槽结构，位于互联线槽结构中的接触孔初级结构被刻蚀去除形成接触孔次级结构；去除填充在接触孔次级结构中的底部抗反射填充层；使得接触孔次级结构向下延伸形成接触孔结构，接触孔结构与下层金属层接触。触。触。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件互联结构的制作方法


[0001]本申请涉及半导体集成电路
，具体涉及一种半导体器件互联结构的制作方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，双大马士革工艺制程逐渐广泛应用，相比于单大马士革，双大马士革制程少进行一次金属化学机械研磨过程，因此成本大大降低。
[0003]但是随着客户需求多样化，对大马士革制程制造出的接触孔有着更高的要求，而相关技术中的大马士革制程容易使得接触孔的轮廓变形，进而使得后续填充工艺中出现填充不足的问题，对互联结构的造成不利影响。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种半导体器件互联结构的制作方法，可以解决相关技术导致接触孔的轮廓变形的问题。
[0005]为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请提供一种半导体器件互联结构的制作方法，所述半导体器件互联结构的制作方法包括以下步骤：
[0006]提供半导体器件，所述半导体器件包括由下至上依次层叠的下层金属层、刻蚀停止层和介质层；
[0007]在所述半导体器件上定义接触孔图案；r/>[0008]基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件互联结构的制作方法，其特征在于，所述半导体器件互联结构的制作方法包括以下步骤：提供半导体器件，所述半导体器件包括由下至上依次层叠的下层金属层、刻蚀停止层和介质层；在所述半导体器件上定义接触孔图案；基于所述接触孔图案，刻蚀所述半导体器件形成接触孔初级结构，使得所述接触孔初级结构的底端停留在所述刻蚀停止层中；沉积底部抗反射填充层，使得所述底部抗反射填充层填满所述接触孔初级结构，并覆盖在所述半导体器件上；在所述半导体器件上定义互联线槽图案；基于所述互联线槽图案，刻蚀所述半导体器件的上部，形成互联线槽结构，位于所述互联线槽结构中的所述接触孔初级结构被刻蚀去除形成接触孔次级结构；去除填充在所述接触孔次级结构中的底部抗反射填充层；使得所述接触孔次级结构向下延伸形成接触孔结构，所述接触孔结构与所述下层金属层接触。2.如权利要求1所述的半导体器件互联结构的制作方法，其特征在于，所述提供半导体器件的步骤中，所述半导体器件还包括介质抗反射层，所述介质抗反射层覆盖在所述介质层上。3.如权利要求2所述的半导体器件互联结构的制作方法，其特征在于，所述沉积底部抗反射填充层，使得所述底部抗反射填充层填满所述接触孔初级结构，并覆盖在所述半导体器件上的步骤，包括：沉积底部抗反射填充层，使得所述底部抗反射填充层填满所述接触孔初级结构，并覆盖在所述半导体器件的介质抗反射层上。...

【专利技术属性】
技术研发人员：高国磊，张磊，王晓日，卢丛阳，祝建，禹楼飞，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：