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本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种半导体器件互联结构的制作方法。该方法包括：提供半导体器件；在半导体器件上定义接触孔图案；基于接触孔图案，刻蚀半导体器件形成接触孔初级结构，使得接触孔初级结构的底端停留在刻蚀停止层中；沉积底部抗反...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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