新型光电池器件制造技术

本申请公开了一种新型光电池器件。该器件包括：绝缘衬底，光电复合结构，设置在所述绝缘衬底的顶部，用于产生光电效应；所述光电复合结构为由至少两层不同的光电材料层复合而成；电极组，与所述光电复合结构相接触，用于将所述光电复合结构产生的电信号传输给接收设备；通过光电复合结构替代单层光电结构产生光电效应，实现了能够同时满足光电池的高偏振敏感低，良好的光响应特性，高光电转换效率，以及在降低功耗的同时保证较大的自旋隧穿磁阻效应。本申请解决了无法同时满足光电池的高偏振敏感低，良好的光响应特性，高光电转换效率，以及在降低功耗的同时保证较大的自旋隧穿磁阻效应的技术问题。应的技术问题。应的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
新型光电池器件


[0001]本申请涉及光电器件领域，具体而言，涉及一种新型光电池器件。

技术介绍

[0002]专利技术人发现，采用单层光电结构产生光生电效应，虽然结构简单，但是无法同时满足光电池的高偏振敏感低，良好的光响应特性，高光电转换效率，以及在降低功耗的同时保证较大的自旋隧穿磁阻效应。
[0003]针对相关技术无法同时满足光电池的高偏振敏感低，良好的光响应特性，高光电转换效率，以及在降低功耗的同时保证较大的自旋隧穿磁阻效应的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

技术实现思路

[0004]本申请的主要目的在于提供一种新型光电池器件，以解决无法同时满足光电池的高偏振敏感低，良好的光响应特性，高光电转换效率，以及在降低功耗的同时保证较大的自旋隧穿磁阻效应的问题。
[0005]为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种新型光电池器件。
[0006]根据本申请的新型光电池器件包括：绝缘衬底，光电复合结构，设置在所述绝缘衬底的顶部，用于产生光电效应；所述光电复合结构为由至少两层不同的光电材料层复合而成；电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型光电池器件，其特征在于，包括：绝缘衬底，光电复合结构，设置在所述绝缘衬底的顶部，用于产生光电效应；所述光电复合结构为由至少两层不同的光电材料层复合而成；电极组，与所述光电复合结构相接触，用于将所述光电复合结构产生的电信号传输给接收设备。2.根据权利要求1所述的新型光电池器件，其特征在于，所述电极组包括：第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别设置在所述光电复合结构的顶部靠近两端的位置，或设置在所述光电复合结构的内部靠近两端的位置，或设置在所述绝缘衬底的内部靠近两端的位置且从其顶部探出。3.根据权利要求1所述的新型光电池器件，其特征在于，所述光电复合结构包括：CrI3器件结构层和MgCl2/ZnBr2垂直异质结构层，所述CrI3器件结构层设置在所述绝缘衬底的顶部，所述MgCl2/ZnBr2垂直异质结构层设置在所述CrI3器件结构层的顶部。4.根据权利要求1所述的新型光电池器件，其特征在于，所述光电复合结构包括：CrI3器件结构层和MgBr2/CdCl2垂直异质结构层，所述CrI3器件结构层设置在所述绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明艳，谢逸群，钱立玉，
申请(专利权)人：浙江鸿之微信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：