一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装置，包括镂空载板；镂空载板具有呈矩形阵列排布的多个单元框；单元框内具有一根或多根支撑杆；单元框内嵌设有半成品异质结电池片；镶嵌满半成品异质结电池片的镂空载板的正反表面均镀有透明导电薄膜层。本实用新型专利技术公开提供了一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装置，该装置能够规避大尺寸硅片放入载板和传输过程中产生的破片风险，同时使硅片向着更薄的方向上发展。硅片向着更薄的方向上发展。硅片向着更薄的方向上发展。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装置


[0001]本技术涉及太阳能电池制造
，更具体的说是涉及一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装置。

技术介绍

[0002]随着太阳能电池技术的发展，高效电池的开发越来越受重视。其中用非晶硅本征层(a
‑
Si:H(i))钝化的硅基异质结太阳电池(HJT电池)是重点的研究方向之一。众所周知，硅基异质结太阳电池不仅有高的转化效率、高的开路电压，而且具有低的温度系数、无光致衰减(LID)、无电致衰减(PID)、低的制备工艺温度、工艺流程短等优势。另外硅基异质结电池在保证高转化效率的同时，硅片厚度可减薄至100μm，有效减少了硅料耗量，并可用来制备可弯曲电池组件。
[0003]申请人的超高效异质结电池量产HJT电池平均效率已经达到24.4％，双面率更是达到93％。由于具备双面发电的特性，在草地、水泥地面、雪地、反光布等场景下，组件背面可产生10％
‑
30％额外发电量。功率温度系数低达
‑
0.27％/℃，相比普通多晶组件，本申请人的异质结组件在75℃工作温度下可挽回34％的发电量损失。
[0004]太阳能电池尺寸的发展由过去的125mm*125mm到156mm*156mm目前已经发展到158mm*158mm、166mm*166mm、18xmm*18xmm、210mm*210mm，相比于主流的PERC电池，异质结电池因其整线核心工序采用的是板式镀膜，因此对大尺寸生产相比于管式镀膜有天然的优势，同时也更容易实现在原有小尺寸生产线上的改造升级，大尺寸规格为异质结电池发展的必然趋势。从166mm*166mm尺寸发展起来后组件多采用多主栅同半片结合的方式，这是因为半片组件更容易降低电流部分带来的功率损失，磁控溅射和反应等离子沉积镀膜技术为当下的主要两种沉积透明导电薄膜的技术，其镀膜方式均是采用载体即载板支撑衬底硅片，在原有的156mm*156mm上多采用直接将硅片放入到载板的口袋中(pocket)，但是到166mm*166mm甚至更大规格尺寸，放入口袋中容易出现由于自身重量问题导致的中间部分下沉，这一点尤其在薄硅片上尤为明显，增大了破片产生的风险，同时载板在滚轮上传输容易产生颠簸，更加地加剧了这一问题的发生，成为异质结电池大尺寸发展道路上的一个屏障。
[0005]因此，如何提供一种规避大尺寸硅片放入载板和传输过程中产生破片风险，同时使硅片向着更薄的方向上发展的载体装置，是本领域技术人员亟需解决的问题。

技术实现思路

[0006]有鉴于此，本技术提供了一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装置，旨在解决上述技术问题。
[0007]为了实现上述目的，本技术采用如下技术方案：
[0008]一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装置，包括镂空载板；所述镂空载板具有呈矩形阵列排布的多个单元框；所述单元框内具有一根或多根支撑杆；所述单元框内嵌
设有半成品异质结电池片；镶嵌满所述半成品异质结电池片的所述镂空载板的正反表面均镀有透明导电薄膜层。
[0009]优选的，在上述一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装置中，当所述支撑杆的数量为1根时，所述支撑杆将所述单元框二等分；当所述支撑杆的数量为2根时，2根所述支撑杆将所述单元框三等分。
[0010]优选的，在上述一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装置中，所述支撑杆的宽度为1
‑3㎜
。
[0011]优选的，在上述一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装置中，所述半成品异质结电池片包括晶体硅基底，以及依次形成在所述晶体硅基底正反表面的本征非晶硅薄膜层和掺杂非晶硅薄膜层。
[0012]优选的，在上述一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装置中，每块所述半成品异质结电池片镀覆所述透明导电薄膜层后，正反表面还固化有金属电极。
[0013]优选的，在上述一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装置中，所述镂空载板为不锈钢、航空铝或钛合金材质。
[0014]优选的，在上述一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装置中，所述支撑杆与所述镂空载板的材质相同。
[0015]经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本技术公开提供了一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装置，该装置能够规避大尺寸硅片放入载板和传输过程中产生的破片风险，同时使硅片向着更薄的方向上发展。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0017]图1附图为常规的载板的示意图；
[0018]图2附图为本技术提供的成品的异质结电池片的示意图；
[0019]图3附图为本技术提供的单元框内设置一根支撑杆的示意图；
[0020]图4附图为本技术提供的单元框内设置两根支撑杆的示意图；
[0021]图5附图为图3安装半成品异质结电池片后镀透明导电薄膜层的示意图；
[0022]图6附图为图3安装半成品异质结电池片后镀透明导电薄膜层的示意图。
[0023]其中：
[0024]1‑
镂空载板；
[0025]11
‑
单元框；12
‑
支撑杆；
[0026]2‑
半成品异质结电池片；
[0027]21
‑
晶体硅基底；22
‑
本征非晶硅薄膜层；23
‑
掺杂非晶硅薄膜层；
[0028]3‑
透明导电薄膜层；
[0029]4‑
金属电极。
具体实施方式
[0030]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0031]参见附图2至附图6，为了解决上述技术问题，本实施例的大尺寸规格异质结电池的载体装置，不影响正常的异质结电池的生产流程，先将晶体硅基底21，即硅片通过化学药品清洗形成硅片表面的织构化，再在织构化的硅片表面正背面形成非晶硅薄膜层，非晶硅薄膜层包括本征非晶硅薄膜层22和掺杂非晶硅薄膜层23，如图2所示；然后在非晶硅薄膜层的正背面形成透明导电薄膜层3，之后再在透明导电薄膜层3的正背面覆盖金属电极4并固化金属电极4。
[0032]本实施例可用于现在量产性高的磁控溅射设备和反应等离子体沉积设备上，但不限于目前这两种常见的透明导电薄膜沉积设备上。
[0033]如图1所示，镂空载板1为横纵交错的具有镂空结构，半成品异质本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装置，其特征在于，包括镂空载板(1)；所述镂空载板(1)具有呈矩形阵列排布的多个单元框(11)；所述单元框(11)内具有一根或多根支撑杆(12)；所述单元框(11)内嵌设有半成品异质结电池片(2)；镶嵌满所述半成品异质结电池片(2)的所述镂空载板(1)的正反表面均镀有透明导电薄膜层(3)。2.根据权利要求1所述的一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装置，其特征在于，所述支撑杆(12)的数量为1根，所述支撑杆(12)将所述单元框(11)二等分。3.根据权利要求1所述的一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装置，其特征在于，所述支撑杆(12)的数量为2根，2根所述支撑杆(12)将所述单元框(11)三等分。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的一种适用于大尺寸规格异质结电池的载体装...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄金，王继磊，杨立友，鲍少娟，白焱辉，郭磊，杨骥，师海峰，贾慧君，
申请(专利权)人：晋能清洁能源科技股份公司，
类型：新型
国别省市：