一种薄膜太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术属于光伏技术领域，特别涉及一种薄膜太阳电池及其制备方法。本发明专利技术提供的薄膜太阳电池，包括依次层叠设置的衬底、第一载流子传输层、p型光学吸收层、n型窗口层、铁电膜层、第二载流子传输层和金属栅电极层；所述铁电膜层的材质包括BaTiO3、KNbO3、NaNbO3或BiFeO3。本发明专利技术同时利用传统光伏器件的p

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜太阳电池及其制备方法


[0001]本专利技术属于光伏
，特别涉及一种薄膜太阳电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]太阳能电池利用光生伏特效应可直接将太阳能转化为电能，是太阳能的有效利用技术，可缓解人们日常生产和生活对电能不断增加的需求。太阳能电池的工作原理是：光吸收层在光照下产生电子
‑
空穴对，在两种半导体材料构成的p
‑
n结的内建电场作用下分离，产生载流子，经由载流子传输层移向电极，外接负载后形成回路。太阳能电池中，薄膜太阳电池(CIGS)材料吸收系数高，抗辐射能力强，弱光性能好，无光致衰减，稳定，寿命长，是一种理想的光吸收材料。
[0003]但是CIGS由于带隙限制和低的内建电场，难以实现光生载流子的有效分离和电荷的高效传输(Shockley,W.and Queisser,H.J.(1961)Detailed Balance Limit of Efficiency of PN Junction Solar Cells.Journal of Applied Physics,32,5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜太阳电池，包括依次层叠设置的衬底、第一载流子传输层、p型光学吸收层、n型窗口层、铁电膜层、第二载流子传输层和金属栅电极层；所述铁电膜层的材质包括BaTiO3、KNbO3、NaNbO3或BiFeO3。2.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池，其特征在于，所述第一载流子传输层和第二载流子传输层的材质独立地包括钼或透明导电氧化物；所述透明导电氧化物包括铝掺杂氧化锌、氟掺杂锡氧化物或锡掺杂铟氧化物；所述第一载流子传输层的厚度为750～880nm；所述第二载流子传输层的厚度为470～700nm。3.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池，其特征在于，所述p型光学吸收层的材质包括Cu(In1‑
x
Ga
x
)(Se,S)2、Cu2BaSn(S
x
Se1‑
x
)4、Cu2MnSn(S
x
Se1‑
x
)4或Cu2ZnSn(S
x
Se1‑
x
)4，x的取值独立地为0～1；所述p型光学吸收层的厚度为1.5～2.5μm。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李辉，李丛梦，古宏伟，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：