半导体装置的制造方法及半导体装置制造方法及图纸

暂时停留在第一区域(301)中的焊料(106)处于高曲率状态，因此在焊料(106)的顶点处与半导体元件(105)点接触。然后，一边将半导体元件(105)压向焊料(106)，一边使焊料(106)从第一区域(301)向第二区域(302)从中央部向周边部慢慢润湿扩展。此时，在排斥空气的同时，焊料(106)润湿扩展，因此能够抑制空隙的产生。因此能够抑制空隙的产生。因此能够抑制空隙的产生。

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法及半导体装置


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法及半导体装置。

技术介绍

[0002]半导体元件被缩小化，在半导体元件的焊料接合中，为了得到散热性和短路耐量，要求防止焊料内部产生空隙。
[0003]在专利文献1中记载了如下技术：在引线框的表面，与半导体元件相对地设置由框状的堤防部划定的凹状区域，通过堤防部阻挡所供给的熔融焊料，在搭载半导体元件的工序中，将被阻挡状态的熔融焊料润湿扩展到堤防部的外侧。现有技术文献专利文献
[0004]专利文献1：日本专利特开2015
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109294号公报

技术实现思路

专利技术要解决的课题
[0005]在上述专利文献1所记载的技术中，不能充分地防止焊料内部的空隙的产生和焊料溢出。用于解决课题的手段
[0006]本专利技术的半导体装置的制造方法包括：第一工序，在引线框的第一面形成第一区域和第二区域，所述第二区域包围所述第一区域的外周并且焊料的润湿扩展性与所述第一区域相比相对较低；第二工序，在所述引线框的所述第一区域上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，在引线框的第一面形成第一区域和第二区域，所述第二区域包围所述第一区域的外周并且焊料的润湿扩展性与所述第一区域相比相对较低；第二工序，在所述引线框的所述第一区域上配置所述焊料；以及第三工序，对配置在所述第一区域上的所述焊料按压半导体元件，使所述焊料润湿扩展到所述第二区域上。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一工序中，通过激光加工形成所述第一区域和所述第二区域中的至少一方。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一工序中，对于在所述第一面形成了基于镍钯的表面处理的所述引线框，通过所述激光加工形成所述第二区域。4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一工序中，对于在所述第一面形成了基于镀镍的表面处理的所述引线框，通过所述激光加工形成所述第一区域。5.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一工序中，相似地形成所述第一区域的外周形状和所述第二区域的外周形状。6.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一工序中，将所述第一区域的外周形状形成为圆形或椭圆形。7.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一工序中，将所述第一区域的外周形状形成为弯曲的形状。8.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一工序中，将所述第一区域和所述第二区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木庆，河野俊，
申请(专利权)人：日立安斯泰莫株式会社，
类型：发明
国别省市：