粘合片及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种粘合片及使用该粘合片的半导体装置的制造方法，所述粘合片具有依次配置有粘合剂层(X1)、热膨胀性基材层(Y1)、及非热膨胀性基材层(Y2)的层叠结构，所述热膨胀性基材层(Y1)是在树脂基材中含有热膨胀性粒子而成的层，所述树脂基材在120℃下的杨氏模量为2.05MPa以下。为2.05MPa以下。为2.05MPa以下。

Manufacturing method of adhesive sheet and semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘合片及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及粘合片、及使用了该粘合片的半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]粘合片不仅可用于半永久性地固定构件的用途，还有时作为在对建材、内部装饰材料、及电子部件等进行加工或检查时用于对成为对象的构件(以下，也称为“被粘附物”)进行临时固定的临时固定用片而使用。例如，在半导体装置的制造过程中，在对半导体晶片进行加工时已使用了临时固定用片。
[0003]在半导体装置的制造过程中，半导体晶片经过通过磨削而使厚度变薄的磨削工序、进行切断分离而进行单片化的单片化工序等而被加工成半导体芯片。此时，半导体晶片在被临时固定于临时固定用片的状态下被实施给定的加工。对于实施了给定的加工而得到的半导体芯片，在从临时固定用片分离之后，根据需要而被适当地实施扩大半导体芯片彼此的间隔的扩片工序、使扩大了间隔后的多个半导体芯片排列的再排列工序、使半导体芯片的表背面翻转的翻转工序等，然后被安装于基板。在上述各工序中也可以使用适于各自的用途的临时固定用片。
[0004]专利文献1中公开了在基材的至少一面设置有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种粘合片，其具有依次配置有粘合剂层(X1)、热膨胀性基材层(Y1)、及非热膨胀性基材层(Y2)的层叠结构，所述热膨胀性基材层(Y1)是在树脂基材中含有热膨胀性粒子而成的层，所述树脂基材在120℃下的杨氏模量为2.05MPa以下。2.根据权利要求1所述的粘合片，其中，所述树脂基材含有选自丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂中的一种以上。3.根据权利要求1或2所述的粘合片，其中，所述树脂基材由树脂组合物(y
‑
1)形成，该树脂组合物(y
‑
1)含有通过照射能量射线而固化的树脂。4.根据权利要求1～3中任一项所述的粘合片，其中，所述树脂基材在120℃下的杨氏模量为0.1MPa以上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的粘合片，其中，所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)为50℃以上且低于125℃。6.根据权利要求1～5中任一项所述的粘合片，其中，所述粘合剂层(X1)在23℃下的厚度为3～10μm。7.根据权利要求1～6中任一项所述的粘合片，其中，相对于所述热膨胀性基材层(Y1)的总质量(100质量％)，所述热膨胀性粒子的含量为1～30质量％。8.根据权利要求1～7中任一项所述的粘合片，其中，所述非热膨胀性基材层(Y2)在120℃下的杨氏模量为500MPa以上。9.根据权利要求1～8中任一项所述的粘合片，其中，所述非热膨胀性基材层(Y2)为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。10.根据权利要求1～9中任一项所述的粘合片，其中，在所述非热膨胀性基材层(Y2)的与所述热膨胀性基材层(Y1)的层叠面为相反侧的一面进一步具有粘合剂层(X2)。11.根据权利要求10所述的粘合片，其中，所述粘合剂层(X2)是通过照射能量射线而固化从而发生粘合力降低的粘合剂层。12.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：将加工检查对象物粘贴于权利要求1～11中任一项所述的粘合片，在对所述加工检查对象物实施选自加工及检查中的一种以上之后...

【专利技术属性】
技术研发人员：垣内康彦，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：