用于沉积层的方法和系统技术方案

描述了用于沉积材料的系统和相关方法。该系统允许在衬底上冷凝或沉积前体，然后固化冷凝或沉积的前体以形成层。凝或沉积的前体以形成层。凝或沉积的前体以形成层。

【技术实现步骤摘要】
用于沉积层的方法和系统


[0001]本公开总体涉及适用于在衬底上沉积层的系统和方法。

技术介绍

[0002]气相沉积过程广泛用于半导体器件制造。各种沉积过程需要沉积材料。例如，在用于填充衬底中的凹槽、沟槽或间隙的过程中就是这种情况。要沉积材料的其他过程包括电介质材料的沉积。然而，沉积各种材料仍具有挑战性，尤其是当需要在可重复性、层质量和处理速度之间进行权衡时。因此，仍然需要用于沉积材料的改进的方法和装置。
[0003]在本部分中阐述的任何讨论(包括问题和解决方案的讨论)已包括在本公开中仅是为了提供本公开的背景。这种讨论不应被视为承认任何或所有信息在本专利技术制造时是已知的或以其他方式构成现有技术。

技术实现思路

[0004]该
技术实现思路
可以简化的形式介绍一些概念，这将在下面进一步详细描述。该
技术实现思路
不一定旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。
[0005]本文描述了一种系统，其包括反应室、前体源、气体注射系统和固化单元。反应室包括衬底支撑件，衬底支撑件又包括衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种系统，包括：
‑
反应室，该反应室包括衬底支撑件，该衬底支撑件包括衬底冷却单元；
‑
前体源，用于通过流体联接到反应室的气体注射系统将前体引入反应室，前体源包括前体源加热器；
‑
气体注射系统加热器，其布置用于加热气体注射系统；以及
‑
固化单元。2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述气体注射系统包括喷淋头注射器，该喷淋头注射器包括喷淋头注射器加热器。3.根据权利要求2所述的系统，其中，所述固化单元包括：
‑
下电极和上电极，下电极包含在衬底支撑件中，上电极包含在喷淋头注射器中；
‑
布置用于产生射频功率波形的射频功率源，该射频功率源电连接到下电极和上电极中的一个。4.根据权利要求1或2所述的系统，其中，所述固化单元包括红外源、UV源、微波源和远程等离子体源中的一个或多个。5.根据权利要求4所述的系统，其中，所述固化单元包括远程等离子体源，并且其中，一个或多个网板位于远程等离子体源和衬底支撑件之间。6.根据权利要求1至5中任一项所述的系统，还包括控制器，所述控制器包括：
‑
气流控制单元，其布置成控制气体流入气体注射系统，
‑
前体源温度控制单元，其布置成将前体源保持在预定的前体源温度；
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气体注射系统温度控制单元，其布置成将气体注射系统保持在预定的气体注射系统温度，气体注射系统温度高于前体源温度；
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衬底支撑件温度控制单元，其布置成将衬底支撑件保持在预定的衬底支撑件温度，衬底支撑件温度低于前体源温度；以及
‑
固化单元控制单元，其布置成用于控制固化单元的操作。7.根据权利要求1至6中任一项所述的系统，其中，所述反应室还包括包含在所述衬底支撑件中的衬底加热单元。8.一种用于在衬底上形成层的方法，该方法包括以下步骤：
‑
提供包括含有前体的前体源、气体注射系统、含有衬底支撑件的反应室和固化单元的系统；
‑
将前体源保持在前体源温度；
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将气体注射系统保持在气体注射系统温度，气体注射系统温度高于前体源温度；
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将衬底支撑件保持在衬底支撑件温度，衬底支撑件温度低于前体源温度；
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将衬底定位在衬底支撑件上；
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通过气体注射系统从前体源向反应室提供前体，从而将前体冷凝或沉积在衬底上以形成冷凝或沉积的前体；以及
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通过固化单元固化冷凝或沉积的前体。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述气体注射系统包括喷淋头注射器，该喷淋头注射器包括喷淋头注射器加热器；并且其中，该方法还包括通过喷淋头注射器加热器将喷淋头注射器保持在喷淋头注射器温度，喷淋头注射器温度高于或等于气体注射系统温度。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，
‑
所述固化单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：M图米恩，V波雷，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：