体声波谐振器制造技术

本公开提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括：第一电极，设置在基板的上侧上；压电层，设置在所述第一电极的上表面上；以及第二电极，设置在所述压电层的上表面上，其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的上表面具有凹入区，其中，所述凹入区的深度为D，所述凹入区的宽度为W，并且谐振频率为F，并且ln为自然对数，并且其中，[{ln(D

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器
[0001]本申请要求于2021年1月25日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2021
‑
0010053号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。


[0002]本公开涉及一种体声波谐振器。

技术介绍

[0003]随着移动装置的性能提升，对使用体声波(BAW)谐振器的BAW滤波器的需求逐渐增加，并且与表面声波(SAW)滤波器相比，这种滤波器可具有高耐受功率特性和高频率的优点。
[0004]在移动装置所需的性能中，低损耗是重要的。为此，滤波器的频带低损耗设计是重要的，并且使用低损耗谐振器是最有效的。BAW谐振器的损耗有各种原因，包括压电主体的介电损耗、压电主体本身的不完全结晶度以及电极材料的电阻。另外，在达到谐振频率之前，在邻近谐振频率的区域中产生的寄生噪声(SN)(伴随BAW谐振现象的物理现象)也是谐振器损耗的主要原因。
[0005]上述信息被呈现为
技术介绍
信息，仅用于帮助理解本公开。上述记载不应被解释为这些内容属于本公开的现有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括：第一电极，设置在基板的上侧上；压电层，设置在所述第一电极的上表面上；以及第二电极，设置在所述压电层的上表面上，其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的上表面具有凹入区，其中，所述凹入区的深度为D，所述凹入区的宽度为W，并且谐振频率为F，并且ln为自然对数，并且其中，[{ln(D
×
W)}/(
‑
0.59
×
F)]大于等于[[ln{0.008(μm)2}]/{
‑
0.59
×
(3.5GHz)}]且小于等于[[ln{0.022(μm)2}]/{
‑
0.59
×
(3.5GHz)}]。2.如权利要求1所述的体声波谐振器，其中，D
×
W大于等于0.008(μm)2且小于等于0.022(μm)2。3.如权利要求2所述的体声波谐振器，其中，D
×
W大于等于0.010(μm)2且小于等于0.016(μm)2。4.如权利要求1
‑
3中任一项所述的体声波谐振器，其中，D为5nm或更大。5.如权利要求1
‑
3中任一项所述的体声波谐振器，其中，D是所述压电层的厚度的1％或更大。6.如权利要求1
‑
3中任一项所述的体声波谐振器，其中，所述凹入区位于所述第二电极的上表面上，并且其中，D是所述第二电极的厚度的5/174倍或更大且小于所述第二电极的厚度。7.如权利要求1
‑
3中任一项所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极和所述第二电极中的每个包括钼。8.如权利要求1
‑
3中任一项所述的体声波谐振器，其中，所述压电层的所述上表面具有凹入区，并且其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的所述凹入区的深度和宽度的乘积小于所述压电层的所述凹入区的深度和宽度的乘积。9.如权利要求8所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括设置在所述第二电极的所述上表面上的保护层，其中，所述保护层的上表面具有凹入区，并且其中，所述压电层的所述凹入区的深度和宽度的乘积小于所述保护层的所述凹入区的深度和宽度的乘积。10.如权利要求9所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括设置在所述第一电极的下表面上的种子层，其中，所述种子层的上表面具有凹入区，并且其中，所述保护层的所述凹入区的深度和宽度的乘积小于所述种子层的所述凹入区的深度和宽度的乘积。11.如权利要求10所述的体声波谐振器，其中，所述种子层包括AlN，并且其中，所述保护层包括SiO2。12.一种体声波谐振器，包括：第一电极，设置在基板的上侧上；
压电层，设置在所述第一电极的上表面上；以及第二电极，设置在所述压电层的上表面上，其中，所述压电层的所述上表面具有凹入区，其中，所述凹入区的深度为D，所述凹入区的宽度为W，谐振频率为F，并且ln是自然对数，其中，D为所述压电层的厚度的1％或更大且小于所述压电层的厚度的100％，并且其中，[{ln(D
...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙尙郁，金成昱，韩源，金锺云，柳廷勳，韩相宪，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：