半导体设备及清洗系统技术方案

本发明专利技术实施例提供一种半导体设备及清洗系统，其中，半导体设备，包括：设备腔体以及位于设备腔体中的支撑柱和承载台，支撑柱用于支撑承载台；设置在设备腔体上的出气口、第一进气组件和第二进气组件，第一进气组件和第二进气组件用于向设备腔体中通入清洁气体，出气口用于排出设备腔体中的气体；第一进气组件和第二进气组件分别设置在承载台的承载面上下两侧的设备腔体上，第一进气组件和第二进气组件的其中一者用于清洗承载面远离支撑柱的设备腔体，另一者用于清洗支撑柱与设备腔体之间的间隙；本发明专利技术实施例旨在机台不停机的情况下完成对机台底部间隙的清洗，从而在不降低产品生产效率的前提下，完成对机台的清洗操作。完成对机台的清洗操作。完成对机台的清洗操作。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备及清洗系统


[0001]本专利技术涉及半导体制程领域，特别涉及一种半导体设备及清洗系统。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺广泛应用于半导体制程中，目前化学气相沉积工艺通常由CVD机台执行，由于原厂CVD机台的设计缺陷，制程过程中的清洁气体由CVD机台的顶部通入，从而实现对CVD机台的清洗，但清洁气体难以清洗CVD机台的底部间隙，导致CVD机台在长时间执行制程流程后，机台底部容易累积大量杂质。
[0003]机台底部累积的杂质可能会在生产过程中，伴随制程气体的通入而扬起，落在正在进行CVD工艺的晶圆上，从而污染晶圆产品，直接导致产品报废；另外，附着在晶圆上的杂质随着制程工艺的继续执行，可能会继续污染其他的半导体腔室。
[0004]为了保证CVD机台内部的沉积环境，通常会在CVD机台的保养期间，由相关工作人员对CVD机台进行人工清洗，以清除机台内部的沉积杂质，当CVD机台长时间执行制程流程后，机台底部会累积大量杂质，会导致CVD机台的保养周期缩短，CVD机台本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：设备腔体以及位于所述设备腔体中的支撑柱和承载台，所述支撑柱用于支撑所述承载台；设置在所述设备腔体上的出气口、第一进气组件和第二进气组件，所述第一进气组件和所述第二进气组件用于向所述设备腔体中通入清洁气体，所述出气口用于排出所述设备腔体中的气体；所述第一进气组件和所述第二进气组件分别设置在所述承载台的承载面上下两侧的所述设备腔体上，所述第一进气组件和所述第二进气组件的其中一者用于清洗所述承载面远离所述支撑柱的所述设备腔体，另一者用于清洗所述支撑柱与所述设备腔体之间的间隙。2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述第一进气组件包括设置在所述支撑柱与所述设备腔体之间的通孔，所述通孔用于导出所述第一进气组件内的所述清洁气体。3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述第一进气组件，包括：与所述支撑柱嵌套设置的清洁管；所述清洁管上具有多个分立的所述通孔，所述通孔用于导出所述清洁管中的所述清洁气体。4.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，所述清洁管包括外管壁和内管壁，在平行于所述承载面的平面上，所述外管壁的宽度大于所述内管壁的宽度，所述内管壁设置在所述支撑柱的外壁，所述外管壁与所述支撑柱嵌套设置，所述通孔位于所述外管壁上。5.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，在平行于所述承载面的平面上，所述清洁管的宽度大于所述支撑柱的宽度，所述清洁管与所述支撑柱围成清洁管道，所述通孔位于所述清洁管上。6.根据权利要求4或5任一项所述的半导体设备，其特征在于，所述通孔之间的间距为10～20mm。7.根据权利要求6所述的半导体设备，其特征在于，靠近所述承载台的所述清洁管上所述通孔的密度大于远离所述承载台的所述清洁管上所述通孔的密度。8.根据权利要求6所述的半导体设备，其特征在于，在垂直于所述承载面的方向上，位于最高位置的所述通孔的位置与所述承载面的高度差为3～10mm。9.根据权利要求4或5任一项所述的半导体设备，其特征在于，所述通孔的宽度为3～7mm。10.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述第一进气组件，包括：围绕所述支撑柱盘旋设置的清洁管道；所述清洁管道上具有多个分立的所述通孔，所述通孔位于所述清洁管道靠近所述设备腔体的一侧，用于导出清洁管道中的所述清洁气体。11.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述第一进气组件，包括：环绕设置在所述支撑柱与所述设备腔体之间的多个分立的清洁管道...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭超，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：