一种射频功率电阻器制造技术

本发明专利技术提出一种射频功率电阻器，包括陶瓷盖板、陶瓷基板、第一导体膜层、第二导体膜层、梯形电阻层和两根引线，所述梯形电阻层的一端与所述第一导体膜层电连接，所述梯形电阻层的另一端与所述第二导体膜层电连接，所述第一导体膜层、所述第二导体膜层、所述梯形电阻层均固定安装在所述陶瓷基板上，其中一根所述引线与所述第一导体膜层电连接，另一根所述引线与所述第二导体膜层电连接，所述陶瓷盖板固定安装在所述陶瓷基板的上方，把所述第一导体膜层、所述第二导体膜层、所述梯形电阻层、所述引线固定夹持在所述陶瓷盖板和所述陶瓷基板之间；所述陶瓷基板为氧化铍材料制作而成，使得所述射频功率电阻器具有良好的导热散热性能。所述射频功率电阻器具有良好的导热散热性能。所述射频功率电阻器具有良好的导热散热性能。

【技术实现步骤摘要】
一种射频功率电阻器


[0001]本专利技术涉及电阻器
，尤其涉及一种射频功率电阻器。

技术介绍

[0002]随着通讯、雷达、航空、航天等领域的飞速发展,对于射频功率电阻器的要求也越来越高,这时便需要使用到高频功率电阻器。高频功率电阻器主要用于阻抗匹配、功率负载等，需要在工作频率高达6GHz频率范围内实现好的阻抗匹配，并且有足够小的介质电容量。相比于传统的射频功率电阻器，高频功率电阻器面积更大，不需要安装散热器，但比较难实现阻抗匹配和低介质电容量的要求。决定射频功率电阻器功率大小的是电阻体的面积大小，提高电阻器的功率势必要增大电阻体的面积，而增大电阻体的面积后会增大其分布参数从而影响到整体阻抗导致整体的频率特性变差。
[0003]在申请号为201620937913.0的专利文件中提出一种具有良好三阶互调的大功率高频射频功率电阻器，包括法兰盘、基体、B面电极、侧面电极、A面电极、电阻体、介质保护层、金属引线、封装盖板，所述A面电极在基体的上表面，B面电极在基体的下表面，侧面电极在基体的侧面并连接A面电极和B面电极，电阻体位于A面电极之上并且与A面电极搭接端稳定搭接；还包括覆盖在电阻体上起保护作用的介质保护层；所述电极为三部分，且组合成一个反“匚”形电极。本专利技术对工字型电极做了修改，通过改变电极的形状提高频率特性，同时还具备了良好的三阶互调特性。使得射频功率电阻器能够具有更高的频率和更大的功率，并且能够满足移动通信技术中对三阶互调的要求。虽然该专利提高了电阻器的频率，但是在高频率的情况下存在低介质电容量、低驻波比、低温度系数的问题，这样的电阻器并不适合用在通讯、雷达、航空、航天等领域用于阻抗匹配、功率负载。

技术实现思路

[0004]为了解决上述问题，本专利技术提出一种射频功率电阻器。
[0005]本专利技术通过以下技术方案实现的：
[0006]本专利技术提出一种射频功率电阻器，包括陶瓷盖板、陶瓷基板、第一导体膜层、第二导体膜层、梯形电阻层和两根引线，所述梯形电阻层的一端与所述第一导体膜层电连接，所述梯形电阻层的另一端与所述第二导体膜层电连接，所述第一导体膜层、所述第二导体膜层、所述梯形电阻层均固定安装在所述陶瓷基板上，其中一根所述引线与所述第一导体膜层电连接，另一根所述引线与所述第二导体膜层电连接，所述陶瓷盖板固定安装在所述陶瓷基板的上方，把所述第一导体膜层、所述第二导体膜层、所述梯形电阻层、所述引线固定夹持在所述陶瓷盖板和所述陶瓷基板之间。
[0007]进一步的，所述梯形电阻层上设有第一对接板和第二对接板，所述第一对接板设置在所述梯形电阻层的上底处，所述第二对接板设置在所述梯形电阻层的下底处。
[0008]进一步的，所述第一导体膜层包括连接端，所述连接端与所述第一对接板固定连接。
[0009]进一步的，所述第一导体膜层还包括连接件和输入端，所述连接件的一端与所述连接端固定连接，所述连接件的另一端与所述输入端固定连接，所述输入端与所述引线电连接，所述输入端、所述连接件和所述连接端三者呈“工”型。
[0010]进一步的，所述第二导体膜层固定安装在所述第二对接板上，所述第二导电膜层为接地端。
[0011]进一步的，所述陶瓷基板为氧化铍材料制作而成的基板。
[0012]本专利技术的有益效果：
[0013]本专利技术提出的射频功率电阻器通过在陶瓷基板上粘接陶瓷盖板，能够很好地保护导体膜层和梯形电阻层，氧化铍陶瓷基板作为基板和陶瓷盖板相配合能够增加射频功率电阻器的散热性能；电阻层设置成梯形，第一导体膜层设置成为“工”型，导体膜层和电阻层的图形刚好实现输入阻抗与外电路的特性阻抗相匹配。
附图说明
[0014]图1为本专利技术的射频功率电阻器的分解图；
[0015]图2为本专利技术的射频功率电阻器的部分结构示意图；
[0016]图3为本专利技术的梯形电阻层的结构示意图；
[0017]图4为本专利技术的射频功率电阻器的结构示意图。
具体实施方式
[0018]为了更加清楚完整的说明本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术作进一步说明。
[0019]请参考图1－图4，本专利技术提出一种射频功率电阻器，包括陶瓷盖板11、陶瓷基板12、第一导体膜层13、第二导体膜层17、梯形电阻层18和两根引线10，所述梯形电阻层18的一端与所述第一导体膜层13电连接，所述梯形电阻层18的另一端与所述第二导体膜层17电连接，所述第一导体膜层13、所述第二导体膜层17、所述梯形电阻层18均固定安装在所述陶瓷基板12上，其中一根所述引线10与所述第一导体膜层13电连接，另一根所述引线10与所述第二导体膜层17电连接，所述陶瓷盖板11固定安装在所述陶瓷基板12的上方，把所述第一导体膜层13、所述第二导体膜层17、所述梯形电阻层18、所述引线10固定夹持在所述陶瓷盖板11和所述陶瓷基板12之间。所述陶瓷基板12为氧化铍材料制作而成的基板。
[0020]在本实施方式中，在所述陶瓷基板12上通过丝网印刷的方式去获得所述梯形电阻层18，两根所述引线10为镀银铜带，通过焊接使得所述引线10与所述第一导体膜层13、所述第二导体膜层17电连接。通过所述梯形电阻层18和所述第一导体膜层13、所述第二膜层的连接设计，实现了尺寸为9m*6mm的50Ω的所述射频功率电阻器在6GHz频率内驻波比≤1.5:1，介质电容量≤3pF的性能，电阻温度系数≤100ppm，工作温度范围达－55℃
‑
125℃。
[0021]进一步的，所述梯形电阻层18上设有第一对接板19和第二对接板20，所述第一对接板19设置在所述梯形电阻层18的上底处，所述第二对接板20设置在所述梯形电阻层18的下底处。所述第一导体膜层13包括连接端16，所述连接端16与所述第一对接板19固定连接。
[0022]所述第一导体膜层13还包括连接件15和输入端14，所述连接件15的一端与所述连接端16固定连接，所述连接件15的另一端与所述输入端14固定连接，所述输入端14与所述
引线10电连接，所述输入端14、所述连接件15和所述连接端16三者呈“工”型。所述第二导体膜层17固定安装在所述第二对接板20上，所述第二导电膜层为接地端。
[0023]在本实施方式中，所述第一对接板19与所述连接端16连接，所述第二对接板20与所述第二导体膜层17连接，所述梯形电阻层18能够把所述第一导体膜层13和所述第二导体膜层17紧固在所述陶瓷基板12上。所述输入端14、所述连接件15和所述连接端16三者呈“工”型，所述输入端14的宽度比所述连接端16的宽度大，能够方便所述输入端14与所述引线10进行焊接，所述连接端16的尺寸刚好与所述第一连接板的尺寸相匹配。
[0024]当然，本专利技术还可有其它多种实施方式，基于本实施方式，本领域的普通技术人员在没有做出任何创造性劳动的前提下所获得其他实施方式，都属于本专利技术所保护的范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频功率电阻器，其特征在于，所述射频功率电阻器包括陶瓷盖板、陶瓷基板、第一导体膜层、第二导体膜层、梯形电阻层和两根引线，所述梯形电阻层的一端与所述第一导体膜层电连接，所述梯形电阻层的另一端与所述第二导体膜层电连接，所述第一导体膜层、所述第二导体膜层、所述梯形电阻层均固定安装在所述陶瓷基板上，其中一根所述引线与所述第一导体膜层电连接，另一根所述引线与所述第二导体膜层电连接，所述陶瓷盖板固定安装在所述陶瓷基板的上方，把所述第一导体膜层、所述第二导体膜层、所述梯形电阻层、所述引线固定夹持在所述陶瓷盖板和所述陶瓷基板之间。2.根据权利要求1所述的射频功率电阻器，其特征在于，所述梯形电阻层上设有第一对接板和第二对接板，所述第一对接板设置在所述梯...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘颖潇，文莉贵，
申请(专利权)人：深圳市振华微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：