【技术实现步骤摘要】
一种与微波介质陶瓷低温共烧的金导体布线浆料及其制备方法
[0001]本专利技术属于电子浆料
,特别涉及一种与微波介质陶瓷低温共烧的金导体布线浆料及其制备方法。
技术介绍
[0002]随着微电子、纳电子的飞速发展,元器件及电路的小型化、轻量化、集成化、多层化已是大势所趋。与此相适应电子浆料技术的发展日新月异,目前有金属铝、铜、镍、钼、钨、钌、银、金浆等以及一些复合金属浆料。金导体浆料在电子
,特别是军用电子
,日益广泛地得到应用,尤其是在高可靠和高频LTCC(低温共烧陶瓷)应用领域。但是我国LTCC产品技术的开发比国外发达国家至少落后20年,特别在LTCC材料及其配套浆料方面差距更大。
[0003]电子浆料中所用的导体金属,以银的导电率最高,其次是铜,金的导电率次之,但是通常情况下金具有的抗化学腐蚀和抗变色能力比银和铜高很多,并在1000℃高温下不熔化、不变色、不氧化、无烧蚀;因此金浆具有更高的化学稳定性和在苛刻环境下工作的能力。目前国内的浆料与基板仍然存在共烧失配的问题,在浆料与生带的共烧过程中,基板与浆料之间的匹配是相互影响的,但是前者对后者的选择性更强一点对于表面可焊金导体浆料而言,印刷后的基板在烧结过程中,如果浆料与生带初始收缩温度和收缩速率与生带存在明显差异,会出现翘曲,分层以及卷曲等问题,影响导电金浆的电性能;尤其是目前已商品化的导体金浆分辨率为100μm左右,不能满足LTCC领域的发展需求。因此高印刷分辨率、高共烧匹配和高布线密度是金浆料发展的必然趋势。
[0004]目前 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种与微波介质陶瓷低温共烧的金导体布线浆料,其特征在于,所述金导体布线浆料由70~83wt%金粉、1~5wt%的玻璃粉、0.5~1wt%的无机改性剂和15~24.5wt%的有机载体构成;所述陶瓷为钙硼硅系微晶玻璃,低温共烧温度为830~870℃。2.根据权利要求1所述的一种与微波介质陶瓷低温共烧的金导体布线浆料,其特征在于,所述玻璃粉成分为含碱金属氧化物和稀土氧化物的钙镁硼硅铝系玻璃;所述玻璃粉的成分由CaO、B2O3、SiO2、Al2O3、MgO、SrO、ZnO、Bi2O3、Li2O、Na2O、K2O以及稀土氧化物构成;所述稀土氧化物包括La2O3、CeO2和Y2O3其中一种或几种;所述玻璃粉的成分配比为CaO 10~15wt%、B2O
3 20~30wt%、Al2O
3 5~15wt%、MgO 1~2wt%、SrO 0.1~1wt%、ZnO 0.5~2wt%、Bi2O
3 0.1~1wt%、Li2O 1~2wt%、Na2O 1~4wt%、K2O 1~2wt%、稀土氧化物0.1~1wt%,余量为SiO2。3.根据权利要求1所述的一种与微波介质陶瓷低温共烧的金导体布线浆料,其特征在于,所述玻璃粉的D
50
介于1~3μm之间;玻璃粉的转变温度为650~750℃,软化点为700~800℃。4.根据权利要求1所述的一种与微波介质陶瓷低温共烧的金导体布线浆料,其特征在于,所述金粉为球形金粉,其粒径尺寸选择D
10
介于0.1~1.0μm、D
50
介于0.8~1.5μm、D
90
介于1.2~2.5μm且D
100
≤5μm的金粉。5.根据权利要求1所述的一种与微波介质陶瓷低温共烧的金导体布线浆料,其特征在于,所述有机载体的成分含量为:40~60wt%松油醇、20~50wt%丁基卡比醇、5~15wt%乙基纤维素树脂、1~5wt%丙烯酸树脂及1~5wt%助剂。6.根据权利要求5所述的一种与微波介质陶瓷低温共烧的金导体布线浆料,其特征在于,所述助剂包括分散剂、消泡剂、流变助剂、流平剂、助溶增塑剂;其中,分散剂包括:开放链为NOR的位阻烷醇胺化合物,包括:哌嗪酮型的NOR、哌嗪型的NOR、七元杂环的NOR以及Tego Dispery
‑
650、Tego Dispery
‑
651、Tego Dispery
‑
652、BYK
‑
102、OP
‑
8018、OP
‑
8146其中一种或几种;消泡剂包括:OP
‑
8150、BYK
‑
051、BYK
‑
052、BYK
‑
053、BYK
‑
技术研发人员:代胜强,周世平,裴广斌,周纪平,温俊磊,马丹丹,孙闯,赵岩,
申请(专利权)人:洛阳中超新材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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