【技术实现步骤摘要】
一种应用于晶硅太阳电池背面P及P+端的铝浆及其制备方法
[0001]本专利技术涉及电池电极浆料领域,具体涉及一种应用于晶硅太阳电池背面P及P+端的铝浆及其制备方法。
技术介绍
[0002]全背电极接触晶硅太阳电池IBC(Interdigitated back contact)电池最显著的特点是PN结和正负两极金属接触都处于太阳电池的背部,前表面彻底避免了金属栅线电极的遮挡,结合前表面的金字塔绒面结构和减反层组成的陷光结构,能够最大限度地利用入射光,减少光学损失,具有更高的短路电流。同时,背部采用优化的金属栅线电极,降低了串联电阻。IBC电池上完全看不到多数太阳电池正面呈现的金属线,不仅为使用者带来同等面积更大的发电效率,且看上去更美观。IBC电池其P或P+端的金属接触由于在背面不需要考虑遮光,因此不必考虑线宽因素,可以更加灵活地设计栅线(如果在正面,必须考虑线宽因素,线越宽,越遮光,遮光越多电池转换效率越低,因此正面金属接触通常需要印刷线宽窄银粉为主要成分的银铝浆完成)。对P及P+的接触也是第三主族缺电子元素的优势所在,因此可以由价格便宜同时易获得的铝浆完成,实现高光电转换效率、低成本的目的。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足而提供一种在峰值温度为760
‑
800℃的烧结工艺下对电池背面钝化膜的腐蚀较小,同时可减少金属与硅基之间的金属复合,且保障电池片背表面无“铝珠”、电池片无过烧现象的晶硅太阳电池(尤其是IBC电池)背面P及P+端的铝浆及其制备方 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种应用于晶硅太阳电池背面P及P+端的铝浆,其特征在于,包含以下重量份的组分:铝粉65
‑
85份,玻璃粉0.5
‑
9份,有机粘合剂10
‑
30份,硼化物0
‑
1份;所述铝粉的纯度为99.3
‑
99.7%,所述玻璃粉的软化点>550℃,玻璃粉中包含稀土氧化物,所述稀土氧化物包括Nd2O3和Eu2O3中的至少一种、La2O3、Yb2O3。2.如权利要求1所述应用于晶硅太阳电池背面P及P+端的铝浆,其特征在于,所述铝粉的中位径D
50
为3
‑
11μm。3.如权利要求1所述应用于晶硅太阳电池背面P及P+端的铝浆,其特征在于,所述玻璃粉的软化点为550℃
‑
650℃。4.如权利要求1所述应用于晶硅太阳电池背面P及P+端的铝浆,其特征在于,所述玻璃粉包含以下重量份的组分:H3BO
3 8
‑
50份,PbO 0
‑
60份,V2O
5 5
‑
50份,BaO 2
‑
30份,ZnO 5
‑
40份,Al2O
3 1
‑
30份,Sb2O
3 4
‑
25份,Bi2O
3 4
‑
40份,SiO
2 1
‑
30份,TiO
2 0.5
‑
5份,ZrO 0.5
‑
8份,CaO 3
‑
25份,La2O
3 0.2
‑
4份,Yb2O
30‑
1份,所述玻璃粉的组分中还包含0.1
‑
1份Nd2O3和Eu2O3中的至少一种。5.如权利要求1所述应用于晶硅太阳电池背面P及P+端的铝...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁冰冰,许珊,王凌,
申请(专利权)人:无锡市儒兴科技开发有限公司,
类型:发明
国别省市:
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