掩模版、光刻装置和用于制造掩模版的方法制造方法及图纸

本公开涉及一种掩模版、光刻装置和用于制造掩模版的方法，掩模版包括：电解反应层，电解反应层包括电致变色材料；第一控制电路层，第一控制电路层设于电解反应层的第一侧上，且第一控制电路层包括多个第一控制电极；以及第二控制电路层，第二控制电路层设于电解反应层的与第一侧相对的第二侧上，且第二控制电路层包括多个第二控制电极；其中，掩模版中的像素区域的透光状态被配置为由像素区域中包含的第一控制电极的至少一部分和第二控制电极的至少一部分之间的控制电压决定，控制电压通过控制电解反应层中的电致变色材料的离子结合状态来控制像素区域的透光状态。态来控制像素区域的透光状态。态来控制像素区域的透光状态。

Mask, lithography device and method for manufacturing mask

【技术实现步骤摘要】
掩模版、光刻装置和用于制造掩模版的方法


[0001]本公开一般地涉及光刻
，更具体地，涉及一种掩模版、光刻装置和用于制造掩模版的方法。

技术介绍

[0002]在光刻技术中，通常使用掩模版来形成图案化的结构。然而，一旦掩模版被制成，其中的图案就不容易再被更改。并且，如果掩模版中存在缺陷或者在掩模版的使用过程中引入了缺陷，也难以再对这些缺陷进行修复。此外，掩模版通常还具有很高的成本。上述这些因素都会导致采用掩模版生产的芯片的成本升高、掩模版缺陷监控带来工艺的繁琐。因此，芯片生产技术存在对于新的掩模版的需求。

技术实现思路

[0003]本公开的目的在于提供一种掩模版、光刻装置和用于制造掩模版的方法。
[0004]根据本公开的第一方面，提供了一种掩模版，所述掩模版包括：电解反应层，所述电解反应层包括电致变色材料；第一控制电路层，所述第一控制电路层设于所述电解反应层的第一侧上，且所述第一控制电路层包括多个第一控制电极；以及第二控制电路层，所述第二控制电路层设于所述电解反应层的与第一侧相对的第二侧上，且所述第二控制电路层包括多个第二控制电极；其中，所述掩模版中的像素区域的透光状态被配置为由所述像素区域中包含的第一控制电极的至少一部分和第二控制电极的至少一部分之间的控制电压决定，所述控制电压通过控制所述电解反应层中的电致变色材料的离子结合状态来控制所述像素区域的透光状态。
[0005]在一些实施例中，所述掩模版还包括：基板，所述第一控制电路层、所述电解反应层和所述第二控制电路层依次沉积在所述基板上。
[0006]在一些实施例中，所述基板包括石英和氟化钙中的至少一者。
[0007]在一些实施例中，所述电解反应层包括：电解质层；第一电解材料层，所述第一电解材料层设于所述第一控制电路层与所述电解质层之间；以及第二电解材料层，所述第二电解材料层设于所述电解质层与所述第二控制电路层之间。
[0008]在一些实施例中，在所述电解质层中能够溶解有锂离子和氢离子中的至少一者。
[0009]在一些实施例中，所述电解质层包括固体电解质；或所述电解质层包括液体电解质。
[0010]在一些实施例中，所述第一电解材料层和所述第二电解材料层中的一者包括电致变色材料。
[0011]在一些实施例中，所述第一电解材料层和所述第二电解材料层中的一者包括镁镍合金、镁钇合金、氧化铌或由氧化铟锡纳米颗粒修饰的氧化铌。
[0012]在一些实施例中，所述第一电解材料层和所述第二电解材料层中的另一者包括过渡金属氧化物。
[0013]在一些实施例中，所述第一电解材料层和所述第二电解材料层中的另一者包括氧化钨。
[0014]在一些实施例中，所述电解质层包括呈连续薄膜状的电解质材料；所述第一电解材料层包括呈连续薄膜状的第一电解材料；和/或所述第二电解材料层包括呈连续薄膜状的第二电解材料。
[0015]在一些实施例中，所述电解质层包括呈阵列状排布的多个电解质材料块，且所述掩模版中的每个像素区域包括一个或多个电解质材料块；所述第一电解材料层包括呈阵列状排布的多个第一电解材料块，且所述掩模版中的每个像素区域包括一个或多个第一电解材料块；和/或所述第二电解材料层包括呈阵列状排布的多个第二电解材料块，且所述掩模版中的每个像素区域包括一个或多个第二电解材料块。
[0016]在一些实施例中，所述多个第一控制电极中的每个第一控制电极分别经由相应的第一开关器件连接到控制电源的第一极；以及所述多个第二控制电极中的每个第二控制电极分别经由相应的第二开关器件连接到所述控制电源的第二极。
[0017]在一些实施例中，每个第一控制电极分别被配置为接收第一控制信号，且每个第二控制电极分别被配置为接收第二控制信号，以控制其中包含重叠的第一控制电极的至少一部分和第二控制电极的至少一部分的像素区域的透光状态。
[0018]在一些实施例中，所述第一控制电极为沿第一方向延伸的第一条状电极，且所述多个第一控制电极彼此电隔离地排列在所述第一控制电路层中；以及所述第二控制电极为沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第二条状电极，且所述多个第二控制电极彼此电隔离地排列在所述第二控制电路层中。
[0019]在一些实施例中，所述掩模版中的每个像素区域包括一个第一控制电极的至少一部分和一个第二控制电极的至少一部分。
[0020]在一些实施例中，所述掩模版中的每个像素区域包括多于一个第一控制电极的至少一部分和多于一个第二控制电极的至少一部分。
[0021]在一些实施例中，所述第一控制电路层中的被第一控制电极所占据的区域面积与未被第一控制电极所占据的区域面积的比例为100％～1000％；和/或所述第二控制电路层中的被第二控制电极所占据的区域面积与未被第二控制电极所占据的区域面积的比例为100％～1000％。
[0022]在一些实施例中，所述第一控制电路层中的被第一控制电极所占据的区域面积与未被第一控制电极所占据的区域面积的比例等于所述第二控制电路层中的被第二控制电极所占据的区域面积与未被第二控制电极所占据的区域面积的比例。
[0023]在一些实施例中，所述第一控制电路层中的多个第一控制电极周期性地排列；和/或所述第二控制电路层中的多个第二控制电极周期性地排列。
[0024]在一些实施例中，所述第一控制电路层中的多个第一控制电极的排列周期为50nm～50μm；和/或所述第二控制电路层中的多个第二控制电极的排列周期为50nm～50μm。
[0025]在一些实施例中，所述第一控制电路层中的多个第一控制电极的排列周期等于所述第二控制电路层中的多个第二控制电极的排列周期。
[0026]在一些实施例中，所述第一控制电极包括氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌、导电金刚石和导电氮化铝中的至少一者；和/或所述第二控制电极包括氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌、导
电金刚石和导电氮化铝中的至少一者。
[0027]在一些实施例中，所述第一控制电路层的厚度为10nm～100nm；和/或所述第二控制电路层的厚度为10nm～100nm。
[0028]在一些实施例中，所述第一控制电极的电阻率小于所述电解反应层的电阻率；以及所述第二控制电极的电阻率小于所述电解反应层的电阻率。
[0029]在一些实施例中，所述电解反应层、所述第一控制电路层和所述第二控制电路层的总厚度在100μm以下。
[0030]根据本公开的第二方面，提供了一种光刻装置，所述光刻装置包括：如上所述的掩模版；以及控制模块，所述控制模块被配置为根据版图产生分别施加到所述多个第一控制电极的多个第一控制信号和所述多个第二控制电极的多个第二控制信号，以使得所述掩模版中的像素区域的透光状态与所述版图相对应。
[0031]根据本公开的第三方面，提供了一种用于制造掩模版的方法，所述方法包括：提供基板；在所述基板上形成图案化的第一控制电路层，所述第一控制电路层包括多个第一控制电极；在所述第一控制电路层上形成电解反应层，所述电解反应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模版，其特征在于，所述掩模版包括：电解反应层，所述电解反应层包括电致变色材料；第一控制电路层，所述第一控制电路层设于所述电解反应层的第一侧上，且所述第一控制电路层包括多个第一控制电极；以及第二控制电路层，所述第二控制电路层设于所述电解反应层的与第一侧相对的第二侧上，且所述第二控制电路层包括多个第二控制电极；其中，所述掩模版中的像素区域的透光状态被配置为由所述像素区域中包含的第一控制电极的至少一部分和第二控制电极的至少一部分之间的控制电压决定，所述控制电压通过控制所述电解反应层中的电致变色材料的离子结合状态来控制所述像素区域的透光状态。2.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述掩模版还包括：基板，所述第一控制电路层、所述电解反应层和所述第二控制电路层依次沉积在所述基板上。3.根据权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述基板包括石英和氟化钙中的至少一者。4.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述电解反应层包括：电解质层；第一电解材料层，所述第一电解材料层设于所述第一控制电路层与所述电解质层之间；以及第二电解材料层，所述第二电解材料层设于所述电解质层与所述第二控制电路层之间。5.根据权利要求4所述的掩模版，其特征在于，在所述电解质层中能够溶解有锂离子和氢离子中的至少一者。6.根据权利要求4所述的掩模版，其特征在于，所述电解质层包括固体电解质；或所述电解质层包括液体电解质。7.根据权利要求4所述的掩模版，其特征在于，所述第一电解材料层和所述第二电解材料层中的一者包括电致变色材料。8.根据权利要求7所述的掩模版，其特征在于，所述第一电解材料层和所述第二电解材料层中的一者包括镁镍合金、镁钇合金、氧化铌或由氧化铟锡纳米颗粒修饰的氧化铌。9.根据权利要求7所述的掩模版，其特征在于，所述第一电解材料层和所述第二电解材料层中的另一者包括过渡金属氧化物。10.根据权利要求9所述的掩模版，其特征在于，所述第一电解材料层和所述第二电解材料层中的另一者包括氧化钨。11.根据权利要求4所述的掩模版，其特征在于，所述电解质层包括呈连续薄膜状的电解质材料；所述第一电解材料层包括呈连续薄膜状的第一电解材料；和/或所述第二电解材料层包括呈连续薄膜状的第二电解材料。12.根据权利要求4所述的掩模版，其特征在于，所述电解质层包括呈阵列状排布的多个电解质材料块，且所述掩模版中的每个像素区域包括一个或多个电解质材料块；
所述第一电解材料层包括呈阵列状排布的多个第一电解材料块，且所述掩模版中的每个像素区域包括一个或多个第一电解材料块；和/或所述第二电解材料层包括呈阵列状排布的多个第二电解材料块，且所述掩模版中的每个像素区域包括一个或多个第二电解材料块。13.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述多个第一控制电极中的每个第一控制电极分别经由相应的第一开关器件连接到控制电源的第一极；以及所述多个第二控制电极中的每个第二控制电极分别经由相应的第二开关器件连接到所述控制电源的第二极。14.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，每个第一控制电极分别被配置为接收第一控制信号，且每个第二控制电极分别被配置为接收第二控制信号，以控制其中包含重叠的第一控制电极的至少一部分和第二控制电极的至少一部分的像素区域的透光状态。15.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述第一控制电极为沿第一方向延伸的第一条状电极，且所述多个第一控制电极彼此电隔离地排列在所述第一控制电路层中；以及所述第二控制电极为沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第二条状电极，且所述多个第二控制电极彼此电隔离地排列在所述第二控制电路层中。16.根据权利要求15所述的掩模版，其特征在于，所述掩模版中的每个像素区域包括一个第一控制电极的至少一部分和一个第二控制电极的至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：李西军，
申请(专利权)人：西湖大学，
类型：发明
国别省市：