一种全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法，包括电子传输层PFN溶液的制备、空穴传输层溶液的制备、钙钛矿前驱体溶液的制备和制备全溶液钙钛矿发光二极管的器件结构。从下而上依次为基底、阳极、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、阴极，组成钙钛矿发光二极管的器件结构，取在上述步骤c中制备的钙钛矿前驱体溶液，转移到空穴传输层上，制备钙钛矿发光层。本发明专利技术利用氯苯(CB)和二氯甲烷(DCM)的混合溶剂作为电子传输层材料聚[(9,9

A preparation method of perovskite light emitting diodes in full solution

【技术实现步骤摘要】
一种全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种钙钛矿发光二极管器件的制备，特别是涉及全溶液钙钛矿发光二极管器件的制备方法，应用于新型显示器件制造


技术介绍

[0002]金属卤化物钙钛矿作为一种直接带隙离子型半导体材料，具有优异的光电性能，包括：高载流子迁移率、较高的光致发光效率、窄的发光光谱，以及光色可调性(380nm
‑
1000nm)，同时还具备可溶液加工的优势，在光电器件领域具有广泛的应用前景。近年来，钙钛矿发光二极管(PeLEDs)的器件性能发展迅速，绿光、红光和近红外PeLEDs的外量子效率(EQE) 分别达到了23.4％，21.3％，和21.6％，可与商业化有机发光二极管(OLEDs)器件性能相媲美。
[0003]然而，目前已报道的PeLEDs器件在制备过程中，其电子传输层薄膜通常采用真空热蒸镀法进行沉积，存在设备成本高，材料利用率低，耗时长和生产能耗高等问题，不利于大规模低成本的工业生产。利用溶液加工法沉积电子传输层操作要求低可室温制备，设备要求低，耗时短，生产效率高。然而使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种全溶液钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a.电子传输层PFN溶液的制备：将CB和DCM以体积比3:7
‑
7:3的比例混合作为电子传输层PFN的溶剂，将PFN以不低于4mg/ml的浓度加入上述混合溶剂中，使用搅拌器对上述溶液进行搅拌至少2h，随后使用孔径不高于0.45μm聚四氟乙烯过滤器过滤，得到均匀混合的PFN溶液，备用；b.空穴传输层溶液的制备：将聚(9
‑
乙烯咔唑)(PVK)和聚[(N,N
’‑
(4
‑
正丁基苯基)
‑
N,N
’‑
二苯基
‑
1,4
‑
苯二胺)
‑
alt
‑
(9,9
‑
二正辛基芴基
‑
2,7
‑
二基)](TFB)以质量比为2:8
‑
8:2的比例进行称量，称取总质量不低于10mg溶于至少1mL的CB溶剂中，得到原料混合液，使用搅拌器对原料混合液进行搅拌至少2h，随后使用孔径不高于0.45μm聚四氟乙烯过滤器过滤，得到均匀混合的PVK:TFB溶液，备用；c.钙钛矿前驱体溶液的制备：将有机长链胺基分子、卤化铅和卤化铯按照0.3:1:1.2
‑
0.5:1:1.2的溶质摩尔比范围，溶于无水二甲亚砜(DMSO)中，控制溶质总浓度为100
‑
300mg/ml，得到溶质混合液；再加入占溶质混合液总量的质量百分比为0.1
‑
0.5wt.％的聚氧化乙烯(PEO)，得到前驱体混...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨绪勇，史星宇，王林，李文强，孔令媚，罗云，袁豪，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：