基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序制造方法及图纸

提供一种能够沿处理容器的周向将处理室的等离子体分布设为期望的分布的技术。本技术的装置具备：具有筒状部的处理容器；向处理室供给处理气体的气体供给部；电极，其以从处理容器的筒状部的外侧包围处理容器的方式呈螺旋状设置，向该电极供给高频电而对处理气体进行等离子体激励；以及移动部，其使电极相对于处理容器在筒状部的径向上相对移动。处理容器在筒状部的径向上相对移动。处理容器在筒状部的径向上相对移动。

Manufacturing method and program of substrate processing device and semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序


[0001]本公开涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序。

技术介绍

[0002]近年来，快闪存储器等半导体器件有高集成化的倾向。与之相伴地，图案尺寸显著微细化。在形成这些图案时，有时作为制造工序的一个工序而实施对基板进行氧化处理或氮化处理等规定的处理的工序。
[0003]例如，在专利文献1中公开了使用等离子体激励后的处理气体对形成在基板上的图案表面进行改性处理。
[0004]专利文献1：JP特开2014
‑
75579号公报

技术实现思路

[0005]在现有的构成中，因形成有供基板配置的处理室的处理容器的形状偏差、以包围处理容器的螺旋状生成等离子体的电极的位置偏差、从电极产生的电磁场的强度偏差、以及对基板进行处理的处理条件不同等，有处理容器内的等离子体分布没有沿着处理容器的周向而成为期望的分布的情况。
[0006]根据本公开的一方面，基板处理装置的特征在于，具备：具有筒状部的处理容器，其形成有在内部配置基板的处理室；气体供给部，其向所述处理室供给处理气体；电极，其以从所述处理容器的所述筒状部的外侧包围所述处理容器的方式呈螺旋状设置，向所述电极供给高频电而对所述处理气体进行等离子体激励；以及移动部，其使所述电极相对于所述处理容器在所述筒状部的径向上相对移动。
[0007]专利技术效果
[0008]根据本公开，能够沿处理容器的周向将处理室的等离子体分布设为期望的分布。
附图说明
[0009]图1是示出本公开的第1实施方式的基板处理装置的概略构成图。
[0010]图2是示出本公开的第1实施方式的基板处理装置的屏蔽板、以及共振线圈等的立体图。
[0011]图3是示出本公开的第1实施方式的基板处理装置的控制器的控制系统的控制框图。
[0012]图4是示出本公开的第1实施方式的基板处理装置的移动部、以及屏蔽板等的平面图。
[0013]图5是示出本公开的第1实施方式的基板处理装置的移动部的立体图。
[0014]图6是示出本公开的第1实施方式的基板处理装置的移动部的立体图。
[0015]图7是示出本公开的第1实施方式的半导体器件的制造方法的各工序的流程图。
[0016]图8是示出本公开的第2实施方式的基板处理装置的概略构成图。
217a。
[0034]主要利用基座217以及加热器217b构成了本实施方式的基板载置部。
[0035][气体供给部230][0036]气体供给部230如图1所示设在处理室201的上方。具体来说，在处理室201的上方、也就是说在上侧容器210的上部设有气体供给头236。气体供给头236构成为具有帽状的盖体233、气体导入口 234、缓冲室237、开口238、屏蔽板240以及气体吹出口239，能够向处理室201供给反应气体。
[0037]在气体导入口234以使供给作为含氧气体的氧气(O2)的含氧气体供给管232a的下游端、供给作为含氢气体的氢气(H2)的含氢气体供给管232b的下游端、以及供给作为非活性气体的氩气(Ar) 的非活性气体供给管232c合流的方式连接有这些构件。
[0038]在含氧气体供给管232a，从上游侧按顺序设有O2气体供给源250a、作为流量控制装置的质量流量控制器(MFC)252a、作为开闭阀的阀253a。在含氢气体供给管232b，从上游侧按顺序设有H2气体供给源250b、MFC252b、阀253b。在非活性气体供给管232c，从上游侧按顺序设有Ar气体供给源250c、MFC252c、阀253c。
[0039]在含氧气体供给管232a、含氢气体供给管232b和非活性气体供给管232c合流的下游侧设有阀243a，并连接于气体导入口234的上游端。
[0040]主要利用气体供给头236(盖体233、气体导入口234、缓冲室 237、开口238、屏蔽板240、气体吹出口239)、含氧气体供给管 232a、含氢气体供给管232b、非活性气体供给管232c、MFC252a、 252b、252c、阀253a、253b、253c、243a构成了本实施方式的气体供给部230(气体供给系统)。
[0041][排出部228][0042]排出部228如图1所示，在处理室201的下方被设为相对于搬入搬出口245在水平方向上相对置。具体来说，在下侧容器211的侧壁设有从处理室201排出反应气体的气体排出口235。在气体排出口235连接有气体排出管231的上游端。在气体排出管231，从上游侧按顺序设有作为压力调整器(压力调整部)的APC(Auto PressureController：自动压力控制器)242、作为开闭阀的阀243b、作为真空排气装置的真空泵246。
[0043]主要利用气体排出口235、气体排出管231、APC242、阀243b 构成本实施方式的排气部228。此外，可以将真空泵246包含在排出部内。
[0044][等离子体生成部216][0045]等离子体生成部216如图1所示，主要设于上侧容器210的圆筒部210a的外壁的外侧。具体来说，在处理室201的外周部、即上侧容器210的侧壁的外侧以包围处理室201的方式设有螺旋状的共振线圈212。换言之，以从圆筒部210a的径向(以下“容器径向”) 的外侧(远离圆筒部210a的中心一侧)包围处理容器203的方式设有螺旋状的共振线圈。共振线圈212为电极的一例。
[0046]另外，在共振线圈212连接有RF传感器272、高频电源273、对高频电源273的阻抗或输出频率进行匹配的匹配器274。
[0047]‑
高频电源273、RF传感器272、匹配器274
‑
[0048]高频电源273向共振线圈212供给高频电(RF电力)。RF传感器272设于高频电源273的输出侧，监控供给来的高频的行波或反射波的信息。利用RF传感器272监控到的反射波电
力被输入至匹配器274，匹配器274基于从RF传感器272输入的反射波的信息，以使反射波成为最小的方式控制高频电源273的阻抗或输出的高频电的频率。
[0049]高频电源273具备包括用于规定振荡频率以及输出的高频振荡电路以及前置放大器在内的电源控制手段(控制电路)、以及用于增幅至规定的输出的增幅器(输出电路)。电源控制手段通过操作面板，基于与预先设定的频率以及电力有关的输出条件控制增幅器。增幅器向共振线圈212经由传送线路供给一定的高频电。
[0050]‑
共振线圈212
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[0051]共振线圈212形成规定波长的驻波，因此，以使以一定的波长共振的方式设定卷径、卷绕节距、匝数。即，共振线圈212的电气长度被设定为相当于从高频电源273供给的高频电的规定频率中的 1个波长的整数倍(1倍、2倍、
…
)的长度。换言之，基板处理装置100具备高频电源273，该高频电源273将具有共振本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，其具备：具有筒状部的处理容器，其形成有在内部配置基板的处理室；气体供给部，其向所述处理室供给处理气体；电极，其以从所述处理容器的所述筒状部的外侧包围所述处理容器的方式呈螺旋状设置，向所述电极供给高频电而对所述处理气体进行等离子体激励；以及移动部，其使所述电极相对于所述处理容器在所述筒状部的径向上相对移动。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述移动部使所述电极相对于所述处理容器向作为所述径向的一个方向、以及向作为所述径向且相对于所述一个方向正交的另一方向相对移动。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述移动部具备：可动部，其直接或者间接地安装于所述电极并且与所述电极成为一体地移动；以及调整部，其使所述可动部移动来调整所述可动部的位置。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述移动部具备使所述调整部动作的驱动部。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，具备：供用于使所述电极移动的移动信息输入的输入部；以及控制部，其控制所述驱动部，基于输入至所述输入部的移动信息并利用所述驱动部使所述调整部动作。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，具备存储部，该存储部存储有作为所述移动信息的处理条件、以及与所述处理条件对应的所述电极相对于所述处理容器的相对位置，所述控制部基于向所述输入部输入的所述处理条件、以及在所述存储部内存储的与所述处理条件对应的所述电极相对于所述处理容器的相对位置，控制所述驱动部。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述处理条件包含要处理的基板的温度、所述处理室的压力、对基板进行处理的所述处理气体的种类、所述处理气体的流量、以及向所述电极供给的高频电中的至少一个。8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述处理条件至少包含所述处理容器的所述筒状部的轴向上的、所述电极与要处理的基板的相对位置。9.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述处理条件至少包含要处理的基板的种类。10.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：坪田康寿，中山雅则，舟木克典，上田立志，竹岛雄一郎，市村圭太，井川博登，山角宥贵，岸本宗树，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：