【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及基板处理装置、处理容器、半导体装置的制造方法及程序。
技术介绍
1、在专利文献1公开了使用从水平方向对基板供给处理气体而从水平方向排气的反应管的基板处理装置。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2008-172204号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、在如上所述的装置中，有时会因为在处理气体从反应管排气时与壁碰撞而产生涡流。若在反应管内产生涡流，则处理气体会滞留，或处理气体的分压会上升，在基板处理中有基板的面内膜厚均匀性恶化的情况。
3、本公开的目的在于提供一种能够使形成于基板上的膜的面内膜厚均匀性提高的技术。
4、用于解决课题的方案
5、根据本公开的一方案，提供一种技术，其具备：
6、容器，其能够收纳基板；
7、气体流路，其与所述容器连续地构成；以及
8、连接部，其连接构成所述容器的壁和构成所述气体流路的壁，
...【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特...
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